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Rambus聯(lián)合金士頓開(kāi)發(fā)出“線程式內(nèi)存條技術(shù)”

　　Rambus公司以往的新聞幾乎都與XDR DRAM的官司有關(guān)，不過(guò)這次他們則和金士頓合作開(kāi)發(fā)出了一種可用于增大DDR3內(nèi)存帶寬的技術(shù)“線程式內(nèi)存條技術(shù)”(Threaded memory module)。這種技術(shù)基于現(xiàn)有的DDR3技術(shù)，不過(guò)將內(nèi)存條上的內(nèi)存芯片進(jìn)行了分塊處理，位于各個(gè)分塊內(nèi)部的芯片共享一個(gè)命令/地址端口，不過(guò)數(shù)據(jù)傳輸部分則可通過(guò)各自獨(dú)立的傳輸通道進(jìn)行傳輸，傳輸?shù)奈粚捒蛇_(dá)64字節(jié)(512bit)，這樣就可以將傳統(tǒng)DDR3內(nèi)存的帶寬提升50%左右，而且采用這種技術(shù)
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三星芯片部總裁：全球芯片需求形勢(shì)好于預(yù)期

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子芯片部門(mén)總裁權(quán)五鉉(Oh-Hyun Kwon)周二表示，全球芯片需求形勢(shì)好于公司原來(lái)預(yù)期，因此三星電子正在提高芯片產(chǎn)量以滿足市場(chǎng)需求。　　權(quán)五鉉將需求提升歸功于企業(yè)重建庫(kù)存以及政府的經(jīng)濟(jì)刺激政策。　　在臺(tái)北的新聞發(fā)布會(huì)上，權(quán)五鉉舉例道個(gè)人電腦用的DDR3芯片的需求就非常強(qiáng)勁。三星電子正在臺(tái)北舉行一個(gè)關(guān)于手機(jī)行業(yè)的論壇。　　他表示，三星正在提高DDR3芯片的產(chǎn)量，預(yù)計(jì)將有助于結(jié)束市場(chǎng)供給短缺的現(xiàn)象。　　權(quán)五鉉表示，此前由于制造商產(chǎn)能過(guò)度擴(kuò)張，DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取
關(guān)鍵字：三星 DRAM DDR3 液晶面板記憶體芯片

4大DRAM廠現(xiàn)金正流入　華亞科、力晶、茂德飛越現(xiàn)金成本線

　　DRAM價(jià)格漲不停，1Gb容量DDR2價(jià)格直逼2美元，苦熬多時(shí)的臺(tái)系DRAM廠終于進(jìn)入現(xiàn)金正流入的狀態(tài)，包括華亞科、力晶和茂德?tīng)I(yíng)運(yùn)都終止失血，南亞科在自己晶圓廠生產(chǎn)部分也開(kāi)始有現(xiàn)金流入，但采購(gòu)自華亞科的部分，受到母子公司拆帳仍是Margin-Sharing模式，因此部分還是現(xiàn)金流出，但以整個(gè)臺(tái)塑集團(tuán)的DRAM事業(yè)來(lái)看，已進(jìn)入現(xiàn)金正流入狀態(tài)，下一步臺(tái)系DRAM業(yè)者的目標(biāo)是轉(zhuǎn)虧為盈。　　4 大DRAM廠2008年虧損金額超過(guò)新臺(tái)幣1,000億元，眼看龍頭廠三星電子(Samsung Electronic
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IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM

　　IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM測(cè)試芯片，并稱(chēng)該芯片是半導(dǎo)體業(yè)界面積最小、密度最高、速度最快的片上動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器。　　IBM表示，使用SOI技術(shù)可使芯片性能提高30%，功耗降低40%。IBM還表示，基于SOI技術(shù)的嵌入式DRAM每個(gè)存儲(chǔ)單元只有一個(gè)單管，和32nm、22nm的片上SRAM相比，具有更理想的密度和速度。　　IBM的這款32nm SOI嵌入式DRAM周期時(shí)間可以小于2納秒，與同類(lèi)SRAM相比待機(jī)功耗降低4倍，軟錯(cuò)誤率降低1000多倍，功耗也大大減少。　　IBM希望將3
關(guān)鍵字： IBM 32nm DRAM 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器

摩根士丹利：計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)已復(fù)蘇

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，投資銀行摩根士丹利在周一表示，在經(jīng)歷了三年的衰退之后，計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)已開(kāi)始復(fù)蘇，預(yù)計(jì)此次復(fù)蘇將會(huì)持續(xù)兩年的時(shí)間。　　摩根士丹利分析師韓亙(Keon Han)在周一的報(bào)告中指出，DRAM芯片銷(xiāo)售在2010年將會(huì)達(dá)到224億美元，較今年的184億美元增長(zhǎng)21%。在摩根士丹利分析師上調(diào)了三星電子、海力士和三家臺(tái)灣芯片制造商的股價(jià)預(yù)期之后，韓國(guó)和臺(tái)灣芯片股周一普遍出現(xiàn)上漲。　　瑞薩科技在周一表示，該公司計(jì)劃在下月上調(diào)芯片售價(jià)。瑞薩科技此舉表示，芯片制造商正在走出去年供給過(guò)剩以及虧損
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茂德科技將與臺(tái)灣記憶體合作研發(fā)生產(chǎn)芯片

　　華爾街日?qǐng)?bào)報(bào)道，臺(tái)灣茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)發(fā)言人曾邦助(Ben Tseng)周五稱(chēng)，公司將與臺(tái)灣記憶體公司(Taiwan Memory Company)在芯片研發(fā)和生產(chǎn)方面進(jìn)行合作。　　曾邦助告訴道瓊斯通訊社(Dow Jones Newswires)稱(chēng)，茂德科技計(jì)劃于10月份取消無(wú)薪假期，部分原因是與臺(tái)灣記憶體的合作需要公司逐步恢復(fù)產(chǎn)能。此前受芯片供應(yīng)過(guò)剩影響，茂德科技已連續(xù)9個(gè)季度虧損。　　受芯片行業(yè)持續(xù)低迷影響，自去年11月份以來(lái)，茂德科技的雇員每月都
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南亞科技9月下半月將把芯片價(jià)格上調(diào)10%

　　9月18日消息據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)導(dǎo)報(bào)，南亞科技發(fā)言人白培霖周五稱(chēng)，因個(gè)人電腦銷(xiāo)售旺盛，繼續(xù)帶動(dòng)DRAM芯片需求，公司將把9月下半月的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)(DRAM)芯片價(jià)格較上半月上調(diào)10%。　　白培霖表示，公司幾乎已經(jīng)達(dá)成了下半月的所有交易，由此可見(jiàn)需求之旺盛。南亞科技每月與個(gè)人電腦制造商進(jìn)行兩次DRAM芯片價(jià)格談判。　　白培霖還稱(chēng)，南亞科技9月上半月將DRAM芯片價(jià)格較8月末上調(diào)了15%，公司目前的芯片平均售價(jià)約為2美元，高于其現(xiàn)金成本。　　但白培霖稱(chēng)，南亞科技仍然不太可能在本季度扭虧為盈。該公司
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DRAM廠和模塊廠誤判情勢(shì)　DDR2供貨吃緊

　　2009年面臨DDR2和DDR3規(guī)格交替之際，各廠紛紛壓寶氣勢(shì)如虹的DDR3氣勢(shì)，DDR2飽受冷板凳之苦許久，然現(xiàn)在風(fēng)水輪流轉(zhuǎn)，DDR2受到供給減少、PC大廠又回頭青睞之故，市場(chǎng)意外出現(xiàn)缺貨聲浪，DRAM廠和模塊廠雙雙感嘆誤判形勢(shì)，導(dǎo)致現(xiàn)在DDR2庫(kù)存過(guò)低，南亞科副總白培霖即指出，DDR2在10月之后，缺貨問(wèn)題將更明顯浮上臺(tái)面，且由合約價(jià)蔓延至現(xiàn)貨價(jià)，屆時(shí)1Gb DDR2現(xiàn)貨價(jià)格將看到2美元。　　近期市場(chǎng)傳言，三星電子(Samsung Electronics)有意將1Gb DDR2價(jià)格壓在1.7美
關(guān)鍵字： Samsung DRAM NAND

全球IC市場(chǎng)V形反彈已啟動(dòng) 增長(zhǎng)勢(shì)頭將延續(xù)至2011年

　　市場(chǎng)研究公司IC Insights表示，今年1月到7月NAND flash銷(xiāo)售額和出貨量分別增長(zhǎng)98%和67%，其他產(chǎn)品的業(yè)績(jī)數(shù)據(jù)也十分健康，這說(shuō)明產(chǎn)業(yè)已調(diào)頭撞向V形反彈的上升階段。　　從今年1月到7月，IC市場(chǎng)銷(xiāo)售額增長(zhǎng)了43%，DRAM、MPU、模擬電路銷(xiāo)售額分別增長(zhǎng)61%、57%和50%。　　爆炸式的增長(zhǎng)率當(dāng)然也與今年1月半導(dǎo)體市場(chǎng)業(yè)績(jī)達(dá)到此輪衰退的最低點(diǎn)有關(guān)。　　“IC產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇并不會(huì)是緩慢的，而是V形增長(zhǎng)，目前上升周期已經(jīng)開(kāi)始。”IC Insights分析師
關(guān)鍵字： DRAM NAND MPU 模擬電路

三星電子半導(dǎo)體部門(mén)第3季營(yíng)業(yè)利益重回1兆韓元大關(guān)

　　三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體部門(mén)可望再創(chuàng)2年9個(gè)月來(lái)未見(jiàn)的1兆韓元(約8.2億美元)營(yíng)業(yè)利益。據(jù)韓國(guó)證券業(yè)與相關(guān)業(yè)者表示，三星電子2009年第3季合并營(yíng)業(yè)利益推估可落在3.7兆~3.8兆韓元間，且可能超越上述區(qū)間。　　三星電子2004年第1季創(chuàng)下最大營(yíng)業(yè)利益4.01兆韓元，其中半導(dǎo)體部門(mén)營(yíng)業(yè)利益為1.78兆韓元，通訊部門(mén)則是1.257兆韓元，占公司整體營(yíng)業(yè)利益大半。三星半導(dǎo)體事業(yè)更在2004年第2季創(chuàng)下史上最大營(yíng)業(yè)利益2.15兆韓元，占整體單季營(yíng)業(yè)利益(3.773兆韓元
關(guān)鍵字：三星 DRAM LCD

海力士第3季可望轉(zhuǎn)虧為盈

　　韓國(guó)半導(dǎo)體廠商海力士(Hynix)2009年第3季創(chuàng)下2,000億韓元(約1.63億美元)的營(yíng)業(yè)利益，破除2007年第3季以來(lái)連續(xù)8季虧損魔咒。海力士在全球DRAM市場(chǎng)繼三星電子(Samsung Electronics)之后第2家轉(zhuǎn)虧為盈的廠商。　　據(jù)業(yè)界預(yù)測(cè)，2009年第2季營(yíng)業(yè)虧損2,110億韓元的海力士，2009年第3季可望轉(zhuǎn)虧為盈，落在2,000億韓元左右，接近2007年第3季營(yíng)業(yè)利益2,540億韓元規(guī)模，而在2007年第3季以后，三星已連續(xù)7季營(yíng)運(yùn)呈現(xiàn)虧損。　　分析指出，海力士營(yíng)運(yùn)改
關(guān)鍵字： Hynix DRAM 50納米

英特爾Q2市場(chǎng)份額突破80% 創(chuàng)四年來(lái)新高

　　調(diào)研公司iSuppli周一公布的數(shù)據(jù)顯示，今年第二季度，英特爾全球處理器市場(chǎng)份額達(dá)到了80.6%，創(chuàng)四年來(lái)新高。　　受PC市場(chǎng)需求反彈推動(dòng)，英特爾第二季度市場(chǎng)份額為80.6%，高于今年第一季度的79.1%和去年第二季度的79.2%，創(chuàng)四年來(lái)的最高點(diǎn)。2005年，英特爾曾創(chuàng)下82.4%的市場(chǎng)份額。　　與此同時(shí)，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手AMD市場(chǎng)份額下滑至11.5%，低于今年第一季度的12.8%和去年第二季度的11.9%。　　iSuppli分析師馬休-威爾金斯(Matthew Wilkins)稱(chēng)：&ldquo
關(guān)鍵字：英特爾處理器 PC

CAN總線與PC機(jī)串口通信適配器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

介紹了一種在工業(yè)測(cè)控系統(tǒng)中具有通用性的，基于CAN總線控制器SJA1000的，CAN總線與PC機(jī)通過(guò)RS-232互連的串口網(wǎng)絡(luò)通信接口適配器的設(shè)計(jì)，詳細(xì)說(shuō)明了該適配器的硬件配置、電路結(jié)構(gòu)和軟件設(shè)計(jì)。并對(duì)軟硬件設(shè)計(jì)中遇到的幾個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題進(jìn)行了討論。該設(shè)計(jì)方案實(shí)現(xiàn)了管理監(jiān)控層(上位PC機(jī))和現(xiàn)場(chǎng)生產(chǎn)測(cè)控層(現(xiàn)場(chǎng)CAN總線網(wǎng))之間的連接。充分體現(xiàn)CAN總線的靈活性和可擴(kuò)展性。其實(shí)際應(yīng)用結(jié)果表明：該適配器可靠性高，運(yùn)行穩(wěn)定，具有很強(qiáng)的實(shí)用推廣價(jià)值。
關(guān)鍵字：適配器設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn) 通信串口總線 PC CAN CAN

南科：資金陸續(xù)到位制程轉(zhuǎn)換進(jìn)度無(wú)虞

　　景氣轉(zhuǎn)好，近期科技業(yè)聯(lián)貸案陸續(xù)通過(guò)，合約DRAM大廠南科150億元(新臺(tái)幣，下同)聯(lián)貸案也可望于9月底通過(guò)，加上6月時(shí)私募120億元，以及年底可能再辦約100多億元的現(xiàn)增案，南科銀彈滿滿，轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米制程進(jìn)度已經(jīng)無(wú)虞。　　日前奇美電聯(lián)貸案金額不斷往上追加，原應(yīng)在8月結(jié)案，順延到9月上旬，金額也由最初預(yù)定的300億元規(guī)模，被聯(lián)貸銀行團(tuán)超額認(rèn)購(gòu)到422億元，最后以400億元結(jié)案。顯見(jiàn)隨景氣轉(zhuǎn)好，銀行團(tuán)原本緊縮的態(tài)度，也逐漸放松。而南科150億元聯(lián)貸案，預(yù)計(jì)將在9月底登場(chǎng)。據(jù)銀行端消息透露，最晚第四季就
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存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)可望出現(xiàn)DRAM、NAND Flash雙好行情

　　DRAM價(jià)格趨于穩(wěn)定，1Gb容量提前在9月初站上1.7美元，臺(tái)廠面對(duì)這樣美好的光景，心中還是有些疑慮，擔(dān)心三星電子(Samsung Electronics)會(huì)從中作梗，破壞DRAM價(jià)格漲勢(shì)，然現(xiàn)在蘋(píng)果(Apple)強(qiáng)勁追加NAND Flash訂單，且隨著智能型手機(jī)價(jià)格平民化的趨勢(shì)，未來(lái)內(nèi)建高容量存儲(chǔ)器普及，都讓各界相當(dāng)看好2010年NAND Flash市場(chǎng)前景，三星在喜迎蘋(píng)果大單之余，也無(wú)暇與臺(tái)系DRAM廠廝殺，暌違多年的DRAM和NAND Flash雙好行情可望再現(xiàn)。　　2009 年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)觸
關(guān)鍵字：三星 DRAM NAND 存儲(chǔ)器