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三星1000層NAND目標,靠它實現(xiàn)?
- 三星電子計劃實現(xiàn)“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期,V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出,三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroelectrics)實現(xiàn)目標,且可能是關鍵。目前,三星已經推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器,而據(jù)業(yè)內消息,三星計劃于明年推出第10代NAND芯片,采用三重堆疊技術,堆疊層數(shù)將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實現(xiàn)超過1000 TB的存儲容量里程碑,為大數(shù)據(jù)、云計算等領域的發(fā)展提供強大的存儲支持。最新消息是,KAIST的
- 關鍵字: 三星 1000層 NAND
第二季DRAM合約價漲幅上修至13~18%;NAND Flash約15~20%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新預估,第二季DRAM合約價季漲幅將上修至13~18%;NAND Flash合約價季漲幅同步上修至約15~20%,全線產品僅eMMC/UFS價格漲幅較小,約10%。403地震發(fā)生前,TrendForce集邦咨詢原先預估,第二季DRAM合約價季漲幅約3~8%;NAND Flash為13~18%,相較第一季漲幅明顯收斂,當時從合約價先行指標的現(xiàn)貨價格就可看出,現(xiàn)貨價已出現(xiàn)連續(xù)走弱,上漲動能低落、交易量降低等情況。究其原因,主要是除了AI以外的終端需求不振,尤其筆電、智能手機
- 關鍵字: DRAM NAND Flash TrendForce
累計上漲100%還不停!消息稱SK海力士將對內存等漲價 至少上調20%
- 5月6日消息,供應鏈爆料稱,SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產品提價,漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說法,海力士DRAM產品價格從去年第四季度開始逐月上調,目前已累計上漲約60%-100%不等,下半年漲幅將趨緩??恐鎯q價,三星電子2024年第一季營業(yè)利潤達到了6.606萬億韓元。財報顯示,三星電子一季度存儲業(yè)務營收17.49萬億韓元,環(huán)比增長11%,同比暴漲96%,在整體的半導體業(yè)務營收當中的占比高達75.58%。三星表示,一季度存儲市場總體需求強勁,特別是生
- 關鍵字: SK海力士 三星 DDR5 NAND Flash 上漲
群聯(lián)3月營收年增73%,創(chuàng)歷史單月新高紀錄
- 近日,存儲廠商群聯(lián)公布了2024年3月份營運結果,合并營收為新臺幣67.75億元,年成長達73%,刷新歷史單月營收新高紀錄。全年度營收累計至3月份達新臺幣165.26億元,年成長達64%,為歷史同期次高。群聯(lián)表示,2024年3月份SSD控制芯片總累計總出貨量年成長達96%,其中PCIe SSD控制芯片總出貨量年增率達176%,刷新歷史單月新高。此外,全年度累計至3月份之整體NAND閃存位元數(shù)總出貨量的年成長率(Bit Growth Rate)也達80%,刷新歷史同期新高,顯示整體市場需求持續(xù)緩步回升趨勢不
- 關鍵字: 群聯(lián) SSD固態(tài)硬盤 NAND Flash
3D NAND,1000層競爭加速
- 據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報道,日本存儲芯片巨頭鎧俠(Kioxia)首席技術官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布,該公司計劃到2031年批量生產超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知,在所有的電子產品中,NAND閃存應用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展,以SSD為代表的大容量存儲產品需求高漲,堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術后,NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
- 關鍵字: NAND Flash 存儲芯片 鎧俠
第二季NAND Flash合約價季漲13~18%,Enterprise SSD漲幅最高
- TrendForce集邦咨詢表示,除了鎧俠(Kioxia)和西部數(shù)據(jù)(WDC)自今年第一季起提升產能利用率外,其它供應商大致維持低投產策略。盡管第二季NAND Flash采購量較第一季小幅下滑,但整體市場氛圍持續(xù)受供應商庫存降低,以及減產效應影響,預估第二季NAND Flash合約價將強勢上漲約13~18%。eMMC方面,中國智能手機品牌為此波eMMC最大需求來源,由于部分供應商已降低供應此類別產品,中國模組廠出貨大幅提升。買方為了滿足生產需求開始擴大采用模組廠方案,助益中國模組廠技術進一步升級及
- 關鍵字: TrendForce NAND Flash Enterprise SSD
西部數(shù)據(jù)推出針對OEM廠商的全新商用SSD,樹立下一代QLC產品性能標桿
- 數(shù)字化時代的高速發(fā)展要求推動未來技術創(chuàng)新的數(shù)據(jù)存儲也持續(xù)迭代革新。為滿足用戶對于高性能、高可靠性、更大容量及更低成本的多樣化存儲需求,西部數(shù)據(jù)公司近日宣布推出搭載下一代高性能QLC(四級單元)的西部數(shù)據(jù)? PC SN5000S NVMe? SSD,從而為 PC OEM 廠商提供創(chuàng)新的PCIe Gen4x4 存儲解決方案,幫助用戶輕松應對繁重的工作負載。據(jù)IDC[i]預測,到2026年,有超過50%的商用SSD將采用QLC NAND閃存?;诖?,深受市場信賴的高端存儲品牌西部數(shù)據(jù)推出了此次強大的存儲解決方案
- 關鍵字: 西部數(shù)據(jù) 商用SSD QLC
西部數(shù)據(jù)NAND Flash業(yè)務拆分最新進展,新任CEO揭曉
- 月5日,西部數(shù)據(jù)宣布,在NAND Flash業(yè)務拆分后,將保留原名,專注經營核心HDD業(yè)務,并表示這一分拆過程有望在2024年下半年完成。與此同時,將為即將分拆的閃存和傳統(tǒng)硬盤業(yè)務任命CEO。西部數(shù)據(jù)稱,現(xiàn)任西部數(shù)據(jù)全球運營執(zhí)行副總裁 Irving Tan 將出任剩下的獨立 HDD公司的CEO,繼續(xù)以西部數(shù)據(jù)的身份運營。現(xiàn)任CEO David Goeckeler則受命轉往NAND Flash部門成立的新公司,出任新公司執(zhí)行長。圖片來源:西部數(shù)據(jù)西部數(shù)據(jù)與鎧俠合并進展如何?據(jù)悉,自2021年以來,西部數(shù)據(jù)及
- 關鍵字: 閃存芯片 NAND Flash 西部數(shù)據(jù)
2023Q4 NAND 閃存行業(yè)產值環(huán)比增長 24.5%:三星增長 44.8% 居首位
- IT之家 3 月 6 日消息,集邦咨詢近日發(fā)布市場研究報告,表示 2023 年第 4 季度 NAND 閃存產值 114.9 億美元,環(huán)比增長 24.5%,2024 年第 1 季度 NAND 產值將繼續(xù)保持上漲,預估環(huán)比會繼續(xù)增長兩成。三星第四季營收以三星(Samsung)增長幅度最高,主要是服務器、筆記本電腦與智能手機需求均大幅增長。三星該季度出貨量環(huán)比增加 35%,平均銷售價格環(huán)比增加 12%,帶動營收上升至 42 億美元,環(huán)比增加 44.8%。SK 集團SK 集團(SK Group)受惠于價
- 關鍵字: NAND 閃存 存儲 市場分析
一季度 NAND Flash合約價預計上漲15%-20%
- 供應商為了盡量減少損失,正在推高 NAND Flash 價格。
- 關鍵字: NAND Flash
qlc nand介紹
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