qlc nand 文章 進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區(qū)
三星 NAND 市占下滑,大陸供應(yīng)鏈威脅來勢洶洶
- 中國政府積極扶植半導(dǎo)體,南韓三星倍感威脅,最新數(shù)據(jù)顯示三星 NAND 快閃記憶體的市占率被剛間接染紅的 SanDisk 搶走,更讓韓廠感受到紅色供應(yīng)鏈的威脅儼然已兵臨城下。 DRAMeXchange 第三季統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,三星 NAND 記憶體市占率為 31.5%,較去年同期下滑 1.1 個(gè)百分點(diǎn),與此同時(shí),東芝上升 1.4 個(gè)百分點(diǎn)至 20.5%,Sandisk 更是成長 2 個(gè)百分點(diǎn)至 15.4%。(yonhapnews.com) 中國清華紫光集團(tuán)目前為硬碟大廠 WD(Western D
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TrendForce:第三季NAND Flash價(jià)格下滑加劇,整體營收成長趨緩
- TrendForce旗下存儲(chǔ)事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查報(bào)告顯示,第三季NAND Flash價(jià)格下滑速度加快,整體營收僅較第二季成長約2.4%。DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆谌驹瓤春玫耐拘?yīng)需求并未出現(xiàn),來自于總體經(jīng)濟(jì)面的雜音讓各種NAND Flash終端需求銷售不如預(yù)期,也讓第三季整體NAND Flash市場呈現(xiàn)供過于求的格局,價(jià)格下滑的力道加強(qiáng)也讓廠商營收成長與利潤保衛(wèi)面臨挑戰(zhàn),第四季供過于求的情況將持續(xù),營收再度成長的動(dòng)能也備受考驗(yàn)。
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紫光暫時(shí)擱置投資臺(tái)廠 正與美芯片廠談判
- 紫光集團(tuán)董事長趙偉國表示,將暫時(shí)擱置對(duì)臺(tái)灣科技公司的投資計(jì)畫。紫光目前重點(diǎn)是五年內(nèi)投資人民幣3,000億元(約新臺(tái)幣1.5兆元),打造成為全球第三大晶圓制造廠,且目前正與美國一家芯片公司談判中。 稍早趙偉國提出愿將旗下展訊、銳迪科與聯(lián)發(fā)科合并,共同對(duì)抗美國芯片大廠高通,并布建“從芯到云”相關(guān)產(chǎn)業(yè)重要零組件,先前趙偉國來臺(tái),還曾密會(huì)NAND控制IC大廠群聯(lián)董事長潘建成。 市場先前解讀,趙偉國頻頻對(duì)臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)業(yè)釋出友善態(tài)度,若日后陸資投資我IC設(shè)計(jì)業(yè)規(guī)范松綁,紫光結(jié)盟
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中國NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整
- 研究機(jī)構(gòu)TrendForce表示,隨著清華紫光投資NAND Flash儲(chǔ)存相關(guān)公司的腳步加快,以及中國半導(dǎo)體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整,中國業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來越關(guān)鍵。 TrendForce 旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?,雖然NAND Flash短期內(nèi)受到供過于求的影響呈現(xiàn)較為疲軟的格局,但長遠(yuǎn)來看,NAND Flash的相關(guān)應(yīng)用成長依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見度越來愈高,NAND Flash成為未來儲(chǔ)存
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因應(yīng)中國市場需求 Intel大連廠轉(zhuǎn)生產(chǎn)3D NAND
- 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)龍頭英特爾(Intel)日前宣布與中國的大連市政府配合,將原先以65奈米制程生產(chǎn)處理器晶片的中國大連廠,轉(zhuǎn)型為生產(chǎn)最新的3D-NAND Flash 晶片,總投資金額高達(dá)55億美元,預(yù)計(jì)于明年下半年開始量產(chǎn)。 根據(jù)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新公布數(shù)據(jù),2015年整體中國市場NAND Flash總消耗量換算產(chǎn)值高達(dá)66.7億美元,占全球產(chǎn)值29.1%,明年更可望達(dá)到全球NAND Flash產(chǎn)量的三分之一,成長幅度十分驚人。 DRAMeXchan
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研調(diào):陸今年DRAM、NAND總消化量估占全球22%及29%
- TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新研究顯示,由于中國大陸內(nèi)需市場胃納量龐大,在伺服器以及智慧型手機(jī)的出貨需求持續(xù)攀升,預(yù)估今(2015)年中國內(nèi)需市場在DRAM與NAND的總消化量換算產(chǎn)值高達(dá)120億與66.7億美元,分別占全球產(chǎn)值的21.6%與29.1%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,從DRAM需求觀察,近年來中國品牌不論在個(gè)人電腦或是智慧型手機(jī)領(lǐng)域出貨量不斷增長。其中,聯(lián)想(0992.HK)在個(gè)人電腦市場與第一名的惠普出貨量在伯仲之間,并穩(wěn)居
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全新賽普拉斯SLC NAND閃存系列可降低系統(tǒng)成本,提升系統(tǒng)安全性
- 全球嵌入式系統(tǒng)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司今日宣布推出面向高安全應(yīng)用的單層單元(SLC)NAND閃存系列。此前,高安全應(yīng)用的設(shè)計(jì)者一直使用帶有分區(qū)保護(hù)的NOR閃存存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼,并利用商用級(jí)SLC NAND閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)固件和應(yīng)用。全新的賽普拉斯SecureNAND™閃存系列通過為機(jī)頂盒、POS機(jī)、可穿戴設(shè)備和其他高安全應(yīng)用提供帶有集成式分區(qū)保護(hù)特性的單一非易失性內(nèi)存,可幫助用戶降低系統(tǒng)成本,提高系統(tǒng)的安全性。 賽普拉斯SecureNAND系列包括1Gb、2Gb和4Gb閃存,所有
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今年推兩款存儲(chǔ)芯片 美光現(xiàn)轉(zhuǎn)機(jī)
- 《巴倫周刊》(Barron’s)報(bào)導(dǎo)指出,半導(dǎo)體廠商美光(Micron)盡管今年以來遭遇股價(jià)蒸發(fā)近半,但仍有許多投資人看多,原因在于訂于今年問世 的兩款記憶晶片──新一代3D NAND快閃記憶體與新款3D XPoint,鎖定手機(jī)應(yīng)用程式市場和大數(shù)據(jù)分析領(lǐng)域,料將大幅提升美光利潤率。 兩款晶片系與英特爾合作研發(fā)。前者料增進(jìn)美光2016年?duì)I收與凈利,而后者料自2018年起占美光營收比明顯擴(kuò)大。 有看多美光者預(yù)測,股價(jià)可能于1年間上漲逾6成,達(dá)每股30美元。較保守的假設(shè)為,1年間上漲
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紫光“三星化”壯大:企業(yè)合作找龍頭 人才招募選精英
- 中國半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)芯謀研究 (ICwise) 4 日在《微博》放話,“這兩天半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)會(huì)有重大新聞”,5 日正式發(fā)文,表示臺(tái)灣南亞科總經(jīng)理高啟全將離職,加入中國紫光集團(tuán),負(fù)責(zé)半導(dǎo)體儲(chǔ)存業(yè)務(wù)。消息一出,果然在臺(tái)灣帶來震撼。外界也好奇,近來動(dòng)作頻頻的紫光集團(tuán),究竟有什么背景與能耐,在半導(dǎo)體行業(yè)到處“興風(fēng)作浪”? ■紫光發(fā)展簡歷 依紫光集團(tuán)官網(wǎng)簡介,紫光的前身是中國清華大學(xué)在 1988 年所成立的科技開發(fā)公司,并在 1993 年改組為清華紫光 (集
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東芝財(cái)報(bào)風(fēng)波長期恐將損及NAND事業(yè)
- 東芝(Toshiba)財(cái)報(bào)不實(shí)風(fēng)波雖未涉及目前東芝利潤最高的NAND快閃存儲(chǔ)器部門,但日媒體日經(jīng)Tech-On訪問日本半導(dǎo)體界人士,卻表示長期終將損害快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品競爭力。 目前東芝半導(dǎo)體事業(yè)主力NAND存儲(chǔ)器產(chǎn)品,由于移動(dòng)裝置需求持續(xù)成長,銷售量不斷增大,為日本少數(shù)仍名列前茅且具世界競爭力的半導(dǎo)體產(chǎn)品;但這項(xiàng)產(chǎn)品需要大量資金持續(xù)投資才能保持領(lǐng)先,受企業(yè)財(cái)務(wù)狀況影響比其他半導(dǎo)體產(chǎn)品更大。 現(xiàn)在東芝碰上財(cái)務(wù)問題,對(duì)NAND快閃存儲(chǔ)器的投資必然受到影響,雖說新社長室町正志出身半導(dǎo)體事業(yè),對(duì)這個(gè)
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FinFET/3D NAND前景亮 推升半導(dǎo)體設(shè)備需求
- 鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實(shí)現(xiàn)更高運(yùn)算/儲(chǔ)存效能、低耗電量與低成本,滿足車載裝置、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴式裝置發(fā)展需求,因此半導(dǎo)體設(shè)備商應(yīng)用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長的潛力,已研發(fā)相關(guān)的蝕刻機(jī)臺(tái)和磊晶技術(shù)。 應(yīng)用材料副總裁兼臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸指出,隨著先進(jìn)制程發(fā)展,該公司產(chǎn)品開發(fā)有兩大重點(diǎn)方向,一是電晶體與導(dǎo)線技術(shù),另一個(gè)是圖形制作與檢測技術(shù)。 應(yīng)用材料副總裁兼臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸表示,從28奈米到20奈米,甚至發(fā)展至16/14奈
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美光2016 資本支出大增至53億美元,市場冷淡
- 內(nèi)存大廠美光 14 日舉辦 2015 年夏季分析師會(huì)議(Analyst Conference),會(huì)中宣布 2016 會(huì)計(jì)年度資本支出將增加為 53 億至 58 億美元,但盡管美光砸錢拚研發(fā)與產(chǎn)能,市場似乎對(duì)內(nèi)存前景不具信心,當(dāng)日股價(jià)仍小跌了 4%、77分美元,收在 16.93 美元。 美光財(cái)務(wù)長 Ernie Maddock 在會(huì)中公布 2016 會(huì)計(jì)年度的資本支出將達(dá) 53 億至 58 億美元。反觀即將在本月底結(jié)束的 2015 年會(huì)計(jì)年度,資本支出僅介于 36 億美元至 40 億美元,再往回推至
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)qlc nand的理解,并與今后在此搜索qlc nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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