pc-dram 文章進(jìn)入pc-dram技術(shù)社區(qū)

第一季度DRAM廠商排名出爐 Micron重獲第三

　　今年第一季度，美國(guó)存儲(chǔ)器制造商Micron Technology重返全球DRAM市場(chǎng)份額三甲行列。　　iSuppli存儲(chǔ)IC首席分析師Nam Hyung Kim指出，第一季度Micron超過日本Elpida重獲DRAM市場(chǎng)第三名的位置。　　第一季度DRAM銷售額為4.84億美元，同比減少28%，Micron市場(chǎng)份額為14.6%，較去年第四季度的13.8%有所增長(zhǎng)。　　韓國(guó)Samsung和Hynix分列第一第二位。Samsung市場(chǎng)份額創(chuàng)紀(jì)錄地達(dá)到34.3%，去年第四季度為30%，Hynix
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尹啟銘：TMC投入多少等計(jì)劃書才能確定

　　DRAM價(jià)格走揚(yáng)，讓DRAM產(chǎn)業(yè)景氣似乎有回溫跡象，不過，臺(tái)灣“經(jīng)濟(jì)部長(zhǎng)”尹啟銘認(rèn)為，臺(tái)灣當(dāng)局還是會(huì)繼續(xù)推動(dòng)TMC的成立。他說(shuō)，TMC沒有產(chǎn)能，著重的是技術(shù)研發(fā)，這是目前臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)比較欠缺的部分，至于要投入多少資金，尹啟銘說(shuō)，要等營(yíng)運(yùn)計(jì)劃書完成后，才能確定。　　DRAM近來(lái)現(xiàn)貨價(jià)格走揚(yáng)，上游芯片廠四月營(yíng)收同步成長(zhǎng)，一般預(yù)料這將有助業(yè)者營(yíng)收表現(xiàn)。有人質(zhì)疑，如此一來(lái)，臺(tái)當(dāng)局原本打算成立的臺(tái)灣內(nèi)存公司(TMC)，現(xiàn)在是否已經(jīng)沒有繼續(xù)推動(dòng)的必要，對(duì)此，臺(tái)灣“經(jīng)濟(jì)部
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一種嵌入式視頻記錄系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

一種嵌入式視頻記錄系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),20世紀(jì)90年代以來(lái)數(shù)字多媒體技術(shù)取得了飛速的發(fā)展和廣泛的應(yīng)用，超大規(guī)模集成電路及專用視頻壓縮處理芯片隨之迅速發(fā)展，同時(shí)隨著半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的容量也越來(lái)越大，這為研制數(shù)字化的音視頻記錄系
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn) 系統(tǒng) 記錄視頻嵌入式 DIMM-PC/520IU SZ1510 MPEG-1標(biāo)準(zhǔn) 視頻記錄嵌入式

DRAM業(yè)自救　臺(tái)塑砸百億新臺(tái)幣

　　DRAM產(chǎn)業(yè)面對(duì)臺(tái)灣存儲(chǔ)器公司(TMC)成立，已逐漸接受當(dāng)前事實(shí)，尤其現(xiàn)階段資金問題仍相當(dāng)窘迫，各家DRAM廠都開始展開自救運(yùn)動(dòng)。存儲(chǔ)器業(yè)者透露，臺(tái)塑集團(tuán)已撥款逾新臺(tái)幣100億元，力挺旗下南亞科和華亞科，宣示力拼DRAM產(chǎn)業(yè)決心;力晶除出售手上瑞晶持股給爾必達(dá)(Elpida)，亦傳出12寸晶圓廠有停工計(jì)畫;至于茂德中科廠考慮作1個(gè)月休1個(gè)月。不過，各DRAM廠對(duì)于上述說(shuō)法均不予證實(shí)，力晶董事長(zhǎng)黃崇仁則表示，只是依季節(jié)性作調(diào)整，依照目前DRAM現(xiàn)貨價(jià)格決定投片多少。　　臺(tái)DRAM廠對(duì)于政府整合產(chǎn)業(yè)結(jié)
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PC業(yè)整合加劇分析師建議戴爾收購(gòu)宏碁

　　面對(duì)PC行業(yè)的衰退，全球PC各大廠商早就開始重整，但是外界認(rèn)為這種整合還遠(yuǎn)未結(jié)束。4日，華爾街方面預(yù)測(cè)全球五大PC廠商將整合縮減至三個(gè)，并建議全球第二大PC廠商戴爾應(yīng)該率先吞并宏碁以便在未來(lái)占領(lǐng)有利地位。　　4日，美國(guó)投資公司分析師托尼•薩科納吉表示，由于全球前十大PC廠商合計(jì)市場(chǎng)份額不到70%，未能達(dá)到商業(yè)界理想的“二八原則”，PC行業(yè)在經(jīng)濟(jì)危機(jī)下依然十分分散。因此全球PC市場(chǎng)需進(jìn)一步整合。　　他甚至建議戴爾應(yīng)該花57億美元盡早收購(gòu)宏碁，形成優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)。除美國(guó)
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基于LabVIEW的PC機(jī)與變頻器的串口通信

1 引言近年來(lái)，隨著電力電子技術(shù)、微電子技術(shù)及大規(guī)模集成電路的發(fā)展，生產(chǎn)工藝的改進(jìn)及功率半導(dǎo)體器件價(jià)格的降低，變頻器調(diào)速越來(lái)越被工業(yè)上所采用。在摩擦學(xué)測(cè)試系統(tǒng)中，用變頻器控制電機(jī)實(shí)現(xiàn)試驗(yàn)設(shè)備的速度調(diào)節(jié)已
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DRAM廠不整并 2、3年后仍會(huì)出問題

　　臺(tái)灣內(nèi)存公司(TMC)成立過程峰回路轉(zhuǎn)，力成董事長(zhǎng)蔡篤恭對(duì)TMC持中立態(tài)度，如果政府覺得DRAM產(chǎn)業(yè)重要，就該救，只是如何救變成見仁見智。蔡篤恭認(rèn)為，臺(tái)面上的DRAM廠應(yīng)想辦法以整合方式存活下來(lái)，一旦DRAM廠倒閉歸零，就很難再回來(lái)了! 　　蔡篤恭說(shuō)，隨著DRAM報(bào)價(jià)回升，產(chǎn)業(yè)整并已經(jīng)錯(cuò)過最好的時(shí)機(jī)，但是如果不在這一波整合，過了2年至3年之后，會(huì)再面臨相同問題，他認(rèn)為，DRAM廠應(yīng)該拋去過去包袱，忘記過去，也許本來(lái)有10分，整合之后降至2分，但是放眼未來(lái)，DRAM廠還有機(jī)會(huì)從2分回升至5分、6分，反
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Hynix成功研發(fā)世界最高性能移動(dòng)DRAM

　　韓聯(lián)社4月27日電稱，Hynix(海力士)半導(dǎo)體成功研發(fā)采用54納米技術(shù)的世界最高性能的1Gb移動(dòng)低電雙倍速率(LPDDR2)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)產(chǎn)品。Hynix表示，該產(chǎn)品是世界上第一款可以在平均1.2伏的低電壓下實(shí)現(xiàn)1066Mbps超高速數(shù)據(jù)傳輸速度的移動(dòng)DRAM，在工藝技術(shù)、電壓、速度方面具備世界最高性能。　　據(jù)介紹，該產(chǎn)品可在平均1.2伏、最低1.14伏的低電壓下工作，接近于現(xiàn)有的1.8伏移動(dòng)DRAM的50%，并且僅為PC DDR2產(chǎn)品的30%。這意味著，1秒內(nèi)下載5、6部普通長(zhǎng)度的
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DDR2時(shí)代終結(jié)？三星啟動(dòng)DDR3交替計(jì)劃

　　三星近日宣布，將全力推動(dòng)DDR3的普及。由于2GB容量DDR3與DDR2模組差價(jià)模已拉近至1美元，近期三星鎖定部分一線大客戶，利用DDR3與DDR2的差價(jià)策略，鼓勵(lì)PC用戶積極采購(gòu)DDR3平臺(tái)。　　三星力推DDR3與DDR2無(wú)價(jià)差策略　　DRAM廠表示，三星規(guī)劃DDR3交替腳步相當(dāng)積極，多次出面力挺DDR3時(shí)代將來(lái)臨，使得其他DRAM廠包括海力士(Hynix)、美光(Micron)、爾必達(dá)(Elpida)等，對(duì)于加快腳步導(dǎo)入DDR3，亦顯得興致高昂。不過，近期三星對(duì)于DDR3價(jià)格殺傷力極大，恐
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傳TMC研發(fā)中心花落聯(lián)電可望擴(kuò)大聯(lián)電營(yíng)運(yùn)版圖

　　臺(tái)灣內(nèi)存公司(TMC)投資計(jì)劃書已正式送交臺(tái)灣“經(jīng)濟(jì)部工業(yè)局”!根據(jù)業(yè)者由日本爾必達(dá)及通產(chǎn)省所獲知的消息指稱，TMC的制造中心將鎖定瑞晶，研發(fā)中心將結(jié)合聯(lián)電研發(fā)資源。　　對(duì)此，聯(lián)電高階主管表示毫不知情;“經(jīng)濟(jì)部”工業(yè)局對(duì)此說(shuō)法予以否認(rèn)。　　業(yè)界盛傳，TMC研發(fā)中心若能進(jìn)一步與聯(lián)電結(jié)果，搭配放寬晶圓廠赴大陸投資規(guī)定，讓聯(lián)電與大陸和艦合并案成形，聯(lián)電集團(tuán)營(yíng)運(yùn)版圖將大幅擴(kuò)大。而瑞晶將成為TMC最大生產(chǎn)基地。　　對(duì)此傳言，力晶董事長(zhǎng)黃崇仁表示，力晶持
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減產(chǎn)帶動(dòng)市況好轉(zhuǎn) DRAM供過于求隱憂未除

　　制造廠大規(guī)模減產(chǎn)，帶動(dòng)DRAM市況逐步好轉(zhuǎn)，再加上日、韓政府有意紓困DRAM產(chǎn)業(yè)，這使臺(tái)灣TMC推動(dòng)產(chǎn)業(yè)技術(shù)扎根計(jì)劃增加難度。不過，全球DRAM產(chǎn)業(yè)仍無(wú)法擺脫供過于求隱憂。　　DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展與TMC未來(lái)走向再度受到外界注目。　　動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)廠近來(lái)紛紛減產(chǎn)自救，并已略具成效。另外，日本及韓國(guó)政府也有意對(duì)DRAM廠紓困，讓臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)技術(shù)扎根難度大增，政府聯(lián)美、日抗韓的夢(mèng)想是否因而幻滅也備受關(guān)注。　　全球DRAM廠于2006年大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)，造成市場(chǎng)嚴(yán)重供過于求，讓DRAM產(chǎn)
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基于PC／104與單片機(jī)的仿人機(jī)器人控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)

摘要：為了簡(jiǎn)化仿人機(jī)器人控制系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)機(jī)器人系統(tǒng)的功能。采用PC／104嵌入式系統(tǒng)作為仿人機(jī)器的主控計(jì)算機(jī)，完成圖像處理，做出控制決策，計(jì)算并生成運(yùn)動(dòng)序列。關(guān)節(jié)控制器選用C8051F310單片機(jī)，采用串口與主控
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坂本幸雄：DRAM市場(chǎng)將成臺(tái)日抗韓局勢(shì)

　　全球第三的日本DRAM大廠爾必達(dá)執(zhí)行長(zhǎng)坂本幸雄表示，DRAM市場(chǎng)將成臺(tái)日聯(lián)手抗韓的局勢(shì)，爾必達(dá)將申請(qǐng)約新臺(tái)幣173億元的日本政府紓困金。　　坂本幸雄接受日本“讀賣新聞”專訪時(shí)表示，DRAM對(duì)產(chǎn)業(yè)的影響極大，希望盡早申請(qǐng)政府紓困金以增強(qiáng)資本。他透露，下個(gè)月7日將申請(qǐng)規(guī)模約500億日?qǐng)A(約新臺(tái)幣173億)的政府紓困金。　　日本國(guó)會(huì)22日已通過產(chǎn)業(yè)再生法修正案，基于這項(xiàng)修法，接受政府紓困金的企業(yè)必須接受在3年內(nèi)改善業(yè)績(jī)等的條件。　　坂本幸雄受訪時(shí)說(shuō)：“綜觀全球
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俄羅斯政府可能向奇夢(mèng)達(dá)注資

　　徘徊于倒閉邊緣的DRAM制造商奇夢(mèng)達(dá)可能已經(jīng)找到了潛在投資者。德國(guó)薩克森州州長(zhǎng)本周發(fā)表聲明稱俄羅斯聯(lián)邦政府正在考慮向奇夢(mèng)達(dá)注資。薩克森州州長(zhǎng)Stanislaw Tillich的一位發(fā)言人稱，俄羅斯總理普京在本周早些時(shí)候與Tillich會(huì)晤后，指示俄羅斯工業(yè)與貿(mào)易部部長(zhǎng) Viktor Khristenko考慮向奇夢(mèng)達(dá)投資的有關(guān)事宜。　　而在四月初，此前媒體報(bào)道的三家有意投資奇夢(mèng)達(dá)的俄羅斯公司：Angstrem, Sitronics以及AFK-Sistema都否認(rèn)了他們的投資計(jì)劃。它們
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現(xiàn)貨市場(chǎng)供給吃緊有助于DDR2 1Gb顆粒價(jià)格上漲

　　現(xiàn)貨市場(chǎng)供給吃緊，將有助于DDR2 1Gb顆粒價(jià)格未來(lái)上漲趨勢(shì) 　　DRAM顆?，F(xiàn)貨價(jià)格自4月13日的0.95美元上漲至4月16日的1.13美元，漲幅達(dá)19%，據(jù)市場(chǎng)人士表示由于eTT的主要供應(yīng)者如力晶和爾必達(dá)在短期間將停止顆粒出貨至現(xiàn)貨市場(chǎng)中，現(xiàn)貨市場(chǎng)買家進(jìn)場(chǎng)補(bǔ)貨,拉高庫(kù)存，帶動(dòng)DDR2 1Gb eTT價(jià)格一度上漲至1.20美元。　　上周現(xiàn)貨市場(chǎng)傳出爾必達(dá)將停止出貨給臺(tái)灣模塊廠客戶，力晶也決定到六月底前將出貨的數(shù)量控制在最低水位，影響所及，也讓投機(jī)性買盤在現(xiàn)貨市場(chǎng)中發(fā)酵并讓DDR2 1Gb e
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