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TI 小貼士：圖例理FET知識(shí)
- 您可以通過周期性地收集大量的ADC輸出轉(zhuǎn)換采樣來生成FFT圖。一般而言，ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
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手把手教你讀懂FET選取合適器件
- 現(xiàn)在；一臺(tái)臺(tái)電源，幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個(gè)電源工程師都用過這東西，或用來逆變；或用來整流；或就當(dāng)個(gè)開關(guān)...
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LinkSwitch-PH系列LED驅(qū)動(dòng)器IC【Power Integrations】
- owerIntegrations推出多款適用于通用照明的全新LinkSwitch-PH系列LED驅(qū)動(dòng)器IC。其新器件的效率最高可達(dá)88%...
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Power Integrations發(fā)布超薄表面貼裝型封裝電源IC
- ???????用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布其行業(yè)領(lǐng)先的TOPSwitch-JX電源轉(zhuǎn)換IC系列新增了創(chuàng)新的eSOP?超薄功率封裝形式。這款全新的超薄表面貼裝型封裝非常適合最大功率在65 W以下、不使用散熱片的緊湊敞開式設(shè)計(jì)，如超薄LCD電視輔助電源、機(jī)頂盒、PC待機(jī)和DVD播放器等產(chǎn)品的電源。
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首爾半導(dǎo)體推出高亮度LED新品加速攻克照明市場
- 今天宣布正式推出高亮度Z-Power LED Z系列新品Z7和 Z6。LED照明市場前景看好，為此，首爾半導(dǎo)體計(jì)劃將每月推出1到2款新品滿足客戶的多樣化需求。 Z-Power LEDZ7系列(4W)是采用特殊的陶瓷PCB生產(chǎn)的高亮度白光LED產(chǎn)品，提供了5500K色溫和440lm照明亮度。值得一提的是，作為可代替P7系列LED產(chǎn)品的Z7系列，以9mm x7mm x 3.2mm的超小型封裝，輕松滿足各類室內(nèi)、室外用照明產(chǎn)品的應(yīng)用需求。 與現(xiàn)有的P7系列產(chǎn)品相比，Z7系列的占位面積大幅減小(僅
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Power Integrations推出集成高壓MOSFET并可實(shí)現(xiàn)功率因數(shù)校正的控制器芯片
- 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產(chǎn)品，一款集成高壓MOSFET并可實(shí)現(xiàn)功率因數(shù)校正(PFC)的控制器芯片。HiperPFS器件采用創(chuàng)新的控制方案，可提高輕載條件下的效率。此外，與使用分立式MOSFET和控制器的設(shè)計(jì)相比，HiperPFS器件能大幅減少元件數(shù)和縮小電路板占用面積，同時(shí)簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)并增強(qiáng)可靠性。HiperPFS器件采用極為緊湊的薄型eSIP?封裝，適合75 W至1 kW的PFC應(yīng)用。
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Power Integrations推出PI Expert Suite V8
- 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日發(fā)布其廣受歡迎的電源設(shè)計(jì)軟件PI Expert Suite的最新版本V8。最新版軟件能夠大幅縮短首個(gè)原型的設(shè)計(jì)時(shí)間，顯著減少在實(shí)現(xiàn)成品之前所需的原型迭代次數(shù)，從而進(jìn)一步提高電源設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)的工作效率。
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Power Integrations推出創(chuàng)新離線式開關(guān)LinkZero-AX
- 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日推出集成離線式開關(guān)IC - LinkZero-AX，新器件能使設(shè)計(jì)師設(shè)計(jì)出零瓦待機(jī)功耗的輔助電源。LinkZero-AX采用創(chuàng)新的斷電模式，可在最終產(chǎn)品閑置時(shí)有效關(guān)斷輔助電源。
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IBM為Power芯片設(shè)計(jì)無電源“深休眠”模式
- IBM正在為Power處理器開發(fā)一種深休眠模式，該模式可以讓芯片在空閑時(shí)幾乎不耗費(fèi)能源。IBM的Power7芯片已經(jīng)有三種休眠模式，分別為 nap，sleep和heavy sleep。這三種模式是否執(zhí)行或執(zhí)行哪種方式由當(dāng)時(shí)處理器的負(fù)載和某應(yīng)用程序能容忍多大的延遲來決定。 這種新的休眠模式會(huì)幾乎完整的切斷處理器的電源，同理，從該模式恢復(fù)過來的時(shí)間也比較長，大約10到20毫秒。 IBM已將這種模式定名為“Winkle”。但哪款芯片將采用新的休眠模式還未可知，官方也沒有更
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MOS-FET開關(guān)電路
- MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強(qiáng)型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡單，如釁5.4-100所示短路開關(guān)對(duì)應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個(gè)電路
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J-FET開關(guān)電路工作原理
- 1、簡單開關(guān)控制電路圖5.4-97為簡單J-FET開關(guān)電路。當(dāng)控制電壓VC高于輸入電壓V1時(shí)，VGS=0，J-FET導(dǎo)通，傳輸信號(hào)至VO；當(dāng)VC比V1足夠負(fù)，VD導(dǎo)通而J-FET截止，VO=0。2、改進(jìn)的J-FET開關(guān)電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
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