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          爾必達(dá)全面量產(chǎn)30nmDRAM

          •   日本爾必達(dá)存儲(chǔ)器(Elpida Memory)宣布,將從2011年5月開始全面量產(chǎn)采用30nm工藝的DRAM。生產(chǎn)基地是該公司的廣島工廠和臺(tái)灣瑞晶電子(Rexchip Electronics)的工廠。廣島工廠已經(jīng)開始生產(chǎn)30nmDRAM,2011年4~6月將把比例擴(kuò)大至20%、2011年7~9月擴(kuò)大至30%。而瑞晶工廠則計(jì)劃在2011年7~9月導(dǎo)入30nmDRAM技術(shù),2011年7~9月將比例提高至50%、2011年10~12月迅速提高至100%。   爾必達(dá)從2010年9月開始開發(fā)30nmDRAM
          • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  30nm  DRAM  

          孫大衛(wèi):三星威脅臺(tái)灣相關(guān)產(chǎn)業(yè)

          •   面對(duì)臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)勢(shì)力節(jié)節(jié)敗退,存儲(chǔ)器模塊龍頭廠金士頓(Kingston)創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)表示,如果政府什么事都不做,臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)沒有未來(lái),且所有三星電子(Samsung Electronics)有涉獵的產(chǎn)業(yè)都會(huì)面臨威脅,包括面板、晶圓代工等,因?yàn)橐耘_(tái)灣中小企業(yè)特性遇上三星,就象是單兵對(duì)上大軍團(tuán),未來(lái)每個(gè)指標(biāo)性產(chǎn)業(yè)恐被各個(gè)擊破。 
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          pc計(jì)算機(jī)與單片機(jī)串口通信源程序

          • pc計(jì)算機(jī)與單片機(jī)串口通信源程序下面是一個(gè)單片機(jī)與PC機(jī)通信的程序,pc機(jī)程序用c語(yǔ)言來(lái)編寫,單片機(jī)程序用匯編語(yǔ)言來(lái)編寫1. PC機(jī)編程
            PC采用Toubr C 進(jìn)行編寫。程序如下:
            #includestdio.h>
            #define port
          • 關(guān)鍵字: 通信  源程序  串口  單片機(jī)  計(jì)算機(jī)  pc  

          PIC單片機(jī)的bank和PC的出錯(cuò)問(wèn)題

          • 1、 BANK設(shè)置錯(cuò)誤:  先來(lái)看一段程序:  include  PORTDB EQU 20H  hellip;hellip;  START  movlw blsquo;11110000rsquo;  movwf PORTDB  clrf TRISD  MAIN  bcf STATUS,C  rlf PORTDB,1 
          • 關(guān)鍵字: 出錯(cuò)  問(wèn)題  PC  bank  單片機(jī)  PIC  

          多信道的信道接入?yún)f(xié)議 DCA-PC

          • 信道接入?yún)f(xié)議對(duì)網(wǎng)絡(luò)的性能起著決定性的作用,是WSNs技術(shù)的研究重點(diǎn)之一。單信道的信道接入?yún)f(xié)議在節(jié)點(diǎn)規(guī)模增大時(shí),網(wǎng)絡(luò)性能明顯變差。采用多信道機(jī)制,可以提高網(wǎng)絡(luò)吞吐量,減小傳播延時(shí),降低沖突的概率,更易于支持網(wǎng)
          • 關(guān)鍵字: 信道  DCA-PC  接入  協(xié)議  

          基于POWER PC+FPGA架構(gòu)的飛行試驗(yàn)振動(dòng)數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)分析

          • 摘要:飛行試驗(yàn)振動(dòng)信號(hào)具有采樣率高、數(shù)據(jù)量大、處理復(fù)雜的特點(diǎn),在現(xiàn)有條件下,通過(guò)遙測(cè)鏈路很難將大量的振動(dòng)數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)傳輸至地面監(jiān)控系統(tǒng)。針對(duì)試飛測(cè)試的需要,結(jié)合某型號(hào)的試飛關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)研究,突破試飛振動(dòng)數(shù)
          • 關(guān)鍵字: POWER  FPGA  PC  架構(gòu)    

          分析顯示全球半導(dǎo)體市場(chǎng)到2013年均增長(zhǎng)將達(dá)9%

          •   印度市場(chǎng)調(diào)研公司RNCOSE-Services近日發(fā)布調(diào)查報(bào)告稱,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)在2011-2013年的復(fù)合年均增長(zhǎng)率將達(dá)9%,電腦和手機(jī)將是半導(dǎo)體銷量增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力。   
          • 關(guān)鍵字: 芯片  DRAM  

          智能手機(jī)和平板電腦需求急增 爾必達(dá)上年度營(yíng)益增加30%

          •   日經(jīng)新聞日前報(bào)導(dǎo),日本DRAM龍頭廠爾必達(dá)(Elpida)上年度(2010年度;2010年4月-2011年3月)財(cái)報(bào)顯示本業(yè)獲利狀況的合并營(yíng)益可望較前一年度(2009年度)勁揚(yáng)30%至350億日?qǐng)A,主因?yàn)橹悄苄褪謾C(jī)、平板產(chǎn)品需求急增帶動(dòng)Mobile DRAM出貨呈現(xiàn)增長(zhǎng),加上制程細(xì)微化令成本有效獲得刪減。報(bào)導(dǎo)指出,爾必達(dá)上年度合并營(yíng)收預(yù)估將年增9%至5,100億日?qǐng)A,顯示最終獲利狀況的合并純益也可望維持于2009年度的30億日?qǐng)A水平。   報(bào)導(dǎo)指出,2011年1-3月期間因PC用DRAM價(jià)格低迷導(dǎo)致
          • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  智能手機(jī)  DRAM  

          爾必達(dá)2010年度營(yíng)業(yè)利益可望成長(zhǎng)30%

          •   受惠于平板計(jì)算機(jī)等產(chǎn)品用Mobile DRAM出貨暢旺,且制程推進(jìn)有助于撙節(jié)成本,爾必達(dá)(Elpida)2010會(huì)計(jì)年度(2010年4月~2011年3月)營(yíng)業(yè)利益可望成長(zhǎng)30%,達(dá)350億日?qǐng)A(約4.2億美元);而該季營(yíng)收約可達(dá)5,100億日?qǐng)A,年增率為9%。   
          • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  DRAM  

          DRAM合約價(jià)成功調(diào)漲

          •   在硅晶圓缺貨陰霾未能完全消退下,個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)大廠補(bǔ)貨需求提前啟動(dòng),4月DRAM合約價(jià)漲聲響起,讓DRAM業(yè)者吃下定心丸,估計(jì)4月上旬平均漲幅約6%,而南亞科依據(jù)不同客戶區(qū)分,單月漲幅落在5~10%區(qū)間,目前2GB容量DDR3模塊價(jià)格調(diào)漲至18美元,換算2Gb芯片報(bào)價(jià)回升至2美元,預(yù)計(jì)2GB模塊報(bào)價(jià)回升至20美元指日可待,如果硅晶圓吃緊問(wèn)題持續(xù),預(yù)計(jì)5、6月可順利回升至此價(jià)位?! ?/li>
          • 關(guān)鍵字: 硅晶圓  DRAM  

          基于PC104架構(gòu)的某系列計(jì)算機(jī)通用測(cè)試平臺(tái)的設(shè)計(jì)與

          • 摘要:某系列計(jì)算機(jī)自投入使用以來(lái),已裝備飛機(jī)上百架,形成十多個(gè)型號(hào)。由于型號(hào)多、數(shù)量大、裝各時(shí)間較長(zhǎng),其維護(hù)面臨很大壓力?;赑C104架構(gòu)的某系列計(jì)算機(jī)通用測(cè)試平臺(tái),以PC104為處理單元,采用Windows XP操作
          • 關(guān)鍵字: PC  架構(gòu)  計(jì)算機(jī)    

          基于PC/104的故障檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

          • 基于PC/104的故障檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)計(jì),摘要:本文介紹了一種基于PC/104模塊的某高炮故障檢測(cè)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方法,該系統(tǒng)通過(guò)定時(shí)檢測(cè)PC/104IO口的信號(hào)狀態(tài),利用故障樹的分析技術(shù),分析了設(shè)備出現(xiàn)故障的原因,并指導(dǎo)檢測(cè)人員排除故障,從而提高排除故障的效
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  檢測(cè)系統(tǒng)  故障  PC  基于  

          海力士:DRAM市況可望進(jìn)入恢復(fù)期

          •   海力士(Hynix)30日召開定期股東大會(huì),社長(zhǎng)權(quán)五哲表示,DRAM價(jià)格已觸底,市況可望進(jìn)入恢復(fù)期,而權(quán)五哲對(duì)NANDFlash市況,也抱持肯定的態(tài)度,他表示,受日本地震影響,NANDFlash價(jià)格攀升,下半年記憶體晶片市場(chǎng)將可望出現(xiàn)反彈。  
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  

          iSuppli上調(diào)今年全球半導(dǎo)體營(yíng)收

          •   市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS公司iSuppli公司上調(diào)了對(duì)今年全球半導(dǎo)體銷售額的預(yù)測(cè),較原本預(yù)期調(diào)高50億美元。主要原因是日本地震引發(fā)全球半導(dǎo)體供應(yīng)短缺,刺激存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。   
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  

          iSuppli上調(diào)今年全球半導(dǎo)體營(yíng)收

          •   市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS公司iSuppli公司上調(diào)了對(duì)今年全球半導(dǎo)體銷售額的預(yù)測(cè),較原本預(yù)期調(diào)高50億美元。主要原因是日本地震引發(fā)全球半導(dǎo)體供應(yīng)短缺,刺激存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。   
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  DRAM  NAND  
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