qlc nand 文章 進入qlc nand技術社區(qū)
NAND Flash進軍NB/PC應用領域 借以擴大市占率
- 拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(Topology Research Institute)針對NAND Flash應用市場發(fā)表研究報告指出，2008年起，除了由原手持式消費電子產(chǎn)品將繼續(xù)大量采用NAND Flash作為儲存裝置外，NAND Flash將通過NB與PC的采用，以混合式硬盤或固態(tài)硬盤(SSD)的產(chǎn)品型態(tài)，逐步擴大市場占有率，市場需求將從2007年的6.7%增長至15.3%。 拓墣表示，NAND Flash在過去幾年快速擴充產(chǎn)品應用領域，從2004年產(chǎn)品應用比例最高的數(shù)碼相機，到2006年MP3 Pla
- 關鍵字： NAND Flash SSD MCU和嵌入式微處理器
iSuppli調低08年半導體預期
- 市場研究機構iSuppli以全球經(jīng)濟不景氣為由，調低了2008年全球半導體市場銷售收入預期，不過對于整個市場形勢仍持樂觀態(tài)度。 據(jù)國外媒體報道，iSuppli的最新預期顯示，2008年全球半導體銷售收入將增至2914億美元，較2007年2709億美元(評估數(shù)據(jù))增長7.5%，而iSuppli今年9月份預測的增幅為9.3%，預期增幅減少了1.8個百分點。 iSuppli表示，2008年半導體市場將受到了能源成本上升的不利影響，美國經(jīng)濟2008年的預期并不樂觀，而美國經(jīng)濟的影響力自然會波及全球
- 關鍵字： 半導體 芯片 NAND 半導體材料
東芝推出首個對應多值技術的大容量NAND閃存
- 東芝今天宣布即將推出搭載世界上首個對應多值技術的大容量NAND閃存(多值NAND)的行業(yè)內(nèi)最大級別128Gb的SSD(Solid State Drive：固態(tài)硬盤)產(chǎn)品，主要用于計算機。計劃2008年第一季度出貨，并同時開始量產(chǎn)。在此之前，東芝將于明年1月7日-10日在美國拉斯維加斯召開的世界最大規(guī)模的家電展中亮相該新產(chǎn)品。 目前的SSD，采用高速雙值NAND閃存，和HDD相比，高速、體積輕，但也存在容量小、成本高的問題，目前還沒有真正普及。因此，搭載可以提高每個器件容量的普及型多值NAND的S
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 東芝 NAND 閃存
DRAM市場基礎繼續(xù)惡化 預計08年資本開支下滑超過30%
- Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示，“根據(jù)三星日前的報告，我們分析2008年上半年DRAM內(nèi)存市場基礎繼續(xù)惡化，大多數(shù)DRAM供應商，尤其韓國之外的廠商2008年資本開支出現(xiàn)大幅削減。” 預計2008年，DRAM領域的資本開支將下滑超過30%，原來預計下降20%。這將導致總體內(nèi)存資本開支減少10-12%。 在DRAM市場經(jīng)歷了漫長的低迷之后，該市場仍然存在嚴重的供過于求情況?！斑@主要由于按容量計
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 DRAM 三星 NAND EDA IC設計
內(nèi)存芯片廠商提出新設計欲破摩爾定律
- 很多廠商都設計出了未來的閃存技術，但誰能夠首先推出產(chǎn)品呢? Spansion表示，其MirrorBit和Ornand閃存芯片的基礎是電荷捕獲技術，這一技術為閃存產(chǎn)業(yè)繼續(xù)縮小芯片尺寸、提高閃存芯片性能提供了一條途徑。 Spansion CEO伯特蘭向CNET News.com表示，Spansion已經(jīng)生產(chǎn)出了采用電荷捕獲技術的閃存芯片。Spansion已經(jīng)啟動了一項營銷活動，希望向其它制造商許可一些技術。 伯特蘭說，三星、東芝、Hynix公開表示對電荷捕獲技術有很大的興趣。我們擁有這一
- 關鍵字： 閃存 芯片 NAND 存儲器
閃存成本下滑固態(tài)硬盤價格將下降 筆記本很有優(yōu)勢
- 固態(tài)硬盤明年仍然少見且價格昂貴，但隨著其量產(chǎn)，閃存成本的下滑，固態(tài)硬盤價格從2009年，2010年開始將開始下降。 DRAM與閃存產(chǎn)品制造商Micron Technology本周公布了固態(tài)硬盤發(fā)展計劃。這種硬盤功能與常規(guī)硬盤無異，但與一般硬盤將數(shù)據(jù)存儲在磁碟上不同，固態(tài)硬盤將數(shù)據(jù)保存在NAND內(nèi)存芯片上，就像MP3播放器保存文件的方式一樣。 Micron將從明年第一季度開始大規(guī)模生產(chǎn)固態(tài)硬盤。第一批產(chǎn)品為32GB或64GB型號。雖然容量是現(xiàn)在筆記本電腦硬盤平均容量的一半，但Micron內(nèi)存
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 固態(tài)硬盤 閃存 NAND MCU和嵌入式微處理器
三星減少NAND閃存供貨量 擬甩掉臺灣廠商
- 近期，三星和海力士(Hynix)面向臺灣的NAND閃存芯片供貨量有所下降，另一方面，英特爾和Micron的合資公司IM則推出了更具競爭力的價格并逐步搶占市場，許多分析人士認為未來閃存市場或許將會出現(xiàn)另一番局面。 三星和海力士減少向臺灣內(nèi)存廠商的供貨量，是為了滿足蘋果這類國際大客戶的供貨需求。東芝也限制了供應量，唯獨沒有對群聯(lián)電子(Phison Electronics)采取限制措施，這使得不少臺灣企業(yè)開始考慮降低對大廠商產(chǎn)品的依賴。 一些臺灣內(nèi)存廠商指出，它們都不愿意繼續(xù)向三星和海力士采購，
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 三星 海力士 NAND 其他IC 制程
大容量NAND Flash K9T1G08U0M在網(wǎng)絡存儲中的應用
- 1 引言 隨著嵌入式系統(tǒng)廣泛應用，嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲和數(shù)據(jù)管理則成為設計人員考慮的重點。在許多現(xiàn)場不可達數(shù)據(jù)采集應用中采用分布式數(shù)據(jù)存儲，必然帶來數(shù)據(jù)管理的不便，因此，集中管理數(shù)據(jù)成為一種思路。利用成熟的網(wǎng)絡傳輸技術集中分布式嵌入式系統(tǒng)數(shù)據(jù)，采用C/S模式管理數(shù)據(jù)。對于大容量數(shù)據(jù)存儲，選擇介質存儲是需要重點考慮的問題。目前大多采用IDE硬盤或SCSI硬盤存儲，但都存在抗震和抗電磁干擾能力差、使用溫度范圍窄，無法長期在惡劣的環(huán)境中長期工作。電子式Flash存儲器具有速度快、容量大、成本低、體積
- 關鍵字： 通訊 無線 網(wǎng)絡 NAND Flash K9T1G08U0M MCU和嵌入式微處理器
供應過剩 NAND及DRAM行情短期進一步惡化
- 美國iSuppli調研結果顯示，由于供應過剩與價格暴跌，DRAM及NAND閃存行情將在短期內(nèi)進一步惡化。 NAND閃存方面，預計512M產(chǎn)品全球平均單價(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價在第二季度、第三季度均比上季度有所提高，分別為6%與8.4%。但是在第四季度，隨著價格下跌，行情出現(xiàn)惡化，短期內(nèi)很難恢復。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示，此次價格下跌的主要原因韓國內(nèi)存廠商將生產(chǎn)能力從DRAM轉移至NAND閃存，從而導
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 NAND DRAM 閃存 MCU和嵌入式微處理器
年終旺季需求支撐，NAND FLASH合約價短期平穩(wěn)
- 11月上旬NAND Flash合約價格大致跌幅約為0-5%，比前兩個月跌幅明顯縮小，主要是因為下游客戶在10月已陸續(xù)進行降低庫存的動作，加上市場預期11月中旬要開始準備年底旺季的備貨需求，根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)觀察，NAND Flash價格走勢在11月初已經(jīng)出現(xiàn)止跌回穩(wěn)的現(xiàn)象。 隨著NAND Flash供貨商5X納米制程產(chǎn)品供應量提高后，下游客戶采購顆粒開始轉向以8Gb和16Gb MLC為主流，導致TSOP 4G MLC顆粒跌幅約為11%，相較于其它規(guī)格來得顯著。有鑒于9月以來
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 NAND Flash microSD 嵌入式
07年第三季NAND Flash廠營收逼近39億美元
- 根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)最新出爐的第三季NANDFlash營收市占率報告指出，NANDFlash品牌廠商在2007年第三季整體營收表現(xiàn)亮麗，逼近三十九億美元，比第二季增長了36.8%;整體NANDFlash位出貨量相較于第二季增長約30%;而就營收排行而言，三星(Samsung)如預期再度蟬連冠軍，東芝(Toshiba)居次，而海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特爾(Intel)營收均有顯著的增長。 由于第三季為傳統(tǒng)NANDFlash下游客戶的備貨旺
- 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 NAND Flash 三星 MCU和嵌入式微處理器
IDC: 今年芯片銷售增速緩慢將促使08年猛增
- IDC在最新的《全球半導體市場預測》中預測，2007年全球芯片銷售收入增長速度放慢將為2008年的大增長奠定基礎。 據(jù)國外媒體報道，2007年全球芯片市場的增長速度將只有4.8%，2006年的這一數(shù)字只有8.8%。IDC預測，2008年的增長速度將達到8.1%。 報告指出，如果產(chǎn)能增長速度在明年放緩和需求仍然保持緩慢，芯片市場的增長速度會更快。市場潮流是合并和收購，這可能會改變業(yè)界的競爭格局。 IDC負責《全球半導體市場預測》的項目經(jīng)理戈帕爾說，今年上半年芯片市場的供過于求降低了對各
- 關鍵字： 消費電子 芯片 DRAM NAND EDA IC設計
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