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NMOS和PMOS詳解
- 一、簡介MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。其中，G是柵極，S是源極，D是漏極。二、nmos和pmos的原理與區(qū)別NMOSNMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MO
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除了二極管，防反接電路還能用什么？
- 二極管串聯(lián)以常用的5V/2A為例。常用二極管串聯(lián)在電路中，在電源反接時，二極管承擔(dān)所有的電壓，有效防止電源反接損壞后級設(shè)備。但是，二極管上壓降較大，損耗較高。使用肖特基二極管可以減小損耗，但是仍對電路有較大影響，特別是在電源電壓更低的情況下。反并二極管+保險(xiǎn)絲使用反并二極管+保險(xiǎn)絲，正常運(yùn)行時基本沒有損耗。在電源反接時，電源側(cè)接近短路，保險(xiǎn)絲熔斷，從而實(shí)現(xiàn)保護(hù)。反接發(fā)生后，二極管和保險(xiǎn)絲一般都需要更換。并且，輸入反接時產(chǎn)生一個負(fù)壓，后級設(shè)備還是有可能損壞。PMOS防反接電路基本電路基本的PMOS防反接電路
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設(shè)計(jì)超低功耗的嵌入式應(yīng)用：簡化電源域
- 不是所有便攜式系統(tǒng)都像圖1(參見本系列文章的第二部分)所示的系統(tǒng)這么簡單。圖3給出了可穿戴電子設(shè)備的典型方框圖。由于存在大量功能塊和子系統(tǒng)，設(shè)計(jì)復(fù)雜性進(jìn)一步提高。 ? 圖3：手表的高層次方框圖 一個符合邏輯的辦法是將整個系統(tǒng)拆分為不同的子系統(tǒng)，并分析各個子系統(tǒng)的功耗。這也有助于簡化電源域的設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)低功耗功能。 顯示和觸摸控制器部分的功耗主要取決于背光驅(qū)動和顯示屏本身。大多數(shù)設(shè)計(jì)都針對顯示屏采用基于定時器的超時斷電模式。一般說來，在固定時間T1后，背光會降
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PMOS開關(guān)管的選擇與電路設(shè)計(jì)
- 首先要進(jìn)行MOSFET的選擇，MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間
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手機(jī)充電管理設(shè)計(jì)要點(diǎn)及主流方案解析
- 雖然目前市面上的手機(jī)品牌眾多，但其充電回路大致相同，都采用基于PMOS的充電電路。使用PMOS時易于以較低電壓控...
- 關(guān)鍵字： 手機(jī)充電管理 主流方案 PMOS
pmos介紹
PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運(yùn)送電流的MOS管
全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor
別名 ： positive MOS
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，柵極上加有足夠的正電壓(源 [ 查看詳細(xì) ]
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