qlc nand 文章 進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區(qū)
日本東芝正式退市
- 據(jù)日媒報道，12月20日，日本東芝公司正式退市，結(jié)束其作為一家上市公司74年的歷史。今年8月起，以日本國內(nèi)基金“日本產(chǎn)業(yè)合作伙伴”（JIP）為主的財團(tuán)正式開始向東芝發(fā)起總額約2萬億日元的要約收購。東芝在官網(wǎng)發(fā)布的文件中稱，該財團(tuán)將從普通股東收購剩余股份，將東芝收購為全資子公司。公開資料顯示，東芝創(chuàng)立于1875年，距今已有140多年的歷史。東芝是日本制造業(yè)的代表之一，在家電、電氣、能源、基建等領(lǐng)域都有巨大影響力。此外，東芝還是日本最大的半導(dǎo)體制造商，曾發(fā)明NAND閃存芯片。
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集邦咨詢稱 2024Q1 手機(jī) DRAM、eMMC / UFS 均價環(huán)比增長 18-23%
- IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨詢近日發(fā)布報告，預(yù)估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）環(huán)比增長 18-23%，而且不排除進(jìn)一步拉高的情況。集邦咨詢表示 2024 年第 1 季中國智能手機(jī) OEM 的生產(chǎn)規(guī)劃依然穩(wěn)健，由于存儲器價格漲勢明確，帶動買方積極擴(kuò)大購貨需求，以建設(shè)安全且相對低價的庫存水位。集邦咨詢認(rèn)為買賣雙方庫存降低，加上原廠減產(chǎn)效應(yīng)作用，這兩大因素促成這一波智能手機(jī)存儲器價格的強(qiáng)勁漲勢。集邦咨詢認(rèn)為明年第 1 季
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明年半導(dǎo)體暴增20%，哪些賽道市場回暖？
- 今年的半導(dǎo)體可謂寒風(fēng)瑟瑟，市場下滑的消息從年頭傳到年尾，半導(dǎo)體企業(yè)也疲于應(yīng)對蕭瑟的市場環(huán)境，不斷傳出減產(chǎn)、虧損的消息。熬過冬就是春，最近的半導(dǎo)體市場總算是迎來了一些好消息。IDC 最新的預(yù)測，認(rèn)為半導(dǎo)體市場已經(jīng)觸底，明年開始半導(dǎo)體將會加速恢復(fù)增長。在它的預(yù)測中，2023 年全球半導(dǎo)體市場收入從 5188 億美元上調(diào)至 5265 億美元，2024 年收入預(yù)期也從 6259 億美元上調(diào)至 6328 億美元。到明年，全球半導(dǎo)體收入將同比增長 20.2%。IDC 全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈技術(shù)情報研究經(jīng)理 Rudy Tor
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300層之后，3D NAND的技術(shù)路線圖
- 開發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
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存儲市場前瞻：DDR5 需求顯著增長、AI 崛起讓手機(jī)內(nèi)存邁入 20GB 時代
- IT之家?11 月 24 日消息，由于廠商減產(chǎn)的效果逐漸顯現(xiàn)，以及特定應(yīng)用市場的持續(xù)強(qiáng)勁需求，DRAM 和 NAND 閃存價格在 2023 年第 4 季度呈現(xiàn)全面上漲，并有望持續(xù)到明年第 1 季度。集邦咨詢分析預(yù)估，2023 年第 4 季度移動 DRAM 合約價格預(yù)計上漲 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預(yù)計上漲約 10-15%，上漲趨勢會持續(xù)到 2024 年第 1 季度。移動 DRAM：根據(jù)國外科技媒體 WccFtech 報道，2024 年手機(jī)的一個明顯變化是
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越便宜越?jīng)]人買！全球SSD出貨量暴跌10% 用戶買漲不買跌
- 11月22日消息，據(jù)TrendForce最新報告，2022年全球SSD出貨量為1.14億塊，同比下降10.7%。報告中指出，2021年上半年受到主控IC短缺的影響，SSD出貨量不高；但在2022年下半年供應(yīng)情況已經(jīng)極大緩解，渠道SSD市場恢復(fù)正常供需狀態(tài)。隨著個人電腦和計算機(jī)硬件市場的萎縮，固態(tài)硬盤的需求依然疲軟，而更多的用戶也是買漲不買跌（便宜了還能更便宜，便宜反而買單的人銳減）。TrendForce稱，由于NAND閃存供應(yīng)商積極減產(chǎn)，導(dǎo)致整個行業(yè)價格上漲，市場情緒在2022年第三季度末"迅速
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一文看懂TSV技術(shù)
- 前言從HBM存儲器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場上有許多芯片是用英文稱為TSV構(gòu)建的，TSV是首字母縮寫，TSV（Through Silicon Via）中文為硅通孔技術(shù)。它是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián)，這項技術(shù)是目前唯一的垂直電互聯(lián)技術(shù)，是實現(xiàn)3D先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。在本文中，我們將告訴您它們是什么，它們?nèi)绾喂ぷ饕约八鼈兊挠猛尽Ｔ?000年的第一個月，Santa Clara Universi
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市況好轉(zhuǎn) 內(nèi)存廠Q3獲利嗨
- NAND Flash現(xiàn)貨價于8月中旬反彈，DRAM價格也在9月開始回升，內(nèi)存市況確立好轉(zhuǎn)，帶動內(nèi)存族群獲利能力普遍呈現(xiàn)攀升。觀察第三季內(nèi)存族群財報，內(nèi)存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績。另從毛利率、營利率及稅后純益率三大財務(wù)指標(biāo)來看，第三季財報數(shù)字呈現(xiàn)「三率三升」的內(nèi)存廠商，則有創(chuàng)見、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財務(wù)成績表現(xiàn)亮眼。此外，威剛14日公告10月自結(jié)財務(wù)數(shù)
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2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&東芯半導(dǎo)體股份有限公司
- 在本次展會上，東芯半導(dǎo)體也來到了EEPW的直播間。東芯半導(dǎo)體股份有限公司成立于2014年，作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導(dǎo)體擁有獨立自主的知識產(chǎn)權(quán)，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設(shè)計和銷售，是目前國內(nèi)少數(shù)可以同時提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計工藝和產(chǎn)品方案的存儲芯片研發(fā)設(shè)計公司。2022年EEPW曾有幸采訪過東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳總，這次在2023年慕尼黑華南電子展上，陳總向我們介紹了東芯半導(dǎo)體這次在展會上帶來了全線的產(chǎn)品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前東芯在NAND
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SK 海力士
- 韓國芯片制造商 SK 海力士（SK Hynix）在經(jīng)歷了又一個利潤率和收入下降的季度后，表現(xiàn)得很勇敢，強(qiáng)調(diào)了需求的逐步恢復(fù)，以及在今年早些時候削減資本支出后，計劃在 2024 年增加資本支出。在第三季度財報電話會議上，首席財務(wù)官 Kim Woohyun 指出，對高性能存儲芯片的需求不斷增長，降低了銷售額的下降率。然而旗艦智能手機(jī)的發(fā)布和人工智能服務(wù)器部署的激增推動了芯片需求。"我們相信，內(nèi)存行業(yè)終于度過了嚴(yán)重的低迷期，正在進(jìn)入全面復(fù)蘇階段"。Kim指出，該公司的目標(biāo)是通過考慮投資效率和
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預(yù)估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價均上漲
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%；由于Mobile DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產(chǎn)品低，因此成為本次的領(lǐng)漲項目。季漲幅擴(kuò)大包括幾個原因，供應(yīng)方面：三星擴(kuò)大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等，持續(xù)奠定同業(yè)漲價信心的基礎(chǔ)。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統(tǒng)旺季帶動，華為Mate
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NAND閃存市場，開始洗牌
- 最近，鎧俠和西部數(shù)據(jù)的合并已經(jīng)傳來消息，或?qū)⒂诒驹逻_(dá)成合并協(xié)議。當(dāng)初，業(yè)內(nèi)聽到這兩大存儲企業(yè)的合并是非常驚訝的，畢竟鎧俠在 NAND 領(lǐng)域世界排名第二、西部數(shù)據(jù)排在第四，這兩大巨頭的合并可以震動存儲市場。具體來看一下，目前兩家企業(yè)的合并方式。西部數(shù)據(jù)這邊將拆分 NAND Flash 閃存部門，與鎧俠合并。在合并后成立新的控股公司，在交換新公司所需數(shù)量的股份后，西部數(shù)據(jù)將保留 50.1% 的資產(chǎn)，其余 49.9% 將歸鎧俠所有。新的公司在美國注冊，但總部設(shè)置在日本，并且股票將在美國和東京證劵交易所上市，采用
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傳三星計劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存
- 近日，據(jù)媒體報道，三星電子存儲業(yè)務(wù)主管李政培稱，三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品，希望明年初可以實現(xiàn)量產(chǎn)。三星正在通過增加堆疊層數(shù)、同時降低高度來實現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)最小的單元尺寸。目前，存儲產(chǎn)業(yè)處于緩速復(fù)蘇階段，大廠們正在追求存儲先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)。從當(dāng)前進(jìn)度來看，NAND Flash的堆疊競賽已經(jīng)突破200層大關(guān)：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計劃2024年推出第九代3D NAND（有望達(dá)到280層）。據(jù)悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達(dá)到430層）
- 關(guān)鍵字： 三星 第九代 V-NAND 閃存
三星將擴(kuò)建中國西安的NAND芯片工廠
- 三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝，并開始大規(guī)模擴(kuò)張。據(jù)外媒，三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝，并開始大規(guī)模擴(kuò)張。報道中稱，三星已開始采購最新的半導(dǎo)體設(shè)備，新設(shè)備預(yù)計將在2023年底交付，并于2024年在西安工廠陸續(xù)引進(jìn)可生產(chǎn)236層NAND的設(shè)備。此前消息稱，美國同意三星電子和SK海力士向其位于中國的工廠提供設(shè)備，無需其他許可。據(jù)了解，目前三星西安工廠已成為世界上最大的NAND制造基地，約占了三星NAND總產(chǎn)量的40%。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 西安
三星西安工廠工藝升級獲批，將引進(jìn)236層NAND芯片生產(chǎn)設(shè)備
- 據(jù)悉，三星電子經(jīng)營高層日前做出決定，將升級位于中國西安的 NAND 閃存工廠，為完成工廠制程升級已下單采購最新半導(dǎo)體設(shè)備，或?qū)⒂诮衲昴甑组_始引進(jìn)新設(shè)備。西安工廠是目前三星電子位于海外的唯一內(nèi)存芯片生產(chǎn)基地，2014 年開始投產(chǎn)，經(jīng) 2020 年擴(kuò)建二期項目后，目前每月生產(chǎn) 20 萬張 12 英寸芯片，是全球最大的 NAND 閃存生產(chǎn)基地，占三星電子 NAND 芯片總產(chǎn)量的 40% 以上。三星電子計劃明年在西安工廠內(nèi)部署生產(chǎn) 236 層（第 8 代）NAND 芯片的設(shè)備，并依次完成工藝轉(zhuǎn)換。2022 年 1
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