rf gan 文章進(jìn)入rf gan技術(shù)社區(qū)

測(cè)量RF功率放大器和手機(jī)的直流偏置電流

　　在移動(dòng)電話市場(chǎng)上，手機(jī)電池壽命是一項(xiàng)任何客戶都容易評(píng)估的技術(shù)指標(biāo)。不足的電池壽命會(huì)招致用戶的不滿。因此，在設(shè)計(jì)手機(jī)及其關(guān)鍵部件時(shí)，通過(guò)降低功耗來(lái)延長(zhǎng)電池壽命是重要的設(shè)計(jì)考慮?！　〉壳摆厔?shì)卻是沿著
關(guān)鍵字：直流電流手機(jī) 功率放大器 RF 測(cè)量

內(nèi)插和數(shù)字上變頻技術(shù)(07-100)

　　在軟件無(wú)線電和測(cè)試儀器中，設(shè)計(jì)人員采用多種數(shù)字信號(hào)處理(DSP)技術(shù)來(lái)改善系統(tǒng)性能。內(nèi)插法是一種DSP技術(shù)，可以用內(nèi)插法提高數(shù)字信號(hào)采樣率。在采用零差式上變頻的收發(fā)器中，內(nèi)插法可以改善模擬性能。此外，在外差(用中頻)上變頻中，需要使能帶數(shù)字載波的混頻基帶信號(hào)。此稱之為數(shù)字上變頻。因此，內(nèi)插法在現(xiàn)代通信系統(tǒng)中有一定的實(shí)用性。
關(guān)鍵字：變頻 DSP RF

用低功耗RF芯片與超低功耗MCU組合構(gòu)建有源、無(wú)源RFID(08-100)

　　如今低功耗射頻產(chǎn)品線包括了多種專用及基于標(biāo)準(zhǔn)的低功耗、高性能CMOS RF-IC，可用于涵蓋低于1GHz和2.4GHz的各種ISM頻帶的無(wú)線應(yīng)用。其產(chǎn)品包括了低功耗收發(fā)機(jī)及發(fā)射機(jī)、單芯片系統(tǒng)集成解決方案以及IEEE 802.15.4/ZigBeeTM兼容解決方案。
關(guān)鍵字： RF MCU RFID

3G中的CMOS基RF集成(05-100)

　　用戶需要更小更便宜的手機(jī),在手持裝置中得到快速服務(wù)和更多功能。這正在促使業(yè)界加速創(chuàng)新解決方案,降低成本使產(chǎn)品盡快上市。這種外加壓力,使制造商重新考慮解決這些問(wèn)題的技術(shù)。
關(guān)鍵字： 3G CMOS RF

3G通信系統(tǒng)的直接調(diào)制無(wú)線電硬件結(jié)構(gòu)(05-100)

　　基站收發(fā)器系統(tǒng)(BTS)的關(guān)鍵性能部件(天線、無(wú)線電收發(fā)器,信號(hào)處理子系統(tǒng),以及支持、控制硬件和軟件)影響B(tài)TS的成本。BTS配置的一個(gè)實(shí)例示于圖1。BTS采用主分支模塊和分集分支模塊。在2G系統(tǒng)中,分集接吸器系統(tǒng)是通用的,而3G規(guī)范也定義了發(fā)射器分集的選項(xiàng)。如圖1所示,發(fā)送接收模塊(TRM)包含雙工發(fā)送和接收部分。對(duì)于廣域蜂窩站,接收器一般通過(guò)雙工器模塊(DM)和塔頂部件(TTA)連接到天線。TTA由低噪聲放大器(LNA)組成,LNA對(duì)于補(bǔ)償天線到TRM之間纜線損耗是必須的。TTA可以用旁路開(kāi)關(guān)(用
關(guān)鍵字： 3G RF

數(shù)字RF存儲(chǔ)器用混合信號(hào)ASIC(05-100)

　　數(shù)字RF存儲(chǔ)器(DRFM)用于現(xiàn)代脈沖壓縮雷達(dá)中合成相干信號(hào)的再生。DRFM系統(tǒng)有很多不同的實(shí)現(xiàn)方法。圖1示出1個(gè)特殊的類型，它是1個(gè)雙邊帶，4位，相位取樣系統(tǒng)，它的瞬時(shí)帶寬為500MHz。采用0.18祄 CMOS 工藝制造的混合信號(hào)專用集成電器(ASIC)可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的基帶元件，這包括相位取樣電路、數(shù)字處理、信號(hào)重建和數(shù)/模輸出。
關(guān)鍵字： RF ASIC

用于超低功耗RF遠(yuǎn)程控制的參考設(shè)計(jì)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：超低功耗遠(yuǎn)程控制 RF

IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺(tái)

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 宣布，成功開(kāi)發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)。與此前最先進(jìn)的硅基技術(shù)平臺(tái)相比，該技術(shù)平臺(tái)可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計(jì)算和通信、汽車和電器等終端設(shè)備的性能，并降低能耗。　　開(kāi)拓性GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)是IR基于該公司的GaN器件專利技術(shù)，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。　　IR的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)有助于實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進(jìn)步。通過(guò)有效利用公司60年來(lái)在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識(shí)方面
關(guān)鍵字： IR 功率器件 GaN 終端

TI推出 ISO/IEC 14443 閉環(huán)非接觸式安全芯片與模塊

　　日前，德州儀器（TI）宣布推出一款專門面向不斷發(fā)展的閉環(huán)非接觸式微型支付卡、會(huì)員卡、身份識(shí)別以及門禁應(yīng)用市場(chǎng)領(lǐng)域的新型安全多用途非接觸式芯片。被命名為 RF-HCT-WRC5-KP221 的 TI ISO/IEC 14443 Type B 芯片（同時(shí)提供模塊版本）將極高的處理速度、高級(jí)射頻（RF）性能以及業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)安全性與高度靈活的可配置存儲(chǔ)器完美結(jié)合在一起，能在同一張非接觸式卡片或安全標(biāo)記（token）上支持多達(dá)五種應(yīng)用。　　相當(dāng)多的閉環(huán)應(yīng)用都需要基于 ISO/IEC 14443 標(biāo)準(zhǔn)
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RF: 究竟能否成為插入式IP？

　　當(dāng)移動(dòng)設(shè)備SoC集成射頻電路時(shí)，它們將需要可重用 RF IP。但是它們能夠做到嗎？　　對(duì)于下一代智能手機(jī)、移動(dòng)視頻播放器以及 Web 漫游附件的整合，其含意不僅是要將多用途基帶與應(yīng)用處理器、加速器和內(nèi)存一起放到同一片 SoC （系統(tǒng)單芯片）上，而且還要將許多小信號(hào)RF電路整合到SoC上。其中就存在一項(xiàng)重大難題。　　在今天的 SoC 中，要想滿足時(shí)間表并維持合理的設(shè)計(jì)復(fù)雜性，硅 IP （知識(shí)產(chǎn)權(quán)）的重用是絕對(duì)必要的。但是，盡管 IP 的重用在數(shù)字行業(yè)人所共知，甚至已經(jīng)成為一些甚高頻模塊的常見(jiàn)現(xiàn)象
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高隔離度X波段RF MEMS電容式并聯(lián)開(kāi)關(guān)

　　0 引言　　RF MEMS開(kāi)關(guān)在隔離度、插入損耗、功耗以及線性度等方面，具有比FET或pin二極管傳統(tǒng)微波固態(tài)開(kāi)關(guān)無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)，從而獲得了廣泛的關(guān)注，并顯示出在微波應(yīng)用領(lǐng)域的巨大潛力。自1979年K.E.Petersen第一次報(bào)道RF MEMS開(kāi)關(guān)的應(yīng)用以來(lái)，業(yè)界已研制出很多不同結(jié)構(gòu)的RF MEMS開(kāi)關(guān)。無(wú)論是在隔離度還是在插入損耗上，RFMEMS電容式并聯(lián)開(kāi)關(guān)在Ka到W波段都表現(xiàn)出了良好的性能。但是，RF MEMS電容式開(kāi)關(guān)在低頻段的較低隔離度限制了其在X波段的應(yīng)用。為克服以上不足，J.B.
關(guān)鍵字： MEMS RF 電容開(kāi)關(guān)

TI全新4GHz 正交調(diào)制器為無(wú)線服務(wù)供應(yīng)商提供優(yōu)異的多載波性能

　　日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款支持高達(dá)4GHz RF輸出傳輸率的高線性、超低噪聲正交調(diào)制器，該解決方案不僅進(jìn)一步壯大了高性能射頻 (RF) 解決方案的產(chǎn)品陣營(yíng)，而且還使服務(wù)供應(yīng)商能夠在單個(gè)RF收發(fā)器卡上輕松支持多種無(wú)線通信標(biāo)準(zhǔn)。TI的TRF370317 正交調(diào)制器是一種直接發(fā)射式RF發(fā)送設(shè)備，可為基站設(shè)備制造商提供得已改進(jìn)的線性和更高的輸出功率，從而可在降低功耗和服務(wù)供應(yīng)商運(yùn)作成本的同時(shí)，從總體上提高發(fā)送器的性能。　　TI的 TRF370317 是一款高性能正交調(diào)制器，可滿足對(duì)GSM、CD
關(guān)鍵字： TI 正交調(diào)制器 RF 無(wú)線通信

ADI公司推出適合900MHz頻段RF應(yīng)用的高性能模擬前端

　　Analog Devices, Inc.（ADI），最新推出一款集成RF Tx調(diào)制器與Rx模擬基帶的單芯片器件--ADF9010，適合工作在900 MHz頻率范圍的應(yīng)用，如RFID閱讀器、ISM頻段無(wú)線電通信設(shè)備、專業(yè)移動(dòng)無(wú)線電、手機(jī)基站以及射頻同軸傳輸（RF-over-coax）應(yīng)用。ADF9010集成了高性能Tx正交調(diào)制器、整數(shù)N分頻合成器，以及片上低相位噪聲壓控振蕩器（VCO），可保持卓越的RF性能并降低系統(tǒng)成本。例如，在RFID應(yīng)用中，與分立元件的解決方案相比，ADF9010集成度與性能的結(jié)合
關(guān)鍵字： ADI RF 模擬前端射頻

采用TI超低功耗技術(shù)的AdaptivEnergy 無(wú)線遠(yuǎn)程傳感解決方案使能量收集成為現(xiàn)實(shí)

　　AdaptivEnergy 公司推出采用 Joule-Thief? 技術(shù)開(kāi)發(fā)的演示套件，用于進(jìn)行能量收集，并為德州儀器 (TI) 超低功耗 MSP430 微控制器 (MCU) 與 RF 技術(shù)進(jìn)行采集數(shù)據(jù)、控制系統(tǒng)操作或?qū)⒏袦y(cè)數(shù)據(jù)傳輸至中心采集站提供核心動(dòng)力。該套件充分展示了能量收集與射頻 (RF) 技術(shù)在無(wú)線傳感、監(jiān)控或環(huán)境智能等方面的卓越優(yōu)勢(shì)。Joule-Thief 能量收集器是基于 AdaptivEnergy 公司 Ruggedized Laminated Piezo (RLP?) 技術(shù)之上。該技
關(guān)鍵字： TI 低功耗 MCU RF

銳迪科推出對(duì)講機(jī)無(wú)線通信RF收發(fā)器芯片RDA1845

　　銳迪科微電子（RDA）推出新款對(duì)講機(jī)無(wú)線通信射頻收發(fā)器芯片RDA1845 ，該芯片采用全集成CMOS射頻前端，F(xiàn)M調(diào)制方式，可以支持300MHz～500MHz的頻段，實(shí)現(xiàn)了對(duì)寬帶/窄帶兩種模式的同時(shí)支持，滿足了商業(yè)對(duì)講機(jī)的高品質(zhì)需求，可以應(yīng)用在各類手持終端產(chǎn)品上。　　RDA1845可稱為目前集成度最高、封裝面積最小的對(duì)講機(jī)RF射頻芯片，通過(guò)低中頻接收機(jī)和直接上變頻發(fā)射機(jī)架構(gòu)，以單芯片集成替代了傳統(tǒng)方案中數(shù)百個(gè)分立器件和集成電路，簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)、降低了BOM成本，提高了終端產(chǎn)品的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力。　　
關(guān)鍵字：銳迪科 RDA 無(wú)線通信射頻收發(fā)器 RF