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臺塑絕地大反攻 拉攏英特爾入股華亞科
- 臺塑集團布局DRAM產(chǎn)業(yè)更趨積極，除集團挹注資金、爭取國發(fā)基金投資，近期傳出華亞科有意讓英特爾(Intel)投資入股，打算藉由辦理海外存托憑證(GDR)或私募時進行，目前整起投資案正由外資機構(gòu)評估中。存儲器業(yè)者透露，華亞科擬引進英特爾投資，主要關鍵系說服英特爾藉由這次支持DRAM產(chǎn)業(yè)動作，阻止三星電子(Samsung Electronics)在全球存儲器市場坐大，甚至威脅英特爾在半導體產(chǎn)業(yè)地位。 存儲器業(yè)者透露，華亞科擬以GDR或私募方式引進英特爾資金，除爭取資金挹注，另一個重要原因，就是希望藉
- 關鍵字： TMC DRAM NAND
英特爾推出業(yè)內(nèi)首款34納米NAND閃存固態(tài)硬盤
- 英特爾公司已經(jīng)開始采用更為先進的34納米生產(chǎn)流程制造其領先的NAND閃存固態(tài)硬盤(SSD)。SSD是電腦硬盤的替代品。憑借更小的芯片尺寸和先進的工程設計，34 納米產(chǎn)品將使SSD的價格(與一年前推出產(chǎn)品時的價格相比)降低60%，為PC和筆記本電腦制造商及消費者帶來實惠。 多層單元(MLC)英特爾® X25-M Mainstream SATA SSD適用于筆記本電腦和臺式機，有80GB和160GB兩個版本可供選擇。SSD是電腦中的數(shù)據(jù)存儲設備。由于SSD不包括任何移動部件，因此與傳統(tǒng)硬盤(
- 關鍵字： 英特爾 34納米 NAND 固態(tài)硬盤
英特爾、美光NAND Flash殺價大反攻 三星買氣清淡
- 隨著英特爾(Intel)和美光(Micron)所合資成立IM Flash搶頭香推出34納米制程NAND Flash產(chǎn)品，應戰(zhàn)三星電子(Samsung Electronics)42納米制程，不但制程技術領先，近期英特爾和美光在價格策略上，更是上演絕地大反攻計畫，以超低價策略搶食三星地盤。下游廠商透露，近期英特爾和美光32Gb芯片價格硬是比其它品牌便宜1美元，相較于三星更是便宜將近3美元，價差相當驚人，而此策略亦讓英特爾陣營近期NAND Flash產(chǎn)品詢問度大增，三星在現(xiàn)貨市場活絡度則降低。 英特爾
- 關鍵字： Intel 34納米 NAND 42納米
三星電子增加下半年在半導體業(yè)務投資
- 電子行業(yè)報紙ETnews周五報導稱，預計韓國三星電子下半年在一個半導體生產(chǎn)設施上投資至少1萬億韓元(合7.9億美元)。 該報未指明消息來源稱，三星下半年在芯片業(yè)務方面的資本支出料為8,000億韓元左右。 三星半導體事業(yè)群總裁勸五鉉周四在一次業(yè)內(nèi)活動上稱，三星預計下半年投資“略高于”上半年。 該公司多次拒絕透露今年的資本投資計劃規(guī)模，或是迄今的已投資額。 ETnews報稱，芯片業(yè)務下半年的投資將側(cè)重于引進更先進的生產(chǎn)技術，比如采用40納米制程生產(chǎn)DRAM和
- 關鍵字： 三星 DRAM 30納米 NAND
全球DRAM及NAND零售價推動毛利率上升
- 市調(diào)機構(gòu)InSpectrum認為,盡管降低報價但是仍很難促進存儲器的銷售,本周6月22-26日期間,無論DRAM或者是NAND的零售價繼續(xù)因市場需求疲軟而下降。 原因是目前正是傳統(tǒng)的淡季,所以存儲器模塊的銷售仍很弱,但己看到DRAM的零售價開始利潤有所好轉(zhuǎn)。 由于供應商擔心是持久力問題,加上英特爾美光聯(lián)盟推出34納米芯片,貿(mào)易中間商為了促銷給出更大的折扣,導致同樣在零售市場也看到與DRAM相似情況，近期DRAM合同價格趨勢在零售價基礎上有點小的波動。雖然6月下半月無論DDR2及DDR3的價
- 關鍵字： 英特爾 DRAM NAND 34納米
09年固態(tài)硬盤市場份額不會大提升
- 雖然固態(tài)硬盤迅速成為了各大媒體主要的宣傳內(nèi)容,但是由于價格過高的原因今年固態(tài)硬盤的市場份額將不會太高.根據(jù)DRAMeXchange的最新調(diào)查報告表明,固態(tài)硬盤在標準筆記本電腦的市場份額2009年將維持在1%-1.5%,同時由于眾多廠商在主流存儲設備上依然選擇的是機械式硬盤,因此在低端PC上的市場份額將不到10%,這里應該主要指的是上網(wǎng)本產(chǎn)品. 較高的價格明顯妨礙了固態(tài)硬盤向更深市場的侵入,根據(jù)市場調(diào)研公司的分析,考慮到16Gb和32Gb內(nèi)存芯片的價格走勢,SSD產(chǎn)品的市場接受度將會下降.
- 關鍵字： 固態(tài)硬盤 NAND 內(nèi)存芯片
Intel兩周內(nèi)發(fā)布基于34納米NAND固態(tài)硬盤
- 近來謠言越來越厲，市場盛傳英特爾將于未來2周里發(fā)布基于34納米制程NAND芯片的固態(tài)硬盤。之前有報道稱英特爾Chipzilla芯片實驗室將于去年Q4發(fā)布新34納米閃存，不過時間表早已大大推后。固態(tài)硬盤出現(xiàn)的時間不久，其成本高，容量有限，有時候人們甚至懷疑其可靠性。如果新的34納米制程NAND閃存推出，固態(tài)硬盤的價格將大大降低，容量也將達到320GB左右。 固態(tài)硬盤的存儲單元分為MLC(Multi-Level Cell，多層單元)和SLC(Single Layer Cell，單層單元)兩種。MLC
- 關鍵字： 英特爾 NAND 34納米 MLC SLC
恒憶與三星電子共同合作開發(fā) PCM
- 恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開發(fā)制定相變存儲器 (Phase Change Memory，PCM) 產(chǎn)品的市場規(guī)格，此新一代存儲技術可滿足載有大量內(nèi)容和數(shù)據(jù)平臺的性能及功耗要求，從而幫助多功能手機及移動應用、嵌入式系統(tǒng)*、高級運算裝置的制造商應對設計挑戰(zhàn)。制定針對PCM 產(chǎn)品的通用軟硬件兼容標準，將有效簡化設計流程并縮短產(chǎn)品開發(fā)時間，使制造商能在短時間內(nèi)采用這兩家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存儲產(chǎn)品。 相較于
- 關鍵字： Numonyx NAND NOR PCM SDRAM
NAND Flash再刮大風 30納米世代競賽起跑
- 全球NAND Flash需求仍相當疲弱，盡管東芝(Toshiba)宣布增產(chǎn)重創(chuàng)市場信心，然存儲器業(yè)者透露，由于東芝43納米制程NAND Flash芯片日前打入蘋果(Apple)iPhone供應鏈，推測其增產(chǎn)系為蘋果供貨做準備，近期更需關注的是，三星電子(Samsung Electronics)除采用既有42納米制程應戰(zhàn)，亦開始準備最新版35納米制程NAND Flash芯片，且已陸續(xù)送樣給控制芯片廠，這不僅將對東芝和英特爾(Intel)、美光(Micron)聯(lián)盟造成壓力，亦將影響NAND Flash市場
- 關鍵字： 三星 NAND 30納米 43納米
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