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氮化鎵晶體管的并聯(lián)配置應(yīng)用
- 引言在功率變換器應(yīng)用中，寬帶隙（WBG）技術(shù)日益成為傳統(tǒng)硅晶體管的替代產(chǎn)品。在某些細分市場的應(yīng)用場景中，提升效率極限一或兩個百分點依然關(guān)系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應(yīng)用優(yōu)勢，在這種情況下采用基于氮化鎵（GaN）晶體管的解決方案意義重大。與傳統(tǒng)硅器件相類似，GaN晶體管單位裸片面積同樣受實際生產(chǎn)工藝限制，單個器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率，并聯(lián)配置晶體管已成為設(shè)計工程師可以考慮的選項之一。應(yīng)用晶體管并聯(lián)技術(shù)在最大限度提升變換器輸出功率的同時，也帶來了電路設(shè)計層面的挑戰(zhàn)。并聯(lián)晶體管的
- 關(guān)鍵字： PWM
超低功耗傳感器方案如何賦能智能樓宇
- 當今，物聯(lián)網(wǎng)（loT）的基礎(chǔ)設(shè)施已經(jīng)非常完善，其適用范圍已經(jīng)不局限于服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心，廣泛使用在我們的家居、辦公和工廠。處于物聯(lián)網(wǎng)最外圍的是傳感器，它會將數(shù)據(jù)采集起來并中繼回云服務(wù)或者在本地進行數(shù)據(jù)處理。傳感器是樓宇智能不可缺少的一環(huán)，它可以在無人控制的情況下監(jiān)測控制環(huán)境，帶來非凡的便利性和經(jīng)濟性，這樣當最后一個人離開房間時，智能的樓宇也不會忘記關(guān)燈。傳感器的原型是一種相對簡單的控制系統(tǒng)，比如通過占用檢測和溫度測量來控制供暖和照明，如今該技術(shù)已發(fā)展成熟。對于用戶而言，樓宇變得愈加智能，背后其實是其系統(tǒng)智能
- 關(guān)鍵字： AI PoE PWM
模塊化參考設(shè)計幫助用戶為各種應(yīng)用選擇不同的功能塊 縮短上市時間、節(jié)省BOM成本及資源
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團 近日宣布推出一款48V電動車應(yīng)用成功產(chǎn)品組合解決方案，可幫助用戶加快電動滑板車、電動自行車、混合動力汽車、UPS和儲能系統(tǒng)的開發(fā)。該參考設(shè)計在硬件和軟件中均采用模塊化方法以展示核心及可選功能塊，可用于多種24V-48V應(yīng)用，如割草機、手推車、機器人清潔器、電動工具、移動電源等。該成功產(chǎn)品組合使用了15個瑞薩IC產(chǎn)品，包括三個關(guān)鍵器件：ISL94216 16芯電池前端（BFE）、強健的HIP2211 100V MOSFET驅(qū)動器以及用于電機控制的RX23T 32位
- 關(guān)鍵字： MOSFET PWM BLDC MCU
5A、3.3V和5V電源符合嚴格的EMI輻射標準
- 嚴苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應(yīng)用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會選擇內(nèi)置MOSFET功率開關(guān)的單片式降壓穩(wěn)壓器，與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對較小?？稍诟哳l率（遠高于AM頻段的2 MHz范圍內(nèi)）下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩(wěn)壓器的最小導(dǎo)通時間(TON)較低，則無需中間穩(wěn)壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節(jié)約空間并降低復(fù)雜性。減少最小導(dǎo)通時間需要快速開關(guān)邊沿和最小死區(qū)時間控制，以有效減少開關(guān)損耗并支持高開關(guān)頻率操作
- 關(guān)鍵字： EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET
使用PWM技術(shù)構(gòu)建高性能流量變送器
- 傳感器在測量工廠環(huán)境的過程中，會通過可編程邏輯控制器（PLC）控制整個系統(tǒng)的狀況。典型的測量包括溫度、壓力、流量和液位。在使用流量變送器設(shè)計時可以采取不同技術(shù)，但在此我們來先了解一下PWM技術(shù)。以下討論的PWM技術(shù)是否可以用于實現(xiàn)諸如穩(wěn)定時間迅速且能耗低的功能？環(huán)路供電、4至20 mA輸出現(xiàn)場變送器實際上是過程自動化的行業(yè)標準。出于各類原因，現(xiàn)場變送器使用PWM轉(zhuǎn)4至20mA電路，包括：●? ?簡易性●? ?穩(wěn)健性●? ?成本優(yōu)化隨著新的應(yīng)用要求
- 關(guān)鍵字： OLC PWM
兆易創(chuàng)新發(fā)布GD32E5系列MCU，以Cortex-33內(nèi)核開啟高性能計算新里程
- 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice 近日正式發(fā)布基于全新Arm??Cortex?-M33內(nèi)核的GD32E5系列高性能微控制器。這系列MCU采用臺積電低功耗40納米(40nm)嵌入式閃存工藝構(gòu)建，具備業(yè)界領(lǐng)先的處理能力、功耗效率、連接特性和更經(jīng)濟的開發(fā)成本，進一步推動嵌入式開發(fā)向高精度工業(yè)控制領(lǐng)域擴展，解決數(shù)字電源、電機變頻、測量儀器、混合信號處理、高端消費類應(yīng)用等多種功能集成和工作負載需求。GD32E5產(chǎn)品組合提供了3個通用系列和1個專用系列，4種封裝類型23個型號選擇，目前已經(jīng)
- 關(guān)鍵字： AUP FPU PWM ADC DSP TMU
STOP功能在低噪聲數(shù)據(jù)采集應(yīng)用中的優(yōu)勢
- 電磁噪聲是指任何一種多余的電磁能量，其強度足以使信號失真。因此，設(shè)計高性能數(shù)據(jù)采集應(yīng)用或任何具有特別敏感信號路徑的系統(tǒng)時，必須克服噪聲問題。在電源方面，由于其基本的工作原理，高效的DC/DC轉(zhuǎn)換器可能成為重要的噪聲源。它們既會在轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率處產(chǎn)生低頻紋波，也會產(chǎn)生因轉(zhuǎn)換器功率級中電壓和電流的快速切換而引起的高頻噪聲。與開關(guān)式穩(wěn)壓器結(jié)合使用的降噪技術(shù)示例包括額外的過濾無源元件，諸如緩沖電路、鐵氧體磁珠和饋通電容器，或在電源路徑中包含線性電源，如低壓差穩(wěn)壓器。雖然這些方案在大多數(shù)應(yīng)用中都能很好地發(fā)揮作用，
- 關(guān)鍵字： RF PWM
瑞薩電子推出高可靠高性能100V半橋MOSFET驅(qū)動器
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團近日宣布推出兩款全新100V半橋MOSFET驅(qū)動器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞薩電子備受歡迎的ISL2111橋驅(qū)動器的新一代引腳兼容升級產(chǎn)品；新款HIP2210提供三電平PWM輸入，以簡化電源和電機驅(qū)動器設(shè)計。HIP2211和HIP2210非常適用于48V通訊電源、D類音頻放大器、太陽能逆變器和UPS逆變器。該產(chǎn)品堅固耐用，可為鋰離子電池供電的家用和戶外產(chǎn)品、水泵及冷卻風扇中的48V電機驅(qū)動器供電。HIP221x驅(qū)動器專為嚴苛工作條件下的
- 關(guān)鍵字： MOSFET UPS PWM
意法半導(dǎo)體推出STM32數(shù)字電源生態(tài)系統(tǒng)，加快先進高效電源解決方案開發(fā)過程
- ●? ?D-Power生態(tài)系統(tǒng)匯總了使用STM32微控制器開發(fā)創(chuàng)新的數(shù)字電源所需的資源●? ?STM32 D-Power網(wǎng)站整合嵌入式軟件、開發(fā)套件、演示板、工具，文檔和培訓(xùn)●? ?ST授權(quán)合作伙伴和數(shù)字電源專家Biricha Digital舉辦的開發(fā)實踐研討會橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)，近日推出了基于網(wǎng)站的數(shù)字電源開發(fā)生態(tài)系統(tǒng)，幫助設(shè)計人員用STM32微控制器（MCU
- 關(guān)鍵字： MCU PWM
超低靜態(tài)功耗、內(nèi)置高壓MOS電流型副邊反饋控制芯片 — SCM1733ASA
- 繼分別推出≤5W和5-60W 小功率AC/DC電源控制芯片后，為滿足客戶更廣的應(yīng)用范圍及更低的價格需求，金升陽推出超低靜態(tài)功耗、內(nèi)置高壓MOS且性價比更高的新產(chǎn)品—SCM1733ASA。一、芯片介紹SCM1733ASA 是應(yīng)用于中小功率AC/DC反激式開關(guān)電源的高性能電流模式PWM控制器，內(nèi)置高壓功率MOS，最大輸出功率達20W，待機功耗＜75mW，具有極低的啟動電流和工作電流，可在實現(xiàn)低的損耗的同時保證可靠啟動。芯片滿載工作時，PWM開關(guān)頻率固定；降低負載后，進入綠色模式，開關(guān)頻率降低；在空載和輕載時，
- 關(guān)鍵字： EMI PWM MOS
高功率密度、快速響應(yīng)費控開關(guān)電源控制芯片 — SCM1725A
- “十三五”期間，我國將加快推進智能電網(wǎng)的建設(shè)，國家電網(wǎng)在此期間將會實現(xiàn)智能電表全覆蓋（90%）。為響應(yīng)國家政策，滿足更多客戶的需求，金升陽推出功率密度高、響應(yīng)快速且性價比高的費控開關(guān)電源控制芯片——SCM1725A。一、芯片介紹SCM1725A芯片是一款高性能電流模式PWM的控制芯片，該芯片內(nèi)部集成漏極最低耐壓達650V的2A功率管，高壓啟動引腳通過直接連接電源母線電壓，實現(xiàn)VDD旁路電容的快速充電，同時，在該款芯片啟動短路保護后，VDD電容電壓下降到VDD欠壓點，高壓快速啟動電路重新啟動為VDD旁路電容
- 關(guān)鍵字： PWM 芯片 VDD
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