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可用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運(yùn)算電路
- 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V，2象限乘法運(yùn)算與幅度調(diào)制（AM）等效，可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化，以TT15、TT16特性相同為前提條件，O
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Vishay幫助客戶進(jìn)一步了解Vishay Dale電阻技術(shù)的先進(jìn)性
- Vishay在官方網(wǎng)站上發(fā)布Power Metal Strip?分流電阻如何應(yīng)用在定制產(chǎn)品中的解決方案的視頻介紹 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術(shù)用于定制產(chǎn)品，滿足特定用戶的需求，Vishay在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)新增加了一個介紹Power Metal Stri
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IBM公司介紹新款多功能處理器Wire-Speed Power
- 在近日舉辦的國際固態(tài)電路研討會ISSCC上，IBM公司介紹了一種定位介于服務(wù)器處理器和網(wǎng)絡(luò)用處理器之間的新型處理器，他們將這種處理器命名為 Wire-Speed Power處理器，這種處理器據(jù)IBM公司稱是面向新的系統(tǒng)級產(chǎn)品市場推出的，其應(yīng)用領(lǐng)域包括網(wǎng)絡(luò)邊緣設(shè)備，服務(wù)器智能化I/O以及分布式運(yùn)算等。 IBM公司負(fù)責(zé)wire-speed架構(gòu)設(shè)計的首席設(shè)計師Charlie Johnson表示：“我認(rèn)為這款產(chǎn)品是IBM有史以來開發(fā)的最復(fù)雜的產(chǎn)品。”IBM方面展示的有關(guān)介紹文件稱
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友達(dá)光電宣布收購FET公司的FED資產(chǎn)及技術(shù)
- 友達(dá)光電1月20日宣布， 與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡稱FET)及FET Japan Inc.(以下簡稱FETJ)簽署資產(chǎn)收購技術(shù)移轉(zhuǎn)協(xié)議，收購FET的場發(fā)射顯示器(field emission displays;FED)技術(shù)，該公司為全球FED技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。友達(dá)在此交易中，將取得FET顯示技術(shù)及材料的專利、技術(shù)、發(fā)明，以及相關(guān)設(shè)備等資產(chǎn)。 FED技術(shù)在快速反應(yīng)時間、高效率、亮度和對比度方面不但能與傳統(tǒng)CRT相
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瞄準(zhǔn)高端市場 友達(dá)將收購FET的部分資產(chǎn)
- 臺灣友達(dá)科技近日宣布，他們已經(jīng)與FET公司以及FET日本公司達(dá)成了協(xié)議，友達(dá)將出資收購FET公司的部分資產(chǎn)，并將因此而獲得FET公司的部分專利技術(shù)。FET公司目前在FED場射顯示技術(shù)(Field Emission Display)領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位，索尼公司目前擁有FET公司39.8%的股份。友達(dá)并表示，其收購的內(nèi)容將包括FED場射面板相 關(guān)技術(shù)專利，F(xiàn)ED技術(shù)實施方案，以及FED面板生產(chǎn)用設(shè)備等。 FED場射面板兼具CRT顯示器和LCD顯示器的優(yōu)勢，其工作原理與CRT顯示器完全相同，同樣采用
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ADI助力Northern Power Systems的風(fēng)輪機(jī)設(shè)計
- 隨著傳統(tǒng)燃料生產(chǎn)和消耗所導(dǎo)致的環(huán)境和經(jīng)濟(jì)問題與日俱增，清潔的可再生能源市場應(yīng)運(yùn)而生。作為一種彌補(bǔ)石油、...
- 關(guān)鍵字： ADI 風(fēng)輪機(jī) Northern Power Systems
XP Power推出低功率絕緣隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器JHM系列
- XP Power 正式宣布推出超緊湊低功率絕緣隔離DC/DC 轉(zhuǎn)換器JHM系列。該系列可選3W和6W的插件式安裝，封裝符合工業(yè)DIP-24引腳標(biāo)準(zhǔn)，并且符合國際醫(yī)療設(shè)備需要滿足的UL / IEC 60601-1 和 CSA-C22.2 No 601.1安規(guī)認(rèn)證。該產(chǎn)品提供3000VAC輸入至輸出絕緣一分鐘，可滿足BF和CF應(yīng)用所需要的次級絕緣要求，5000VAC絕緣可達(dá)10毫秒，可滿足心臟手術(shù)設(shè)備應(yīng)用。任何病人需要接觸到的醫(yī)療器械都需要提供危險電壓的絕緣保護(hù)并且到達(dá)到低漏電流的標(biāo)準(zhǔn)。JHM系列漏電流僅
- 關(guān)鍵字： XP-Power DC/DC 轉(zhuǎn)換器 JHM
“PAC 2009 China”金秋十月北京登場
- 由Power.org 主辦的 Power Architecture Conference(PAC2009)盛會將再次回到中國，大會將于10月14日在北京·柏悅酒店召開。會議將聚焦多用途的Power架構(gòu)技術(shù)平臺以及它繁茂而充滿生機(jī)的生態(tài)系統(tǒng)。 本次大會將亮相基于Power 架構(gòu)的最新產(chǎn)品和解決方案以及來自Power.org的倡議，會議組織方還邀請了業(yè)界頂尖的專家做主題演講并展開討論和交流。 當(dāng)今世界日新月異，根據(jù)需求不斷創(chuàng)新已經(jīng)成為時代發(fā)展的必然。Power Architecture
- 關(guān)鍵字： Freescale 機(jī)頂盒 Power Architecture
砷化鎵外延襯底市場規(guī)模將超過4億美元
- Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預(yù)測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場預(yù)測2008-2013”。報告總結(jié)，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場年增長率達(dá)到22%，但 Strategy Analytics 預(yù)計2009年該市場將持平或轉(zhuǎn)負(fù)增長。借助下一代蜂窩手機(jī)平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來自其它市場對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場在2010年將恢復(fù)增長。 一直
- 關(guān)鍵字： GaAs 外延襯底 FET HBT
T推出具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器，該器件將寬泛的輸入、輕負(fù)載效率以及更小的解決方案尺寸進(jìn)行完美結(jié)合，可實現(xiàn)更高的電源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制機(jī)制的 1 MHz DC/DC 轉(zhuǎn)換器，與同類競爭產(chǎn)品相比，該器件在將外部輸出電容需求數(shù)量降至 32% 的同時，還可實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)。該轉(zhuǎn)換器充分利用自動跳過模式與 Eco-mode 輕負(fù)載控制機(jī)制，幫助設(shè)計人員滿足能量之星/90Plus 標(biāo)準(zhǔn)的要求，從而可實現(xiàn)整個負(fù)載范圍內(nèi)的高
- 關(guān)鍵字： TI FET 轉(zhuǎn)換器 TPS51315
NXP推出N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品
- 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)立的獨(dú)立半導(dǎo)體公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品，型號為PSMN1R2-25YL，它擁有最低的導(dǎo)通電阻RDSon以及一流的FOM 參數(shù)。該產(chǎn)品是迄今為止采用Power-SO8封裝(無損耗封裝：LFPAK)中擁有最低導(dǎo)通電阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦現(xiàn)有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封裝與最新Trench 6硅技術(shù)于一體，可在各種嚴(yán)苛應(yīng)用條件下
- 關(guān)鍵字： NXP MOSFET PSMN1R2-25YL Power-SO8
新型節(jié)能照明電源的控制技術(shù)(07-100)
- 用于建筑照明方面的電力管理解決辦法，如電感熒光燈，電子熒光燈，緊湊型熒光燈(CFL)，鹵素?zé)艨刂萍呻娐芬约案邏簹怏w放電燈(H1D)技術(shù)等, 用于范圍寬廣的居民區(qū)、商業(yè)和汽車中，減少了它們所需要的電力,在節(jié)能方面向前邁進(jìn)了巨大的一步。其控制集成電路中的自適應(yīng)控制技術(shù)和高電壓半導(dǎo)體結(jié)隔離技術(shù)是其中的一部分,獲得了廣泛應(yīng)用。
- 關(guān)鍵字： The control technology of new illuminate power
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