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          高通入局,始終連接給PC帶來新生,筆電卻必有一場(chǎng)血戰(zhàn)!

          • 高通已經(jīng)覬覦PC市場(chǎng)許久,與微軟的合作也斷斷續(xù)續(xù)的進(jìn)行了十幾年,這次終于看到高通芯片從手機(jī)端到PC端的成功跨越。
          • 關(guān)鍵字: 高通  PC  

          RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM......都是什么鬼?

          •   RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入,且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容,故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間使用的程序。   按照存儲(chǔ)信息的不同,隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Static RAM,SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic RAM,DRAM)。   SRAM(Static RAM)不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。   SSRAM(Synchronous SRAM)即同步靜態(tài)隨機(jī)存
          • 關(guān)鍵字: SRAM  DRAM  

          聯(lián)想總裁蘭奇:未來三年P(guān)C銷量仍將下滑 但銷售額上漲

          •   美國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月9日,2018 CES今日在拉斯維加斯開幕;聯(lián)想集團(tuán)總裁兼COO蘭奇在與網(wǎng)易科技等媒體對(duì)話時(shí)表示,盡管PC的整體銷量在下滑,但銷售額卻在增長(zhǎng),這意味著PC的平均單價(jià)在上漲。在談及PC業(yè)務(wù)時(shí),蘭奇表示,去年開始銷量確實(shí)在下滑,但是營(yíng)業(yè)額卻在上漲,也就是平均單價(jià)在持續(xù)增長(zhǎng);蘭奇表示,從2018年來看,這個(gè)趨勢(shì)仍將持續(xù),甚至將持續(xù)到未來的三年時(shí)間內(nèi)。蘭奇認(rèn)為,造成這個(gè)情況的原因主要有三個(gè),其一是消費(fèi)升級(jí),消費(fèi)者需要更好的外形設(shè)計(jì)、更大的空間;第二個(gè)原因在于PC業(yè)務(wù)已經(jīng)成為了一個(gè)替換業(yè)務(wù),很多
          • 關(guān)鍵字: 聯(lián)想  PC  

          IC Insights:DRAM今年價(jià)格將開始下滑

          •   研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights發(fā)布最新報(bào)告指出,DRAM廠于2017年第4季的銷售金額將創(chuàng)下歷史新高峰,預(yù)估達(dá)到211億美元,較2016年第4季的128億美元大增65%。IC Insights表示,據(jù)歷史經(jīng)驗(yàn)來看,DRAM產(chǎn)業(yè)在不久的將來,可能經(jīng)歷長(zhǎng)期間的景氣向下格局,因隨著DRAM產(chǎn)能增加,今年價(jià)格將開始下滑,跌勢(shì)更恐達(dá)2年之久。   回顧2017年,受惠于數(shù)據(jù)中心需求,帶動(dòng)服務(wù)器DRAM明顯升溫,同時(shí)智能手機(jī)與其他移動(dòng)裝置產(chǎn)品采用低功耗高密度DRAM也同步成長(zhǎng),2017年DRAM價(jià)格報(bào)價(jià)一路上揚(yáng)
          • 關(guān)鍵字: DRAM  

          揭露DRAM和電容炒貨內(nèi)幕,三星兜底策略縱容漲價(jià)

          • 缺貨漲價(jià)固然有產(chǎn)能不足的因素,但原廠聯(lián)合渠道商炒貨,是其中更為重要的潛在影響因素。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  三星  

          兩大新技術(shù)加持 三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機(jī)

          •   搶攻DRAM市場(chǎng)商機(jī),三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(jí)(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測(cè)系統(tǒng)(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案,以達(dá)更高效能、更低功耗,以及更小的體積。   DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)強(qiáng)勁,IC Insights預(yù)估,2017年DRAM市場(chǎng)將激增74%,為1994年以來最大增幅;未來DRAM預(yù)計(jì)將成為至今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)最大的單一產(chǎn)品類別,產(chǎn)值高
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          兩大新技術(shù)加持 三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機(jī)

          •   搶攻DRAM市場(chǎng)商機(jī),三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(jí)(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測(cè)系統(tǒng)(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案,以達(dá)更高效能、更低功耗,以及更小的體積。   DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)強(qiáng)勁,IC Insights預(yù)估,2017年DRAM市場(chǎng)將激增74%,為1994年以來最大增幅;未來DRAM預(yù)計(jì)將成為至今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)最大的單一產(chǎn)品類別,產(chǎn)值高
          • 關(guān)鍵字: DRAM  DDR4   

          明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

          • DRAM 與 NAND Flash 市場(chǎng)今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài),產(chǎn)品價(jià)格同步高漲,而明年上半年將轉(zhuǎn)為供過于求。
          • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  

          明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

          •   內(nèi)存明年市況恐將不同調(diào),DRAM市場(chǎng)仍將持續(xù)吃緊,NAND Flash市場(chǎng)則將于明年上半年轉(zhuǎn)為供過于求。   DRAM 與 NAND Flash 市場(chǎng)今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài),產(chǎn)品價(jià)格同步高漲,只是業(yè)界普遍預(yù)期,明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調(diào)。   內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見指出,DRAM 市場(chǎng)供貨持續(xù)吃緊,價(jià)格未見松動(dòng)跡象。 NAND Flash 方面,隨著 3D NAND Flash 技術(shù)日益成熟,生產(chǎn)良率改善,可望填補(bǔ)供貨缺口。   另一內(nèi)存模塊廠威剛表示,短期內(nèi)全球 DRAM
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          5nm工藝可能無法實(shí)現(xiàn)?存儲(chǔ)器除了3D NAND還有其他選擇?看這4個(gè)技術(shù)老兵怎么說

          •   5nm以下的工藝尺寸縮減邏輯;DRAM、3DNAND和新型存儲(chǔ)器的未來;太多可能解決方案帶來的高成本。   近日,外媒SE組織了一些專家討論工藝尺寸如何繼續(xù)下探、新材料和新工藝的引入帶來哪些變化和影響,專家團(tuán)成員有LamResearch的首席技術(shù)官RickGottscho、GlobalFoundries先進(jìn)模塊工程副總裁MarkDougherty、KLA-Tencor的技術(shù)合伙人DavidShortt、ASML計(jì)算光刻產(chǎn)品副總裁GaryZhang和NovaMeasuringInstruments的首
          • 關(guān)鍵字: 5nm  DRAM  

          再進(jìn)一步,三星發(fā)布最強(qiáng)10nmDRAM芯片

          •   根據(jù)三星最新財(cái)報(bào)顯示,三星Q3凈利潤(rùn)更是高達(dá)98.7億美元,增長(zhǎng)145%,季度凈利直逼蘋果,成為世界最賺錢的兩家公司之一。而耀眼財(cái)報(bào)的背后,其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)起著舉足輕重的作用。   昨日半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)曝出一條最大新聞——“ 三星電子全球首發(fā)第二代10納米級(jí)DRAM產(chǎn)品。”   三星在聲明中稱,這是全球第一個(gè)第二代10納米級(jí)8Gb DDR4 DRAM芯片,擁有強(qiáng)化的節(jié)能效率和資料處理效能,將鎖定云端運(yùn)算中心、移動(dòng)設(shè)備和高速繪圖卡等高階大數(shù)據(jù)處理的電子設(shè)備。
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          三星DRAM“霸主”地位難撼動(dòng)!已開發(fā)出全球最小DRAM內(nèi)存芯片

          •   繼 2016 年 2 月三星使用第一代 10nm 制程工藝生產(chǎn)出了 8Gb DDR4 芯片之后,三星電子今日又宣布已開始通過第二代 10nm 制程工藝生產(chǎn) 8Gb DDR4 芯片。另據(jù)路透社報(bào)道,三星開發(fā)的 8Gb DDR4 芯片是“全球最小”的 DRAM 芯片。   據(jù)悉,和第一代 10nm 工藝相比,三星第二代 10nm 工藝的產(chǎn)能提高了 30%,有助于公司滿足全球客戶不斷飆升的 DRAM 芯片需求。此外,第二代 10nm 芯片不僅比第一代快 10%,同時(shí)功耗又降低了 1
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          第四季DRAM銷售額預(yù)估年增65%,明年首季確定再漲

          •   DRAM 內(nèi)存市場(chǎng)近期嚴(yán)重供不應(yīng)求,造成全球內(nèi)存龍頭三星將于 2018 年第 1 季價(jià)格再上調(diào) 3% 至 5%。 而另一家內(nèi)存大廠 SK 海力士也將調(diào)漲約 5%。 除此之外,有部分供應(yīng)鏈透露,2018 年第 2 季的價(jià)格恐也將不樂觀,價(jià)格將續(xù)漲 5% 以上。 因此,在需求太強(qiáng)勁的情況下,此波 DRAM 價(jià)格從 2016年下半年以來,每季都呈現(xiàn)上漲的態(tài)勢(shì)。 如果加上 2018 年第 1 季持續(xù)漲價(jià),報(bào)價(jià)已經(jīng)連續(xù) 7 季走揚(yáng),堪稱 DRAM 史上時(shí)間最長(zhǎng)的多頭行情。   事實(shí)上,當(dāng)前的第 4 季是傳統(tǒng)
          • 關(guān)鍵字: DRAM  DDR4   

          第四季DRAM銷售額預(yù)估年增65%,再寫史上新高

          •   今年內(nèi)存供給吃緊,推升價(jià)格持續(xù)走揚(yáng),研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)期第四季DRAM銷售金額將創(chuàng)歷史新高。   據(jù)IC Insights估計(jì),第四季DRAM銷售金額將來到211億美元,較去年同期跳增65%,且是有史以來最佳記錄。   全年來看,DRAM市場(chǎng)預(yù)估成長(zhǎng)74%,較1993-2017年平均水平高61個(gè)百分點(diǎn),也是繼1994年成長(zhǎng)78%以來最強(qiáng)成長(zhǎng)動(dòng)能。   許多因素造就今年內(nèi)存走大多頭,當(dāng)中包含近幾年主要內(nèi)存廠刻意節(jié)制擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作,同期間剛好又遇上數(shù)據(jù)中心、行動(dòng)與游戲設(shè)備對(duì)高效能內(nèi)存的需求大
          • 關(guān)鍵字: DRAM  

          中國(guó)反壟斷機(jī)構(gòu)關(guān)注DRAM連漲七個(gè)季度,何處是盡頭?

          • 圍繞著此輪DRAM產(chǎn)業(yè)的上漲行情,無論是“供需論”還是“壟斷說”,在DRAM一路瘋漲的背后,展現(xiàn)的是耐人尋味的眾生相,有需求者的無奈,領(lǐng)軍者的得意,入局者的尷尬以及監(jiān)管者的警覺。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  
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