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          大陸存儲器的戰(zhàn)略布局

          •   長江存儲成立后,大陸在這個階段于半導體的宏觀布局重新成形。但是為什么挑由存儲器入手?這是個關鍵選擇。尤其是在臺灣的 DRAM 產業(yè)甫因規(guī)模經(jīng)濟不足導致研發(fā)無法完全自主而緩緩淡出之際,這樣的選擇需要一番辯證。進口替代當然是原因之一,但不是全部。   回歸基本面來看。半導體之所以為高科技是因為有摩爾定律,容許其不斷的制程微縮,而其經(jīng)濟效益也高度依賴摩爾定律。DRAM 在很長的一段時間里是半導體業(yè)的驅策技術(driving technology),也就是說DRAM的制程領導其它的半導體制程前進。半導體的先
          • 關鍵字: DRAM   存儲器  

          TrendForce:服務器DRAM模組供不應求,Q1報價看漲25%

          •   市場調查機構TrendForce最新報告預測,服務器用DRAM模組由于供給吃緊,第一季報價可能攀升至少25%。   2017年第一季初,服務器DRAM模組已較前一季同期漲價逾25%,部份高密度產品合約價漲幅更是逼近30%。DDR4 R-DIMM 32GB模組目前已漲破200美元門檻,16GB模組也來到100美元。   TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange發(fā)現(xiàn),服務器DRAM模組報價看漲,部份是受惠于PC用DRAM持續(xù)漲價。除此之外,服務器制造業(yè)者因擔心價格持續(xù)走揚而提前
          • 關鍵字: DRAM  

          后PC時代 英特爾沒有掉隊

          •   我們可以簡單細數(shù)一下近期關于英特爾的消息:   1.發(fā)布多款第七代智能英特爾酷睿處理器產品,并推出用于移動工作站的全新至強處理器;   2.發(fā)布首款5G標準的通信芯片;   3.推出無需電腦連接的“獨立”VR頭盔;   4.發(fā)布面向汽車廠商的新產品“英特爾Go”處理器;   5.首批安裝該處理器的40輛寶馬無人駕駛汽車將于2017年下半年上路測試。英特爾負責解決從汽車到數(shù)據(jù)中心的計算能力,為自動駕駛方案提供處理器和FPGA技術,進一步平衡性能和
          • 關鍵字: 英特爾  PC  

          DRAM供貨吃緊 創(chuàng)淡季漲幅最高紀錄

          •   集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示,由于DRAM供貨吃緊至今未有改善的跡象,因此延續(xù)2016下半年的價格漲勢,2017年第一季DRAM平均銷售單價呈大幅上漲格局,DDR3 4GB模組的合約價最高已超過25美元,季漲幅超過三成,為DRAM史上首個在傳統(tǒng)淡季下仍能維持強勢漲價的季度。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,根據(jù)現(xiàn)已成交的合約看來,2017年第一季標準型內存價格持續(xù)攀高,平均漲幅接近三成,服務器內存的漲幅略同,R-DIMM 32GB模組已超過200美元
          • 關鍵字: DRAM  

          DRAM/NAND價格回升 存儲器產值今年將增10%

          •   在2015、2016連續(xù)兩年下跌后,DRAM和NAND Flash存儲器平均銷售價格(ASP)正穩(wěn)健走揚,研究機構IC Insights認為,此將有助推升2017年存儲器市場銷售規(guī)模,預估整體產值可達853億美元新高紀錄,較2016年成長10%;2020年更可望首度攀至千億美元大關。
          • 關鍵字: DRAM  NAND  

          一文通解基于VLT技術的新型DRAM內存單元

          •   垂直分層閘流體(Vertical Layered Thyristor;VLT),是Kilopass研發(fā)出的新型內存單元,能夠顯著降低動態(tài)隨機存取內存(DRAM)的成本和復雜性。這是一種靜態(tài)的內存單元,無需刷新操作;兼容于現(xiàn)有晶圓廠的制造設備,也無需任何新的材料或工藝?! ∠噍^于一般的DRAM,VLT內存數(shù)組能節(jié)約高達45%的成本;這是因為它具有更小的VLT內存單元,以及驅動更長行與列的能力,使其得以大幅提升內存數(shù)組效率。然而,想要發(fā)揮VLT的優(yōu)勢,就必須在依據(jù)產業(yè)標準發(fā)展的成熟DR
          • 關鍵字: DRAM  

          紫光蓋全球最大3DNAND廠,暫時不涉足DRAM

          •   大陸紫光集團在2016年終正式宣布投資總額高達240億美元,在武漢東湖高新區(qū)興建全球單一最大3D儲存型快閃存儲器(NAND Flash)廠,為全球存儲器市場投下一顆震撼彈。   半導體設備業(yè)透露,紫光集團由旗下長江存儲公司負責推動這項計畫。紫光集團暨長江存儲董事長趙偉國甚至將這項投資案,等同遼寧號航空母艦出海試航,是中國大陸存儲器產業(yè)從零突破的開端,也創(chuàng)下由國家戰(zhàn)略推動、地方大力支持、企業(yè)市場化運作的新合作模式。   由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產業(yè)基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資
          • 關鍵字: 紫光  DRAM  

          存儲的春天 2017年存儲行業(yè)收入將創(chuàng)紀錄

          •   根據(jù)ICInsights報道,在經(jīng)歷了2013年與2014年連續(xù)兩年20%以上增長的好年景以后,2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應商合并、產能控制還是新型應用頻出等過去認為是利好的事情,都沒有拯救2015年的存儲器市場。個人電腦市場的低迷導致存儲器庫存過多,從而在2015年下半年出現(xiàn)了價格暴跌,2015年存儲器銷售額最終為780億美元,同比下降了3%。   這種頹勢延續(xù)到了2016年上半年,但從2016年下半年開始情況發(fā)生了變化,存儲器價格開始變得異常堅挺,而且持續(xù)到了2016結束。但由于
          • 關鍵字: DRAM  存儲器  

          嚴防技術泄露 DRAM三大廠向跳槽大陸員工發(fā)出警告信

          •   全球三大DRAM廠三星、SK海力士(SK Hynix)及美光,近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負責研發(fā)的聯(lián)電核心成員,全力防堵DRAM技術流入中國大陸,讓全力發(fā)展自主DRAM研發(fā)的中國大陸踢到鐵板,也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術人員,遭到空前恫嚇。   半導體人士透露,三大DRAM廠強力防止中國大陸藉挖角剽竊技術,顯示不樂見DRAM產業(yè)寡占局面被中國大陸全力搶進而打破,三大廠采取法律制約員工跳槽的行動,如果能奏效,將使DRAM供給缺口浮現(xiàn)問題再擴大,明年再現(xiàn)飆漲
          • 關鍵字: DRAM  SK海力士  

          IC Insights:2017年全球存儲器市場同比增長10%

          •   在經(jīng)歷了2013年與2014年連續(xù)兩年20%以上增長的好年景以后,2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應商合并、產能控制還是新型應用頻出等過去認為是利好的事情,都沒有拯救2015年的存儲器市場。個人電腦市場的低迷導致存儲器庫存過多,從而在2015年下半年出現(xiàn)了價格暴跌,2015年存儲器銷售額最終為780億美元,同比下降了3%。   這種頹勢延續(xù)到了2016年上半年,但從2016年下半年開始情況發(fā)生了變化,存儲器價格開始變得異常堅挺,而且持續(xù)到了2016結束。但由于上半年跌價太狠,IC Insi
          • 關鍵字: 存儲器  DRAM  

          力晶黃崇仁:2017年DRAM市況非常好

          •   力晶執(zhí)行長黃崇仁20日出席臺灣物聯(lián)網(wǎng)產業(yè)技術協(xié)會成立大會時表示,明年存儲器市況不錯,但力晶沒有到大陸生產存儲器的計劃;同時他發(fā)表傳出前中華電信董事長蔡力行要去紫光看法,他認為蔡力行對于老東家臺積電有程忠誠度,不會去挖臺積電的墻角。   20日市場傳出,蔡力行將加入大陸紫光集團,協(xié)助在成都蓋12吋晶圓代工廠,黃崇仁對此提出看法表示 ,以他與蔡力行是老朋友的身分觀察,蔡力行對臺積電是有忠誠度的,不會去挖臺積電的墻角。   由于力晶已經(jīng)前進大陸合肥在當?shù)厣w12吋晶圓代工廠合晶,目前廠房已經(jīng)蓋好,明年將進
          • 關鍵字: 力晶  DRAM  

          華亞科被高薪挖角 大陸存儲點燃DRAM主導權大戰(zhàn)

          •   中國大陸紫光集團長江存儲、合肥長鑫及福建晉華都積極爭取大陸存儲主導權,隨著三大體建廠計劃預定2018年量產,三大體系將正面對決。   長鑫目前已網(wǎng)羅SK海力士、華亞科及臺廠DRAM設計公司相關人員,構成中日臺的存儲研發(fā)團隊。長鑫日前正式曝光相關投資計劃,預定第一期在合肥空港經(jīng)濟示范區(qū)興建第一座12吋晶圓廠,明年7月動工,目前團隊已逾50位員工,預定明年要達千人規(guī)模、2018年上看2,000人,這也是為何急于對臺挖角的關鍵。   大陸發(fā)展自主存儲已列入大陸國家發(fā)展目標,多方勢力積極主導地位,其中,紫
          • 關鍵字: 華亞科  DRAM  

          聯(lián)想重組巴西業(yè)務:工廠面積減半 員工裁減4200人

          •   作為減少開支計劃的一部分,聯(lián)想公司對其在巴西的業(yè)務進行重組。   該公司原計劃在巴西圣保羅州伊圖市(Itu)建立一家占地5.2萬平方米的制造廠,現(xiàn)在決定遷至該州郊區(qū)的因達亞圖巴(Indaiatuba),工廠面積減半。   據(jù)巴西當?shù)亍督?jīng)濟價值報》報道,聯(lián)想的巴西員工也從5000人縮減至800人,以便“使成本適應新的市場現(xiàn)實”。   “這樣做的好處是,市場規(guī)模依舊維持與過去三個季度大體一致,我們相信下滑已經(jīng)結束,”聯(lián)想巴西PC部門總裁西爾維奧&m
          • 關鍵字: 聯(lián)想  PC  

          SK海力士開發(fā)出10納米級DRAM 與三星拉近差距

          •   傳聞SK海力士(SK Hynix)即將在2017年上半啟動10奈米級DRAM量產,這將是繼三星電子(Samsung Electronics)之后,第二家投產10奈米級DRAM的半導體業(yè)者。目前SK海力士已完成1x奈米技術研發(fā),同時著手開發(fā)1y奈米,并組成1z奈米研發(fā)團隊,持續(xù)追求更高的技術競爭力。   據(jù)韓媒ET News報導,14日業(yè)界消息指出,SK海力士以Alius作為計畫名稱的1x奈米DRAM即將正式量產。其目前已完成客戶樣品生產,正進行最后的可靠度檢測,預定2017年第2季由M14新廠正式量
          • 關鍵字: SK海力士  DRAM  

          華亞科被高薪挖角 大陸存儲點燃DRAM主導權大戰(zhàn)

          •   中國大陸紫光集團長江存儲、合肥長鑫及福建晉華都積極爭取大陸存儲主導權,隨著三大體建廠計劃預定2018年量產,三大體系將正面對決。   長鑫目前已網(wǎng)羅SK海力士、華亞科及臺廠DRAM設計公司相關人員,構成中日臺的存儲研發(fā)團隊。長鑫日前正式曝光相關投資計劃,預定第一期在合肥空港經(jīng)濟示范區(qū)興建第一座12吋晶圓廠,明年7月動工,目前團隊已逾50位員工,預定明年要達千人規(guī)模、2018年上看2,000人,這也是為何急于對臺挖角的關鍵。   大陸發(fā)展自主存儲已列入大陸國家發(fā)展目標,多方勢力積極主導地位,其中,紫
          • 關鍵字: 華亞科  DRAM  
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