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三星2Q'17起或?qū)⑷娌?0納米制程生產(chǎn)移動DRAM
- 三星電子(Samsung Electronics)被預估自2017年第2季開始，將全面采用20納米或以下的制程技術(shù)生產(chǎn)所有移動DRAM產(chǎn)品，意謂2017年第2季以后三星也將停止采用25納米制程技術(shù)生產(chǎn)移動DRAM芯片，由此顯示出三星在制程技術(shù)上的加速演進。 韓聯(lián)社等外媒報導，根據(jù)市場研究公司DRAMeXchange指出，據(jù)信在2016年第4季三星生產(chǎn)的移動DRAM芯片中，約94%已開始采用20納米或以下納米制程技術(shù)生產(chǎn)。 到目前三星移動DRAM芯片采20納米制程生產(chǎn)比重為82%、18納米為
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TrendForce：十月DRAM價格月漲逾20%，4GB模組均價來到17.5美元
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，DRAM原廠與一線的PC-OEM(代工)大廠敲定第四季度的合約價格，4GB模組均價來到17.5美元，較上月的14.5美元上漲逾20%;現(xiàn)貨市場也依然維持強勁的上升格局，DDR3/4 4Gb價格分別來到2.46/2.48美元，較上月同期比較已上漲17%與24%，顯見市場對于后市上漲仍將持續(xù)保持樂觀的態(tài)度。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，觀察市場面，由于原廠產(chǎn)能陸續(xù)轉(zhuǎn)進行動式內(nèi)存與服務器內(nèi)存后，
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韓國成立半導體希望基金鎖定存儲器研發(fā)
- 南韓沖刺半導體業(yè)組成國家隊，由當?shù)厍皟纱髲S三星電子和SK海力士領(lǐng)軍，籌組總規(guī)模2,000億韓元的“半導體希望基金”，投資具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽w相關(guān)企業(yè)。 三星、SK海力士是全球前兩大存儲器芯片商，單是DRAM領(lǐng)域，兩大廠市占率總和超過七成，具有絕對制價與技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢，兩大廠領(lǐng)軍籌組南韓“半導體希望基金”，預料以存儲器相關(guān)業(yè)務為優(yōu)先，臺灣南亞科、華邦電等存儲器芯片廠，以及正在興起的大陸存儲器產(chǎn)業(yè)，短線將面臨更大壓力。 業(yè)界人士分析，此次南韓的&ld
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傳三星 DRAM 明年邁 15 納米
- 三星電子智能手機吃悶棍，力拼內(nèi)存事業(yè)救業(yè)績!據(jù)傳三星為了穩(wěn)固龍頭地位，將在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM，對手 SK 海力士(SK Hynix)和美光(Micron)遠遠落后，技術(shù)差距約為一年半。 BusinessKorea 31 日報導，半導體產(chǎn)業(yè)透露，三星內(nèi)存部門今年初量產(chǎn) 18 納米制程 DRAM，準備在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM。同時，該公司將拉高 18 納米 DRAM 占整體 DRAM 的生產(chǎn)比重，目標明年下半提高至 30~40%。相關(guān)人士說，明年三星 10 納
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一機兩用：SlimPort接口將智能手機拓展成PC使用
- 計算機和手機附件(鍵盤、耳機等)在中國擁有巨大的市場前景，目前，這些產(chǎn)品采用了許多不同的無線和有線接口標準設計。接口的選擇需要權(quán)衡帶寬、功耗和成本等多方面因素。近日，在2013手機應用及技術(shù)論壇上，Analogi
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存儲器價格回溫 2016年IC市場可望成長1%
- 市場研究機構(gòu)IC Insights的最新報告將對2016年全球半導體市場營收的成長率預測，由原先的-2%提升為1%;此外該機構(gòu)預測，2016年全球IC出貨量成長率將在4~6%之間。IC Insights調(diào)升半導體市場成長率的很大一部分原因，來自于DRAM市場的強勁表現(xiàn)。 IC Insights指出，自2002年以來，全球IC市場在第三季平均季成長率為8%，但去年第三季市場成長率僅成長約1%左右;2016年第三季的IC市場成長率則出現(xiàn)了略為高于過去十五年平均值的9%。此外該機構(gòu)預期，2016年第四
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有了PplConnect PC一秒變手機
- 美國資深科技媒體人沃爾特middot;莫斯伯格(WaltMossberg)近日發(fā)表對新應用PplConnect的評測文章，他稱該產(chǎn)品將PC轉(zhuǎn)變成支持打電話、收發(fā)短信的虛擬手機，總的來說它前景光明，但還存在一些不足需要改進，如不支持接
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Kilopass憑借其革命性的VLT技術(shù)改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局
- 半導體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品領(lǐng)先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布：推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術(shù)，進而顛覆全球DRAM市場。VLT存儲單元在2015年已通過驗證，目前一款新的完整存儲器測試芯片正處于早期測試階段。Kilopass一直致力于推廣這項技術(shù)，并正與DRAM制造商進行許可協(xié)商。 “Kilopass以一次性可編程(OTP)存儲器技術(shù)的領(lǐng)導者而聞名，我
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VLT技術(shù) 或?qū)㈩嵏睤RAM產(chǎn)業(yè)格局
- 10月11日，Kilopass Technology宣布推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor)技術(shù)，簡稱VLT技術(shù)。據(jù)Kilopass首席執(zhí)行官Charlie Cheng稱，該技術(shù)集低成本、低功耗、高效率、易制造等諸多優(yōu)點于一身，有可能顛覆目前的DRAM產(chǎn)業(yè)格局。 最適用于云計算/服務器市場的DRAM技術(shù) Charlie Cheng指出，DRAM整體市場較為穩(wěn)定，未來隨著PC、手機等方面的市場需求萎縮，新的增長點將出現(xiàn)在云計算/服務器等市場領(lǐng)域。然而當前
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