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          全球第四次DRAM戰(zhàn)爭:中韓定鼎之戰(zhàn)

          • 中國廠商在國際市場上已經(jīng)引起三星與海力士的警惕,而紫光、晉華等廠家也都在DRAM市場中進行著試探。
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          紫光國芯:DRAM未來會考慮與長江存儲合作

          •   紫光國芯26日在互動平臺表示,公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設(shè)計,目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力,公司會考慮與其合作。   前不久,針對“存儲芯片行業(yè)增長很快,為什么西安紫光國芯的毛利率如此低?”的提問,紫光國芯副總裁杜林虎及董秘阮麗穎在與投資機構(gòu)進行互動問答時表示,西安紫光國芯從事DRAM存儲芯片的設(shè)計業(yè)務(wù),公司自身沒有制造環(huán)節(jié),但市場上DRAM的代工廠很少,特別是在市場需求旺盛的時期,公司由于規(guī)模較小,產(chǎn)
          • 關(guān)鍵字: 紫光  DRAM  

          內(nèi)存價格一年漲三倍:外企壟斷流通價格倒掛

          • 在此輪內(nèi)存漲價行情中,由于不少企業(yè)加大了建倉囤貨的力度,導(dǎo)致在內(nèi)存流通環(huán)節(jié)甚至出現(xiàn)了價格倒掛的現(xiàn)象。
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  DRAM  

          專訪ThinkPad之父內(nèi)藤在正:傳承下一個25年

          •   坊間有這樣一種說法,在某個領(lǐng)域有卓越貢獻或者建樹的人都被稱為XX“之父”,比如搖滾“之父“崔健,“”水稻“之父“袁隆平等。   在電腦領(lǐng)域能被稱為教父級別的人物并不多,我們今天專訪的主人公就是其中一位。   60多年前,在日本名古屋,有一個少年。他喜歡研究星空,喜歡組裝機器。他的父親是一位機械工程師,負責(zé)維修飛機。他是家中小輩里唯一的男孩,所以父親想要培養(yǎng)下一代工程師的愿望就自然落在了他的身上。
          • 關(guān)鍵字: ThinkPad  PC  

          紫光國芯第四代DRAM芯片明年上市 北方華創(chuàng)搶占14nm設(shè)備市場

          •   近兩日連續(xù)大漲的紫光國芯在接受數(shù)家機構(gòu)調(diào)研時表示,前三季因研發(fā)投入加大及市場競爭加劇,整體毛利率下降,導(dǎo)致業(yè)績下降。目前第四季度經(jīng)營好于預(yù)期,對全年業(yè)績估計相對樂觀,公司積極開拓集成電路業(yè)務(wù)市場,營業(yè)收入穩(wěn)定增長。紫光國芯預(yù)計,公司2017年全年凈利潤為2.35億元~3.36億元,上年同期為3.36億元,同比變動-30%~0%。前三季度,紫光國芯實現(xiàn)營業(yè)收入13.08億元,同比增長31.31%;凈利潤為2.13億元,同比下降22.912%。紫光國芯表示,公司FPGA產(chǎn)品目前處于研發(fā)投入階段,已投入自有
          • 關(guān)鍵字: 紫光國芯  DRAM  

          IC Insights:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最大成長動能將來自汽車

          •   PC不再是半導(dǎo)體的殺手級應(yīng)用,取而代之的是許多新的應(yīng)用領(lǐng)域不斷涌現(xiàn)。其中包括汽車半導(dǎo)體市場——多年來穩(wěn)居半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的強勁市場。   個人計算機(PC)市場多年來一直是半導(dǎo)體銷售的單一最大驅(qū)動力,但在最近已經(jīng)連續(xù)第六年下滑了。同時,2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)預(yù)計將迎來銷售表現(xiàn)最佳的一年,其中,最強勁的成長動能就來自于車用市場,這一成長力道還將續(xù)至2021年。   PC不再是半導(dǎo)體的殺手級應(yīng)用,取而代之的是許多新的應(yīng)用領(lǐng)域不斷涌現(xiàn)。其中包括汽車半導(dǎo)體市場——多
          • 關(guān)鍵字: PC  自動駕駛  

          數(shù)據(jù)中心需求熱,SK海力士第三季營收大幅增長30.1%

          •   根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示,在北美數(shù)據(jù)中心的需求持續(xù)強勁,以及DRAM供給端產(chǎn)能與制程受限制下,并不能滿足整體服務(wù)器內(nèi)存市場需求,Server DRAM供不應(yīng)求的情形在第三季度更為顯著。受到平均零售價(Average Selling Price)墊高帶動,三大DRAM原廠第三季營收成長約25.2%。   DRAMeXchange分析師劉家豪指出,進入第四季,在服務(wù)器出貨動能不減的情況下,整體Server DRAM供不應(yīng)求的狀況將更為明顯,Server DRAM第四
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  DRAM  

          圖解中國存儲器三大勢力 DRAM、NAND 拼量產(chǎn)

          • 中國存儲器后進廠商 2018 年開始產(chǎn)能逐步開出,目前狀況到底如何?
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          雷蛇今日登陸港IPO 背后隱藏著巨大的野心

          • 雷蛇頭頂“電競第一股”的光環(huán)登陸港交所,風(fēng)光的背后,雷蛇想要扭虧為盈并不容易。
          • 關(guān)鍵字: 雷蛇  PC  

          存儲器廠調(diào)漲DRAM合約價 明年Q1價格仍有望居高不下

          •   DRAM漲勢不斷,后遺癥逐步顯現(xiàn),渠道商表示,因存儲器漲幅過大,下游應(yīng)用端,尤其是筆電和部分智能手機等市場,不堪侵蝕獲利,已開始朝降低搭載量抵制,加上部分新產(chǎn)量陸續(xù)在2019年產(chǎn)出,研判明年下半年,DRAM漲勢將止步,價格有下調(diào)壓力。   調(diào)研機構(gòu)研究報告顯示,三星、SK海力士及福建晉華、合肥睿力等公司的增產(chǎn)計劃,都為未來DRAM市場投下新變數(shù),明年DRAM產(chǎn)值雖仍可成長11.8%,但成長已低于今年的67.8%,到2019年,在新產(chǎn)能增加,重陷價格戰(zhàn)下,年產(chǎn)值將衰選25.9%,且預(yù)估有2年的殺戮戰(zhàn)。
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  

          破解傳統(tǒng)PC困局!高通聯(lián)手聞泰推“手機化”筆記本電腦

          •   日前,IDC發(fā)布2017年第三季度全球PC出貨量報告顯示,全球傳統(tǒng)PC(臺式機、筆記本電腦)出貨6720萬臺,同比下降0.5%,低于預(yù)期的1.4%降幅,PC市場經(jīng)歷5年持續(xù)下滑之后似乎有反彈的跡象。   近年來,小米、華為等手機廠商的相繼入局,為傳統(tǒng)PC市場注入了新鮮血液,如今全球第一大ODM廠商也宣布進軍筆電市場,更是有望在PC市場掀起一場產(chǎn)業(yè)變革。   用做手機的方式去做電腦   7月4日,聞泰科技發(fā)布公告宣布進軍筆記本電腦市場。公告顯示,聞泰科技全資子公司聞泰通訊在高通的支持下開始研發(fā)高通
          • 關(guān)鍵字: 高通  PC  

          內(nèi)存條漲價背后:廠家紛紛將產(chǎn)能挪到利潤較高的業(yè)務(wù)

          • 作為一個寡頭壟斷市場,內(nèi)存條價格一路飆升背后,是三星電子、美光科技、SK海力士內(nèi)存廠商正經(jīng)歷一次較為一致的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變。
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存條  DRAM  

          DRAM缺貨恐延至明年 兩大模組廠喊缺

          •   臺灣兩大存儲器模組廠威剛與創(chuàng)見一致認為,動態(tài)隨機存取存儲器( DRAM )將持續(xù)缺貨。威剛預(yù)期,DRAM缺貨情況可能延續(xù)到明年。   威剛指出,全球人工智能與物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展,帶動云端基礎(chǔ)設(shè)備及服務(wù)規(guī)模大舉躍升,連帶刺激全球DRAM需求急遽成長。   只是全球DRAM大廠近年都專注于制程改良,并未就新增產(chǎn)能進行巨額投資,威剛表示,這使得今年來全球DRAM缺貨問題不斷延燒。   創(chuàng)見預(yù)期,第4季DRAM市場仍將持續(xù)供不應(yīng)求,產(chǎn)品價格也將維持高檔。   威剛更指出,韓系DRAM大廠已預(yù)告明年第1
          • 關(guān)鍵字: DRAM  

          DRAM核心設(shè)計的新舊存取技術(shù)差異

          •   本文討論不同的存取技術(shù)對于DRAM在進行實體設(shè)計時所發(fā)生的改變,尤其是指由1電晶體+1電容器組成的儲存單元——DRAM的最小記憶單位…   不同的存取技術(shù)對于動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)在進行實體設(shè)計時將發(fā)生什么改變?當(dāng)動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)中的儲存單元(storage cell)加上控制端點以及數(shù)據(jù)端點后,就被稱為1T1C DRAM單元;其中,控制端點也就是字組線(WL),用于傳遞位址訊號,數(shù)據(jù)端點也就是位元線(BL),用于傳遞數(shù)據(jù)值。   陣列結(jié)
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          0.7納秒!相變存儲器速度新極限

          •   隨著數(shù)字全球化,爆炸式增長的信息對數(shù)據(jù)的存儲與傳輸提出了極大的挑戰(zhàn),而且目前商用計算體系架構(gòu)內(nèi)各存儲部件,即緩存(SRAM)、內(nèi)存(DRAM)和閃存(NAND Flash)之間性能差距日益加大,其間的數(shù)據(jù)交換效率也已成為了電子設(shè)備發(fā)展的瓶頸。因此研發(fā)具備存儲密度大、讀寫速度快、能耗低、非易失(即斷電后數(shù)據(jù)不丟失)等特點的新式通用式存儲介質(zhì)勢在必行。        近日,美國Science雜志發(fā)表了西安交通大學(xué)與上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所的合作論文——《Red
          • 關(guān)鍵字: 相變存儲器  DRAM  
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