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英特爾推動PC細分市場本土化創(chuàng)新 直面消費升級
- 2019年3月27日，中國北京——今日，春“機”盎然，“芯”品無限——2019英特爾中國PC應(yīng)用創(chuàng)新媒體品鑒會成功舉辦。會上，英特爾市場營銷集團副總裁兼中國業(yè)務(wù)總經(jīng)理王稚聰先生發(fā)表了主題演講，為與會嘉賓分享了當前PC各細分市場消費升級的趨勢和需求，以及英特爾如何攜手產(chǎn)業(yè)生態(tài)立足細分市場創(chuàng)新及轉(zhuǎn)型，推動PC市場健康發(fā)展。此外，英特爾還攜手多家OEM、產(chǎn)業(yè)及渠道合作伙伴為大家展示了創(chuàng)新教育、商用、創(chuàng)意設(shè)計、游戲、在線直播等細分領(lǐng)域PC應(yīng)用在中國落地的創(chuàng)新成果，讓大家充分感受PC應(yīng)用創(chuàng)新所帶來的魅力?！ ‰S
- 關(guān)鍵字： 英特爾 PC
MRAM技術(shù)新突破！臺灣清大團隊發(fā)表新磁性翻轉(zhuǎn)技術(shù)
- 全球各半導體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競相投入磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)，準備在后摩爾定律世代一較高下。臺灣清華大學研究團隊最新發(fā)表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉(zhuǎn)，研究成果已于今年2月19日刊登于材料領(lǐng)域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)?！ RAM為非揮發(fā)性存儲器技術(shù)，斷電時利用納米磁鐵所存儲的數(shù)據(jù)不會流失，是“不失憶”的存儲器。其結(jié)構(gòu)如三明治，上層是自由翻轉(zhuǎn)的鐵磁層，可快速處理數(shù)據(jù)，底層則是釘鎖住的鐵磁層，可用作存儲數(shù)據(jù)，兩層中則有氧化層隔開?！ ∑?/li>
- 關(guān)鍵字： MRAM DRAM
集邦咨詢：DRAM均價受庫存尚未去化完成影響，跌勢恐將持續(xù)至下半年
- Mar. 25, 2019 ---- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，受庫存過高影響，DRAM第一季合約價跌幅持續(xù)擴大，整體均價已下跌逾20%。然而價格加速下跌并未刺激需求回溫，預(yù)計在庫存尚未去化完成的影響下，DRAM均價跌勢恐將持續(xù)至第三季?！ 「鶕?jù)DRAMeXchange調(diào)查，DRAM供應(yīng)商累積的庫存水位在第一季底已經(jīng)普遍超過六周 (含wafer bank)，而買方的庫存水位雖受到不同產(chǎn)品別的影響略有增減，但平均至少達五周，在服務(wù)器以及PC客戶端甚至超過七周?！ ∵M
- 關(guān)鍵字： 集邦咨詢 DRAM
中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨瓶頸，因素在于美國管制與韓國壟斷
- 根據(jù)韓國媒體《BusinessKorea》的報導指出，中國一直企望發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)，但在近期受到韓國存儲器大廠三星與SK海力士在市場壟斷與持續(xù)技術(shù)精進下，加上美國對知識產(chǎn)權(quán)的嚴密保護，其目的將難以達成?！ 髮е赋?，2018年10月份，在中國NANDFlash快閃存儲器技術(shù)上領(lǐng)先的長江存儲(YMTC)發(fā)布了自行研發(fā)的32層堆疊產(chǎn)品之后，當時就宣布將在2020年時跳過64層及96層堆疊的產(chǎn)品，直接發(fā)展128層堆疊的產(chǎn)品。由于韓國的存儲器龍頭廠三星，早在2014年就已經(jīng)推出了32層堆疊的NANDFlash快
- 關(guān)鍵字： DRAM NANDFlash
DRAM價格暴跌 韓國前景“一片烏云”
- 根據(jù)據(jù)韓媒《韓鮮日報》報導，DRAM的價格接連下跌，零售的計算機用DRAM價格最終也下跌到5萬韓元以下，這樣的走勢比預(yù)期要快許多，預(yù)計今年出口的前景也不樂觀?！ ≡陧n國電子產(chǎn)品價格比較網(wǎng)“Danawa”上，本月6日三星電子DDR48GBPC4-21300DRAM價格是4萬8900韓元，已經(jīng)下跌到5萬韓元以下，與去年4月9萬9270韓元的高點相比下跌了50.7%?！ 2B(企業(yè)間交易)市場價格指標也呈暴跌的趨勢，據(jù)市調(diào)公司DRAMeXchange指出，2月底的DDR48Gb的固定交易價格是比起今年1月
- 關(guān)鍵字： DRAM SK海力士
DRAM大幅跌價 三星的半導體老大位置懸了
- 據(jù)市調(diào)機構(gòu)DRAMeXchange公布的調(diào)查報告指，今年以來DRAM內(nèi)存價格大幅下跌，其估算一季度的跌幅從預(yù)期的25%擴大至30%，這對于依靠存儲芯片取得了全球半導體老大位置的三星來說顯然不是好消息，其或因存儲芯片價格持續(xù)下跌導致位置不保。 存儲芯片價格持續(xù)上漲助三星取代Intel 自2016年以來，受PC、智能手機等產(chǎn)品對存儲芯片需求不斷擴大，PC正將機械硬盤轉(zhuǎn)換為速度更快的SSD硬盤、DRAM內(nèi)存的容量在不斷增大，智能手機的閃存和內(nèi)存容量也在不斷擴大，存儲芯片價格進入了快速上漲的階段?！ ∽鳛?/li>
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
集邦咨詢：第一季DRAM合約價大幅下修，創(chuàng)8年以來最大跌幅
- Mar. 5, 2019 ---- 根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查，由于供過于求的市況，DRAM產(chǎn)業(yè)大部分交易已經(jīng)改為月結(jié)價(Monthly Deals)，2月份更罕見出現(xiàn)價格大幅下修。目前季跌幅從原先預(yù)估的25%調(diào)整至逼近30%，是繼2011年以來單季最大跌幅?！ RAMeXchange指出，從市場面來觀察，整體合約價自去年第四季開始下跌，隨后庫存水位持續(xù)攀升。近期DRAM原廠庫存(含wafer bank)普遍來到至少一個半月的高水位。同時，Intel低
- 關(guān)鍵字： DRAM
中國將增加在美半導體采購量？韓媒：不太容易
- 據(jù)businesskorea報道，中國計劃在未來六年內(nèi)將在美國的半導體采購增加到2000億美元(約合225.9萬億韓元)，大約是目前水平的五倍?！ ∪欢?，許多專家表示，美國急于遏制中國的半導體野心，不太可能接受中國的提議，因為它將增加對中國的半導體依賴?！ №n國企業(yè)對該計劃持謹慎態(tài)度，主要有兩個原因?！ ∈紫龋袊鴽]有提及將購買哪一種半導體。一家韓國半導體公司的高級官員表示:“中國沒有說明將進口何種半導體芯片，無論是內(nèi)存、中央處理器(CPU)還是系統(tǒng)半導體芯片。在這種情況下，很難預(yù)測對韓國企業(yè)的影響。
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
DRAM技術(shù)再一次實現(xiàn)突破，DDR6火速殺到：速度飛天
- 據(jù)外媒消息，第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內(nèi)存即DDR6的研發(fā)，預(yù)期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000?！ 〗邮懿稍L時，SK海力士研發(fā)Fellow Kim Dong-kyun前瞻，DDR6將在5~6年內(nèi)發(fā)展起來。 Kim Dong-kyun透露，“后DDR5”產(chǎn)品已經(jīng)有幾套技術(shù)概念成型，其中一套延續(xù)現(xiàn)有的數(shù)據(jù)傳輸規(guī)范，另一套則是將DRAM和CPU等片上系統(tǒng)的處理技術(shù)結(jié)合?！ ≠Y料顯示，去年11月，SK海力士宣布基于1Ynm工藝、開發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的DD
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR6
非易失性存儲器和易失性存儲器的對比
- 非易失性存儲器技術(shù)是在關(guān)閉計算機或者突然性、意外性關(guān)閉計算機的時候數(shù)據(jù)不會丟失的技術(shù)。非易失性存儲器技術(shù)得到了快速發(fā)展，非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類?！ ≡诤芏嗟拇鎯ο到y(tǒng)的寫操作程序中，內(nèi)存作為控制器和硬盤之間的重要橋梁，提供更快速的性能，但是如果發(fā)生突然間斷電的情況，如何保護內(nèi)存中的數(shù)據(jù)不丟失，這是存儲系統(tǒng)中老生常談的議題。易失性存儲器就是在關(guān)閉計算機或者突然性、意外性關(guān)閉計算機的時候，里面的數(shù)據(jù)會丟失，就像內(nèi)存。非易失性存儲器在上面的情況下數(shù)據(jù)不會丟失，像硬盤等外存。RRAM是一
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM
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