qlc nand 文章進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區(qū)

三星擬明年投資60億美元擴(kuò)大芯片業(yè)務(wù)

　　北京時(shí)間12月2日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，《韓國(guó)先驅(qū)報(bào)》援引匿名消息人士的話報(bào)道稱(chēng)，三星2010年計(jì)劃投資約7萬(wàn)億韓元(約合60億美元)擴(kuò)大芯片業(yè)務(wù)。　　消息稱(chēng)，其中約5萬(wàn)億韓元(約合43億美元)將用于擴(kuò)大DRAM芯片業(yè)務(wù)，2萬(wàn)億(約合17億美元)韓元將用于擴(kuò)大NAND閃存和邏輯芯片業(yè)務(wù)。　　三星2010年芯片投資將比2009年的4萬(wàn)億韓元(約合34億美元)高75%。10月份發(fā)布第三季度財(cái)報(bào)時(shí)，三星曾表示明年芯片投資將超過(guò)5.5萬(wàn)億韓元(約合47億美元)。
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某閃存廠商指控蘋(píng)果在閃存市場(chǎng)上“欺行霸市”

　　近日，有某匿名廠商指控蘋(píng)果在NAND閃存市場(chǎng)上“欺行霸市”，威逼閃存廠商。該廠商指蘋(píng)果經(jīng)常向韓系三星，海力士等廠商超額訂貨。《韓國(guó)時(shí)報(bào)》還報(bào)道稱(chēng)蘋(píng)果經(jīng)常采取等待閃存由于供過(guò)于求而出現(xiàn)價(jià)格下降時(shí)，才采購(gòu)少量閃存的采購(gòu)策略，這很容易導(dǎo)致閃存廠商的庫(kù)存再次出現(xiàn)積壓現(xiàn)象。　　由于海力士與三星兩家廠商的閃存業(yè)務(wù)對(duì)蘋(píng)果依賴(lài)甚大，因此他們對(duì)蘋(píng)果的這種策略可謂敢怒不敢言，只好被迫接受蘋(píng)果將簽訂的長(zhǎng)期訂貨協(xié)約價(jià)下調(diào)4%。這家未具名廠商的高管指這種行為“極為不合理”。
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三星宣布開(kāi)始量產(chǎn)兩種30nm制程N(yùn)AND閃存芯片

　　三星近日宣布將開(kāi)始量產(chǎn)兩款30nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類(lèi)似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司宣稱(chēng)，這種產(chǎn)品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可達(dá)133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達(dá)到40Mbps的水平。　　即便將這種芯片應(yīng)用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率，同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產(chǎn)品既適合智能手機(jī)，便攜多媒體播放器等產(chǎn)品，也同樣適用于SSD硬盤(pán)等設(shè)備。　　另外一款三
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NAND記憶卡需求轉(zhuǎn)強(qiáng) 封測(cè)產(chǎn)能缺到明年初

　　據(jù)悉，包括三星、LG、諾基亞等手機(jī)大廠第四季將上市銷(xiāo)售的手機(jī)，已將MicroSD等NAND記憶卡列為標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)建配備，加上消費(fèi)者擴(kuò)充手機(jī)記憶卡的需求也明顯轉(zhuǎn)強(qiáng)，帶動(dòng)第四季記憶卡銷(xiāo)售量大增。力成董事長(zhǎng)蔡篤恭表示，MicroSD記憶卡封測(cè)產(chǎn)能吃緊現(xiàn)象將延續(xù)到明年1、2月。　　NAND晶片大廠三星下半年開(kāi)始跨足記憶卡市場(chǎng)，并與創(chuàng)見(jiàn)合作銷(xiāo)售，新帝(SanDisk)也傳出介入貼牌白卡市場(chǎng)，只是手機(jī)用小型記憶卡需采用較先進(jìn)的基板打線封裝(COB)制程，但兩家大廠自有封測(cè)廠產(chǎn)能已多年未曾擴(kuò)充，因此8、9月后已大量將
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內(nèi)存廠商:SSD將在2011年成為主流

　　臺(tái)灣DigiTimes報(bào)道，數(shù)家內(nèi)存廠商最近聚集在臺(tái)北探索建立對(duì)大陸和臺(tái)灣的固態(tài)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)共同標(biāo)準(zhǔn)，與會(huì)者們預(yù)計(jì)隨著制程逐漸過(guò)渡到20nm，NAND閃存價(jià)格將出現(xiàn)大幅下跌，最終實(shí)現(xiàn)一個(gè)可負(fù)擔(dān)的水平，不過(guò)這一時(shí)間點(diǎn)被認(rèn)為是2011年以后。　　此外，來(lái)自大陸的工業(yè)代表敦促盡快發(fā)展和規(guī)范SSD的規(guī)格，以解決來(lái)自國(guó)際供應(yīng)商控制的核心技術(shù)。　　去年Fusion-io公司首席科學(xué)家Steven Wozniak曾表示，他并不認(rèn)為SSD硬盤(pán)會(huì)很快就能替換普通硬盤(pán)。不過(guò)由于SSD硬盤(pán)功耗更低，同時(shí)性能更高，也不需
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蘋(píng)果NAND Flash減單　三星、新帝策略轉(zhuǎn)向

　　由于傳出大客戶(hù)蘋(píng)果(Apple)開(kāi)始減少下單，加上原本三星電子(Samsung Electronics)供應(yīng)NAND Flash數(shù)量相當(dāng)有限，12月供應(yīng)量控制亦開(kāi)始松動(dòng)，以及白牌記憶卡在市面上流通數(shù)量增加，使得淡季需求明顯反映在現(xiàn)貨及合約價(jià)上，近2個(gè)月NAND Flash價(jià)格從高檔連續(xù)緩跌，累計(jì)回檔幅度相當(dāng)深。不過(guò)，多數(shù)存儲(chǔ)器業(yè)者認(rèn)為，由于價(jià)格跌幅已大，預(yù)計(jì)后續(xù)再大跌機(jī)率不大，25日NAND Flash 11月下旬合約價(jià)開(kāi)出，便呈現(xiàn)持平到小跌局面。　　存儲(chǔ)器業(yè)者表示，蘋(píng)果對(duì)于NAND Flash供
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NAND成本優(yōu)勢(shì)明顯，NOR成明日黃花

　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)水清木華日前發(fā)布“2009年手機(jī)內(nèi)存行業(yè)研究報(bào)告”指出，NOR閃存在512Mb是個(gè)門(mén)檻。高于350Mb，NOR閃存的成本飛速增加。同時(shí)，NOR閃存的應(yīng)用領(lǐng)域單一，應(yīng)用廠家很少;而NAND閃存則容量越大，成本優(yōu)勢(shì)越明顯，應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛，應(yīng)用廠家也多。手機(jī)市場(chǎng)變化迅速，現(xiàn)在每一款手機(jī)的生命周期通常都小于5年，NOR最強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì)“長(zhǎng)壽”也不復(fù)存在。盡管NOR閃存的成本在進(jìn)入65納米后也大幅度下降，但是專(zhuān)心NOR領(lǐng)域的只有Spansion。而NAND
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恒憶躍居世界最大NOR閃存供應(yīng)商

　　盡管IC產(chǎn)業(yè)在步入2009年的時(shí)候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經(jīng)濟(jì)危機(jī)影響的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)終于看到了復(fù)蘇的曙光。面對(duì)市場(chǎng)可預(yù)期的需求增長(zhǎng)，恒憶 (Numonyx) 通過(guò)兩方面的舉措響應(yīng)市場(chǎng)需求，擴(kuò)充產(chǎn)能。一是通過(guò)從高節(jié)點(diǎn)技術(shù)向低節(jié)點(diǎn)技術(shù)的制程升級(jí)，進(jìn)一步擴(kuò)大位級(jí)產(chǎn)能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(chǎn)(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢(shì)，與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產(chǎn)能。　　展望2010年的市場(chǎng)前景，主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)及渠道的銷(xiāo)售副總裁龔翊表示：“作為全球存儲(chǔ)器解
關(guān)鍵字： Numonyx NAND NOR閃存 PCM

恒憶樂(lè)觀展望2010年發(fā)展前景

　　盡管 IC 產(chǎn)業(yè)在步入 2009 年的時(shí)候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經(jīng)濟(jì)危機(jī)影響的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)終于看到了復(fù)蘇的曙光。面對(duì)市場(chǎng)可預(yù)期的需求增長(zhǎng)，恒憶 (Numonyx) 通過(guò)兩方面的舉措響應(yīng)市場(chǎng)需求，擴(kuò)充產(chǎn)能。一是通過(guò)從高節(jié)點(diǎn)技術(shù)向低節(jié)點(diǎn)技術(shù)的制程升級(jí)，進(jìn)一步擴(kuò)大位級(jí)產(chǎn)能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(chǎn)(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢(shì)，與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產(chǎn)能。　　展望2010年的市場(chǎng)前景，主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)及渠道的銷(xiāo)售副總裁龔翊表示：“作為全球
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手機(jī)內(nèi)存：NAND優(yōu)勢(shì)愈加明顯，NOR風(fēng)光不再

　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)水清木華日前發(fā)布"2009年手機(jī)內(nèi)存行業(yè)研究報(bào)告"指出,NOR閃存在512Mb是個(gè)門(mén)檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時(shí),NOR閃存的應(yīng)用領(lǐng)域單一,應(yīng)用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢(shì)越明顯,應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛,應(yīng)用廠家也多.手機(jī)市場(chǎng)變化迅速,現(xiàn)在每一款手機(jī)的生命周期通常都小于5年,NOR最強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì)"長(zhǎng)壽"也不復(fù)存在.盡管NOR閃存的成本在進(jìn)入65納米后也大幅度下降,但是專(zhuān)心NOR領(lǐng)域的只有Spansion.而NAND領(lǐng)域,三
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IEEE：NAND閃存技術(shù)將在十年之內(nèi)遭遇技術(shù)極限

　　《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學(xué)教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，看它們到2020年的時(shí)候能否在單位容量成本上超越機(jī)械硬盤(pán)，結(jié)果選出了兩個(gè)最有希望的候選者：相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)(PCRAM)、自旋極化隨機(jī)存取存儲(chǔ)(STTRAM)。　　PCRAM我們偶爾會(huì)有所耳聞。它基于硫系玻璃的結(jié)晶態(tài)和非結(jié)晶態(tài)相變屬性，單元尺寸較小，而且每個(gè)單元內(nèi)能保存多個(gè)比特，因此存儲(chǔ)密度和成本
關(guān)鍵字： NAND 閃存相變存儲(chǔ)

TIMC與DRAM產(chǎn)業(yè)再造計(jì)劃

　　2008年DRAM產(chǎn)業(yè)跌落谷底，臺(tái)灣DRAM廠開(kāi)門(mén)做生意平均每天虧新臺(tái)幣1億元，且龐大的負(fù)債成為臺(tái)灣科技產(chǎn)業(yè)的巨大問(wèn)題，因此經(jīng)濟(jì)部為挽救臺(tái)灣內(nèi)存演產(chǎn)業(yè)，宣布要進(jìn)行產(chǎn)業(yè)再造，成立臺(tái)灣內(nèi)存公司(Taiwan Memory Company;TMC)，之后因?yàn)榇嗣忠驯黄渌咀?cè)，因此改名為T(mén)aiwan Innovation Memory Company，簡(jiǎn)稱(chēng)為T(mén)IMC。　　TIMC正式于2009年7月31日登記成立，董事長(zhǎng)為聯(lián)電榮譽(yù)副董事長(zhǎng)宣明智，帶領(lǐng)臺(tái)灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)再造的任務(wù)，目的在于協(xié)助臺(tái)灣DRAM產(chǎn)
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美光推出NAND與低功率DRAM多芯片封裝產(chǎn)品

　　美光科技股份有限公司日前宣布，該公司將業(yè)界一流的34納米4Gb單層單元NAND閃存與50納米2Gb LPDDR相結(jié)合，生產(chǎn)出了市場(chǎng)上最先進(jìn)的NAND-LPDDR多芯片封裝組合產(chǎn)品。美光新推出的4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝產(chǎn)品以智能手機(jī)、個(gè)人媒體播放器和新興的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備為應(yīng)用目標(biāo)。較小的外形尺寸、低成本和節(jié)能是這類(lèi)應(yīng)用的核心特色。　　美光公司目前向客戶(hù)推出4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝試用產(chǎn)品，預(yù)計(jì)于2010年初投入量產(chǎn)。4Gb NAND-2Gb LPDDR組合
關(guān)鍵字：美光 NAND 34納米智能手機(jī)

三星：2010存儲(chǔ)芯片將出現(xiàn)小規(guī)模短缺情況

　　10月28日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球最大的記憶體芯片制造商韓國(guó)三星電子周三表示，該公司目標(biāo)要在三年內(nèi)將半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營(yíng)收提高逾50%，并對(duì)2010年記憶體市場(chǎng)發(fā)表樂(lè)觀的看法。　　三星電子將在周五公布第三季財(cái)報(bào)。該公司估計(jì)，今年半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營(yíng)收為166億美元，并稱(chēng)目標(biāo)要在2012年達(dá)到255億美元營(yíng)收。　　三星指出，明年動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)和NAND快閃記憶體(閃存)芯片將出現(xiàn)小規(guī)模短缺情況。　　韓國(guó)三星半導(dǎo)體事業(yè)群總裁勸五鉉在一項(xiàng)高層主管會(huì)議上發(fā)表上述預(yù)估，公司發(fā)言人士也確認(rèn)了這項(xiàng)消
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Intel宣布一項(xiàng)技術(shù)突破內(nèi)存加工工藝可縮小到5納米

　　英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項(xiàng)新技術(shù).這兩家公司稱(chēng),這種新技術(shù)將使非易失性存儲(chǔ)器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本. 　　英特爾研究員和內(nèi)存技術(shù)開(kāi)發(fā)經(jīng)理Al Fazio星期三向記者解釋說(shuō),這種技術(shù)產(chǎn)生的堆疊內(nèi)存陣列有可能取代目前DRAM內(nèi)存和NAND閃存的一些工作.這種技術(shù)甚至能夠讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)師把一些DRAM內(nèi)存和固態(tài)內(nèi)存的一些存儲(chǔ)屬性縮小到一個(gè)內(nèi)存類(lèi). 　　This image shows phase-change memory bu
關(guān)鍵字： Intel 5納米 DRAM NAND