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12寸晶圓首超8寸晶圓 主導全球半導體產能
- 根據(jù)美國半導體產業(yè)協(xié)會（SemiconductorIndustryAssociation，SIA）的最新統(tǒng)計數(shù)據(jù)，12寸晶圓首度超越8寸晶圓，在全球晶圓制造產能（wafermanufacturingcapacity）以及實際加工晶圓（actualwafersprocessed）中占有最高的比例，分別占總產能的44%以及總加工硅晶圓的47%. 此外SIA并指出，整體晶圓產能利用率仍在89%的高水平，其中先進制程的利用率甚至超過95%.SIA總裁GeorgeScalise表示，由于占芯片需求約八成的
- 關鍵字： 半導體 12寸 8寸 晶圓 NAND
英特爾發(fā)布高性能SATA固態(tài)驅動器產品規(guī)劃
- 英特爾NAND產品事業(yè)部日前發(fā)布了高性能固態(tài)驅動器（SSD）的產品線規(guī)劃和發(fā)布時間表。固態(tài)驅動器適用于移動與臺式機客戶端、企業(yè)級服務器、存儲設備和工作站。這一系列產品稱作英特爾高性能SATA固態(tài)驅動器產品線，是基于固態(tài)閃存的數(shù)據(jù)存儲設備，用于存儲計算機中的數(shù)據(jù)，可模擬并替代某些計算機中的硬盤驅動器。 與傳統(tǒng)的硬盤驅動器（HDD）和目前市場上的固態(tài)驅動器相比，英特爾的全新固態(tài)驅動器具有更重要的優(yōu)勢，包括更快速的整體系統(tǒng)響應能力和計算機開/關啟動時間，卓越的耐用性和可靠性，更長的電池壽命和更低的企業(yè)
- 關鍵字： 英特爾 固態(tài)驅動器 SSD NAND
臺灣工研院建固態(tài)硬盤認證平臺
- 固態(tài)硬盤(SSD)借低價電腦熱潮迅速興起，英特爾、三星等國際大廠結合NAND閃存芯片制造和技術優(yōu)勢走在前列，臺系陣營為了急起直追，由當?shù)毓I(yè)情報機構工研院、測試廠百佳泰和臺廠合力發(fā)起的“SSD聯(lián)盟”(SSD Alliance)合作建立了一套測試認證平臺，希望藉此機會把SSD硬件測試平臺建立起來，為臺灣廠商臺廠搶占固態(tài)硬盤市場先機。 工研院電光所詹益仁表示，英特爾將推出容量高達80GB的SSD產品，2009年還將推出100GB產品，其他包括三星電子、東芝等廠商也都在積極介入
- 關鍵字： 固態(tài)硬盤 NAND 閃存芯片 SSD
英特爾筆記本專用SSD硬盤30天內上市
- 英特爾NAND產品事業(yè)部今天發(fā)布了高性能固態(tài)驅動器(SSD)的產品線規(guī)劃和發(fā)布時間表。固態(tài)驅動器適用于移動與臺式機客戶端、企業(yè)級服務器、存儲設備和工作站。這一系列產品稱作英特爾高性能SATA固態(tài)驅動器產品線，是基于固態(tài)閃存的數(shù)據(jù)存儲設備，用于存儲計算機中的數(shù)據(jù)，可模擬并替代某些計算機中的硬盤驅動器。 與傳統(tǒng)的硬盤驅動器(HDD)和目前市場上的固態(tài)驅動器相比，英特爾的全新固態(tài)驅動器具有更重要的優(yōu)勢，包括更快速的整體系統(tǒng)響應能力和計算機開/關啟動時間，卓越的耐用性和可靠性，更長的電池壽命和更低的企業(yè)
- 關鍵字： 英特爾 NAND 固態(tài) 驅動器 SSD HDD
TDK推出兼容U.DMA6的GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI
- TDK 公司日前宣布開發(fā)出GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI，該產品計劃于九月份開始銷售。 GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC，與2K字節(jié)/頁和4K字節(jié)/頁的NAND閃存兼容。該控制器支持單級單元 （SLC） 和多級單元（MLC） NAND 閃存，實現(xiàn)了從128M字節(jié)到1 G字節(jié)（SLC） 和256M字節(jié)到32G字節(jié)（MLC）的高速閃存存儲容量，因而該控制器適用的應用領域非常廣泛。此外，該控制器具有128 針TQPF 封裝方式和121 針VF
- 關鍵字： TDK NAND 閃存 控制器 LSI
Hynix與Numonyx簽5年協(xié)議共同開發(fā)NAND技術
- 據(jù)國外媒體報道，近日，全球第二大電腦記憶體晶片制造商Hynix表示，已與意法半導體(STMicroelectronics NV)和英特爾的合資公司Numonyx BV簽署了一項為期五年的協(xié)議，拓展其在快速增長的NAND閃存領域的共同開發(fā)項目。 據(jù)國外媒體報道，根據(jù)協(xié)議內容，兩家公司將合作擴大NAND產品線，推出新產品和實現(xiàn)技術創(chuàng)新，從而應對未來五年NAND技術所面臨的挑戰(zhàn)。 根據(jù)協(xié)議內容，Hynix和Numonyx將共同開發(fā)技術項目，聯(lián)合提供領先的NAND存儲技術和產品，并進行資源整合以促
- 關鍵字： NAND 閃存 Hynix 意法半導體 Numonyx
恒憶與海力士擴大合作 共同推廣創(chuàng)新的NAND閃存技術與產品
- 恒憶（Numonyx）今天宣布與海力士半導體公司達成為期五年的協(xié)議，在飛速增長的NAND閃存領域擴展聯(lián)合開發(fā)計劃。針對NAND技術在未來五年面臨的挑戰(zhàn)，兩家公司將擴大NAND產品線并共同研發(fā)未來產品，進行技術創(chuàng)新。 根據(jù)新協(xié)議，恒憶和海力士將擴大聯(lián)合開發(fā)的范圍，共同提供領先的NAND存儲器技術和產品，并且整合資源以加快未來NAND技術及解決方案的開發(fā)。在應用于手機多芯片封裝的移動DRAM領域，雙方也將進行合作。 恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison表示："未來五年，在
- 關鍵字： NAND 恒憶 海力士 閃存
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