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          不同產(chǎn)品策略影響NAND供應(yīng)商營收表現(xiàn)

          •   TrendForce旗下記憶儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出,2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對(duì)eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產(chǎn)品策略的不同,營收、利潤等的各項(xiàng)營運(yùn)指標(biāo)也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導(dǎo)入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產(chǎn)品外,除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash,也預(yù)期陸續(xù)自今年第四季開始小量生產(chǎn)。   DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?,受到整體經(jīng)濟(jì)環(huán)境沖擊,智慧型手機(jī)、平板電
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  NAND   

          不同產(chǎn)品策略影響NAND供應(yīng)商營收表現(xiàn)

          •   TrendForce旗下記憶儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出,2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對(duì)eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產(chǎn)品策略的不同,營收、利潤等的各項(xiàng)營運(yùn)指標(biāo)也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導(dǎo)入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產(chǎn)品外,除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash,也預(yù)期陸續(xù)自今年第四季開始小量生產(chǎn)。   DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆艿秸w經(jīng)濟(jì)環(huán)境沖擊,智慧型手機(jī)、平板電
          • 關(guān)鍵字: NAND  英特爾  

          NAND閃存走向發(fā)展死胡同?

          • NAND閃存技術(shù)進(jìn)入發(fā)展的死胡同,工程師開始集中開發(fā)3D NAND
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

          全球新式存儲(chǔ)器大戰(zhàn) 臺(tái)控制芯片廠不缺席

          •   美光(Micron)與英特爾(Intel)合作非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(NVM)新技術(shù)3D XPoint,可取代既有DRAM和NAND Flash芯片,業(yè)界傳出該技術(shù)不僅將導(dǎo)入固態(tài)硬碟(SSD),臺(tái)系NAND Flash控制芯片業(yè)者慧榮更已加入3D XPoint計(jì)劃,成為首家控制芯片供應(yīng)商,2016年搶先導(dǎo)入SSD。不過,相關(guān)消息仍待慧榮正式對(duì)外宣布。   存儲(chǔ)器業(yè)者表示,包括美光和英特爾的IM Flash陣營對(duì)于3D XPoint技術(shù)并未揭露太多資訊,業(yè)界推測可能是一種稱為可變電阻式存儲(chǔ)器(ReRAM)的新
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND   

          海力士拼獲利,3D NAND快閃存儲(chǔ)器9月量產(chǎn)出貨

          •   南韓記憶體大廠SK 海力士周二宣布加入三星、東芝與美光等強(qiáng)敵之列,其3D NAND 快閃記憶體第三季將正式進(jìn)入量產(chǎn)階段,預(yù)計(jì)9月開始對(duì)客戶出貨。   快閃記憶體量產(chǎn)在2D平面微縮制程已遭遇瓶頸,因此走向3D立體堆疊已是大勢所趨。據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo),海力士將優(yōu)先推出固態(tài)硬碟(SSD)用36層記憶體晶片試市場水溫后,48層產(chǎn)品明年才會(huì)投產(chǎn)。 海力士(SK Hynix)上周公布第二季財(cái)報(bào)遜于預(yù)期,受PC用DRAM需求低迷影響,當(dāng)季營業(yè)利潤僅1.37兆韓圜,低于分析師預(yù)估的1.44兆韓圜。 由于PC本季市況依舊
          • 關(guān)鍵字: 海力士  NAND  

          全SSD儲(chǔ)存時(shí)代正式來臨,充分發(fā)揮NAND架構(gòu)優(yōu)勢

          •   幾年前,SSD以其穩(wěn)定、快速,不怕震動(dòng)的特性,前進(jìn)PC產(chǎn)業(yè)的儲(chǔ)存市場,獲得許多電腦玩家的青睞。只不過,當(dāng)時(shí)SSD與HDD每GB的價(jià)格,換算下來仍有一段不小的價(jià)差。而現(xiàn)在,隨著成本更低廉的TLC架構(gòu)問世,SSD在價(jià)格方面已經(jīng)逼近傳統(tǒng)HDD。挾著NAND Flash穩(wěn)定、高速、低耗能的優(yōu)勢特色,SSD不只在PC市場快速普及,下一步更將前進(jìn)資料中心、數(shù)位看板、POS機(jī)等商用市場。   SanDisk:SSD全面進(jìn)占資料中心   當(dāng)云端應(yīng)用已經(jīng)成為重要產(chǎn)業(yè)趨勢,相關(guān)的基礎(chǔ)設(shè)備趕上這樣的趨勢,也成為了一種必
          • 關(guān)鍵字: SSD  NAND  

          走進(jìn)三星半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線:打造綠色經(jīng)營系統(tǒng)

          •   陜西西安的三星(中國)半導(dǎo)體有限公司剛成立不久,公司園區(qū)內(nèi)部假山流水,綠樹成蔭,人工湖內(nèi)魚兒游來游去。這里生產(chǎn)世界最先進(jìn)技術(shù)的產(chǎn)品——10納米級(jí)NAND 閃存芯片(V-NAND)。   對(duì)三星半導(dǎo)體來說,引導(dǎo)社會(huì)未來發(fā)展的不僅僅是生產(chǎn)全球最先進(jìn)的產(chǎn)品,同時(shí)也包括在環(huán)保方面打造世界最高水平的綠色經(jīng)營系統(tǒng)(G-EHS)。   形成半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈   三星半導(dǎo)體工廠所在的地方,原本是空曠的野外,現(xiàn)正在變成發(fā)達(dá)的電子產(chǎn)業(yè)基地。   西安是三星電子海外芯片生產(chǎn)線投資規(guī)模最大的一個(gè)
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND   

          傳三星出手 搶iPhone6S NAND Flash訂單

          • 三星發(fā)展半導(dǎo)體事業(yè),看上蘋果搖錢樹,拼盡全力狂搶訂單。
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  

          三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)

          •   2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場中的3D V-NAND占比達(dá)10%,為當(dāng)初預(yù)期的3倍以上,預(yù)料到了2016年,占比將進(jìn)一步提升至40%,三星電子(Samsung Electronics)將成市場最大贏家。   據(jù)韓媒Money Today報(bào)導(dǎo),逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD,發(fā)展重心開始愈來愈偏向3D V-NAND。三星2013年領(lǐng)先全球率先推出3D V-NAND后,目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。   據(jù)市調(diào)業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計(jì)資料,如果以數(shù)量而言,2015年企業(yè)用SSD
          • 關(guān)鍵字: 三星   V-NAND  

          平面架構(gòu)1x納米NAND揭密!

          •   過去的一年半以來,主要NAND快閃記憶體制造商已經(jīng)開始銷售1x奈米等級(jí)的平面快閃記憶體;根據(jù)我們調(diào)查開放市場上所銷售元件的供應(yīng)來源,美光(Micron)是從2014年2月開始供應(yīng)1x奈米元件的第一家記憶體廠商,隨后是在同年10月推出產(chǎn)品的SK海力士(Hynix)。在近六個(gè)月之后,TechInsights實(shí)驗(yàn)室才出現(xiàn)三星(Samsung) 16奈米與東芝(Toshiba) 15奈米產(chǎn)品。   針對(duì)平面NAND快閃記憶體的微影尺寸終點(diǎn),在文獻(xiàn)中已經(jīng)有很多討論;其替代方案是垂直堆疊式的快閃記憶體,例如三星
          • 關(guān)鍵字: NAND  SK海力士  

          東芝、宜鼎搶進(jìn)NAND Flash儲(chǔ)存陣列商機(jī)

          •   宜鼎和東芝成立臺(tái)灣首家進(jìn)軍快閃存儲(chǔ)器陣列的供應(yīng)商,分食云端儲(chǔ)存商機(jī)。李建梁攝東芝(Toshiba)、美超微(Supermicro)、宜鼎國際臺(tái)美日聯(lián)手炒熱云端儲(chǔ)存商機(jī),三大廠力拱的快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存陣列(NAND Flash Array)公司捷鼎國際(AccelStor)即將在周四(25日)首次舉行“高速資料儲(chǔ)存新疆界:AccelStor NeoSapphire快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存陣列與企業(yè)應(yīng)用解決方案”研討會(huì),邀請(qǐng)中華電信董事長蔡力行親自出馬,為捷鼎提出的NAND Flash陣列解決方
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

          蘋果要用?三星西安半導(dǎo)體工廠傳擴(kuò)產(chǎn) 50%

          •   南韓媒體中央日?qǐng)?bào)日文版 19 日?qǐng)?bào)導(dǎo),因固態(tài)硬碟(SSD)需求提振 3D 架構(gòu)的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)需求呈現(xiàn)急速增長,故三星電子(Samsung)計(jì)劃把生產(chǎn) 3D NAND 的中國西安半導(dǎo)體工廠產(chǎn)量較現(xiàn)行擴(kuò)增 50%。報(bào)導(dǎo)指出,據(jù)熟知三星事務(wù)的關(guān)系人士透露,目前三星西安工廠晶圓月產(chǎn)量為 4-5 萬片,而三星計(jì)劃于今年內(nèi)將其產(chǎn)量提高 5 成(增加 2 萬片)至 6-7 萬片。   據(jù) 報(bào)導(dǎo),三星于去年 5 月開始量產(chǎn) 3D NAND,為目前唯一導(dǎo)入量產(chǎn)的廠商,且三星計(jì)劃
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND   

          臺(tái)美日首度合體搶SSD 東芝、宜鼎、美超微成立合資公司

          •   宜鼎國際布局云端SSD市場,找來美超微和東芝一起搶商機(jī)。李建梁攝云端NAND Flash儲(chǔ)存陣列市場需求即將大爆發(fā),美商都已卡好位,臺(tái)灣也拿到第一張參與競賽的門票。由日商?hào)|芝(Toshiba)、美商美超微(Supermicro),以及臺(tái)系存儲(chǔ)器模組廠宜鼎國際三方合資的新公司正式成立,臺(tái)方掌握主導(dǎo)權(quán),由于首波客戶瞄準(zhǔn)金融和電信業(yè)者,因此邀請(qǐng)101董事長宋文琪夫婿徐善可擔(dān)任董事長。   一般講到云端儲(chǔ)存商機(jī),第一個(gè)聯(lián)想到固態(tài)硬碟(SSD),這是NAND Flash大廠如三星電子(Samsung Elec
          • 關(guān)鍵字: SSD  NAND   

          分析師:IC與PC第二季全球市場需求皆衰弱

          •   根據(jù)德意志銀行(Deutsche Bank)的分析報(bào)告, 2015年第二季全球市場對(duì)半導(dǎo)體元件的需求持續(xù)疲弱,主因是部分亞洲PC組裝業(yè)者表示,部分零組件的采購量與 2014年同季相較,減少了15~20%;不過在近五年拜訪了近30家臺(tái)灣、韓國與日本業(yè)者的該銀行分析師指出:“iPhone供應(yīng)鏈與汽車市場仍然是表現(xiàn)亮眼。”   德意志銀行的報(bào)告也顯示,平板電腦、電視以及許多Android手機(jī)的晶片需求亦呈現(xiàn)衰弱,該銀行對(duì)整體晶片產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域發(fā)展的評(píng)等為中性。“在中國智慧型手
          • 關(guān)鍵字: PC  NAND  

          Flash廠力推 3D NAND明年全面滲透消費(fèi)性SSD

          •   在三星(Samsung)、美光(Micron)、SK Hynix及東芝(Toshiba)等快閃記憶體大廠力拱下,消費(fèi)性固態(tài)硬碟(SDD)及用戶端(Client)SSD產(chǎn)品預(yù)計(jì)將自今年下半年開始加速采用更高性價(jià)比的3D NAND方案,并可望在2016年完全進(jìn)入3D世代;而企業(yè)與資料中心應(yīng)用由于對(duì)SSD可靠度要求等級(jí)較高,預(yù)估將自2016下半年后才會(huì)轉(zhuǎn)換至3D NAND規(guī)格。   
          • 關(guān)鍵字: NAND  SSD  
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