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          英特爾致力削減能耗 新10億PC機首當其沖

          •   據(jù)國外媒體報道,英特爾日益關(guān)注綠色科技,并致力于削減其產(chǎn)品的生態(tài)足跡。公司估計截至到2007年,公司共售出超過10億部PC機,每小時耗能約320 太瓦,而接下來的10億部PC機耗能則為151太瓦,同時計算能力是之前的17倍。英特爾預(yù)計達到20億銷量要到2014年。
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  PC  

          存儲器3Q景氣 NAND Flash略優(yōu)于DRAM

          •   存儲器產(chǎn)業(yè)度過辛苦的第2季后,第3季景氣恐沒有這么快復(fù)蘇,業(yè)界預(yù)期NANDFlash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后,會隨著消費性電子產(chǎn)品需求出籠而開始翻揚,但業(yè)界對于DRAM市場看法則是分歧,7月合約價續(xù)跌已成定局,部分業(yè)者認為8月中開始價格可止跌,但另一派業(yè)者則認為DRAM報價到年底都不會反轉(zhuǎn),且恐有續(xù)跌的可能性,整體來看,下半年NANDFlash景氣微幅優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè),但好日子也不會維持太長。
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  

          DRAM成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩

          •   據(jù)IHS iSuppli公司的研究,隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術(shù),該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  光刻  

          茂德再度減資85%

          •   茂德再度啟動2次減資計劃,繼2010年4月宣布減資65%后,2011年7月6日董事會中再度通過減資85%,預(yù)計將在第3季底前完成減資程序,之后將辦理增資引進策略性投資人,市場屢次點名的老面孔鴻海、聯(lián)電等大型集團,再度被提出來討論。   
          • 關(guān)鍵字: 茂德  DRAM  

          DRAM產(chǎn)業(yè)走向低納米技術(shù) 成本縮減將放速

          •   最近幾個季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節(jié)點方面比較積極,但在今年剩余時間內(nèi)力度將逐漸減弱。今年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)的加權(quán)平均節(jié)點從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%,表明推動DRAM技術(shù)遷移的力度在增大。。在此期間,成本降幅從7.8%增大至14.2%,晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。據(jù)IHS iSuppli公司的研究,隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術(shù),該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。
          • 關(guān)鍵字: Inotera  DRAM  

          存儲器3Q景氣NAND Flash略優(yōu)于DRAM

          •   存儲器產(chǎn)業(yè)度過辛苦的第2季后,第3季景氣恐沒有這么快復(fù)蘇,業(yè)界預(yù)期NAND Flash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后,會隨著消費性電子產(chǎn)品需求出籠而開始翻揚,但業(yè)界對于DRAM市場看法則是分歧,7月合約價續(xù)跌已成定局,部分業(yè)者認為8月中開始價格可止跌,但另一派業(yè)者則認為DRAM報價到年底都不會反轉(zhuǎn),且恐有續(xù)跌的可能性,整體來看,下半年NAND Flash景氣微幅優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè),但好日子也不會維持太長?!?/li>
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  

          聯(lián)想NEC完成合資公司組建

          •   聯(lián)想集團4日宣布,日本最大的個人電腦集團——NEC聯(lián)想日本集團正式宣告成立。數(shù)據(jù)顯示,新集團將占據(jù)日本PC市場近25%的份額。   NEC聯(lián)想日本集團由三家公司組成:控股公司為聯(lián)想NEC控股公司,于7月1日成立;其下有兩家全資子公司——NEC個人電腦有限公司和聯(lián)想日本有限公司。其中,NEC個人電腦有限公司是從NEC個人產(chǎn)品有限公司分拆個人電腦業(yè)務(wù)而新成立的公司。聯(lián)想已通過發(fā)行股票向NEC支付了1.75億美元,完成這項交易。   
          • 關(guān)鍵字: 聯(lián)想  PC  

          DRAM產(chǎn)業(yè)成本削減步伐將放緩

          •   據(jù)IHS iSuppli公司的研究,隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術(shù),該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。   雖然最近幾個季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節(jié)點方面比較積極,但在今年剩余時間內(nèi)力度將逐漸減弱。今年第一季度該產(chǎn)業(yè)的加權(quán)平均節(jié)點從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%,表明推動DRAM技術(shù)遷移的力度增大。在此期間,成本降幅從7.8%增大至14.2%,晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  50納米  

          傳世界先進有意投資茂德中科12吋廠

          •   茂德申請負債降息暫化解當前財務(wù)危機后,引進新資金成為當務(wù)之急,業(yè)界已傳出多組人馬正評估有條件投資茂德,或?qū)ζ煜轮锌?2吋晶圓廠有興趣,近期已有第1個出價者浮現(xiàn),內(nèi)存業(yè)界傳出世界先進出價新臺幣100億元,想買茂德12吋廠,且推測背后應(yīng)是獲得臺積電默許,主要系因驅(qū)動IC未來采12吋廠生產(chǎn)較具成本優(yōu)勢,世界先進可趁此機會撿便宜。不過,茂德和世界先進對此事都予以否認?!?/li>
          • 關(guān)鍵字: 茂德中科  DRAM  

          瑞晶成30納米制程轉(zhuǎn)換最快的臺灣DRAM廠

          •   瑞晶董事會日前通過30納米制程轉(zhuǎn)換資本支出18.15億元決議案,并沖刺單月產(chǎn)能到年底達到8.8萬片,成為邁向30納米制程進展最快的臺系DRAM廠。此外,董事會也通過,向臺灣歐力士公司申請機器設(shè)備售后租回融資約10億元,持續(xù)添購重要半導(dǎo)體制程設(shè)備如ASML的浸潤機臺等?!?/li>
          • 關(guān)鍵字: 瑞晶  DRAM  

          力成科技布局先進封裝技術(shù)

          •   力成科技積極自內(nèi)存封測業(yè)務(wù)往先進封裝技術(shù)布局,繼先前買下茂德廠房以作為實驗工廠后,轉(zhuǎn)投資公司聚成科技的新竹廠也在3月動土,預(yù)計2012年第3季裝機試產(chǎn)。力成董事長蔡篤恭表示,實驗工廠以開發(fā)新技術(shù)為主,包括晶圓級封裝、3D IC及銅柱凸塊等,估計開發(fā)時程約1年,屆時新竹廠正好開始啟用,新產(chǎn)品效益可望適時于2012~2013年發(fā)酵?!?/li>
          • 關(guān)鍵字: 封裝  DRAM  

          華芯預(yù)計內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)收入將過億元

          •   華芯半導(dǎo)體公司市場營銷部經(jīng)理殷和國6月28日在深圳集成電器創(chuàng)新應(yīng)用展上對《第一財經(jīng)日報》透露,預(yù)計今年內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)(DRAM)將為公司帶來超過1億元的收入。   
          • 關(guān)鍵字: 華芯  DRAM  

          iSuppli:DDR4將在2014年集中上市

          •   據(jù)IHSiSuppli公司的研究,DDR3的市場份額穩(wěn)定在85-90%,2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術(shù),隨后才會逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。2011年DRAM模組出貨量將達8.08億個左右,預(yù)計DDR3將占89%,高于去年的67%和2009年的24%。DRAM模組是包含DRAM芯片的封裝,用于PC和其它電子產(chǎn)品之中。
          • 關(guān)鍵字: DDR4  DRAM  

          英特爾中國戰(zhàn)略加速

          •   記者24日從英特爾媒體溝通會上獲悉,2012年,中國將成英特爾全球最大的單一PC消費市場。   在北京IDF2011(英特爾信息技術(shù)峰會)上,英特爾曾引述了一個嵌入式市場的數(shù)據(jù):將近四分之一的英特爾嵌入式業(yè)務(wù)來自中國。   
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  PC  

          爾必達宣布開始銷售DDR3 DRAM樣品芯片

          •   日本爾必達公司27日宣布已經(jīng)開始銷售采用穿硅互連技術(shù)(TSV)制作的DDR3 SDRAM三維堆疊芯片的樣品。這款樣品的內(nèi)部由四塊2Gb密度DDR3 SDRAM芯片通過TSV三維堆疊技術(shù)封裝為一塊8Gb密度DDR3 SDRAM芯片(相當1GB容量),該三維芯片中還集成了接口功能芯片。
          • 關(guān)鍵字: 爾必達  DRAM  
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