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          Nexperia的AC/DC反激式控制器可實現(xiàn)更高功率密度的基于GaN的反激式轉換器
          
                                                            
            
                    	
          • Nexperia今天推出了一系列新的AC/DC反激式控制器，進一步壯大其不斷擴展的電源IC產(chǎn)品組合。NEX806/8xx和NEX8180x專為基于GaN的反激式轉換器而設計，用于PD(Power Delivery)快速充電器、適配器、壁式插座、條形插座、工業(yè)電源和輔助電源等設備以及其他需要高功率密度的AC/DC轉換應用。?NEX806xx/NEX808xx是準諧振/多模反激式控制器，可在寬VCC范圍(10-83V)下工作，而NEX81801/NEX81802是自適應同步整流控制器。這些IC可與N
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          • 關鍵字：
                        Nexperia  AC/DC反激式控制器  GaN  反激式轉換器                          
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          如何在設計中輕松搭載GaN器件？答案內(nèi)詳~~
          
                                                            
            
                    	
          • 如今，圍繞第三代半導體的研發(fā)和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點，第三代半導體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求，被認為是突破傳統(tǒng)硅（Si）器件性能天花板的必由之路。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）并稱為第三代半導體界的“雙雄”。其中，SiC在高耐壓和大電流應用方面優(yōu)勢突出，近年來在新能源汽車、可再生能源等功率電子領域風頭無兩；而GaN則憑借出色的擊穿場強特性和電子飽和速度，提供出色的低導通電阻和高速開關（高頻率工作）性能，在
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          • 關鍵字：
                        Mouser  GaN                          
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          德州儀器擴大氮化鎵（GaN）半導體自有制造規(guī)模，產(chǎn)能提升至原來的四倍
          
                                                            
            
                    	
          • 新聞亮點：●? ?德州儀器增加了GaN制造投入，將兩個工廠的GaN半導體自有制造產(chǎn)能提升至原來的四倍?！? ?德州儀器基于GaN的半導體現(xiàn)已投產(chǎn)上市?！? ?憑借德州儀器品類齊全的GaN集成功率半導體，能打造出高能效、高功率密度且可靠的終端產(chǎn)品。●? ?德州儀器已成功開展在12英寸晶圓上應用GaN制造工藝的試點項目。德州儀器 (TI)近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導體已在日本會津工廠開始投產(chǎn)。隨著會津工廠投產(chǎn)，
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          • 關鍵字：
                        德州儀器  氮化鎵  GaN                          
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          三相集成GaN技術如何更大限度地提高電機驅(qū)動器的性能
          
                                                            
            
                    	
          • 在應對消費類電器、樓宇暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)和工業(yè)驅(qū)動裝置的能耗挑戰(zhàn)中，業(yè)界積極響應，通過實施諸如季節(jié)性能效比(SEER)、最低能效標準(MEPS)、Energy Star 和Top Runner等項目推進建立系統(tǒng)能效評級體系。變頻驅(qū)動器(VFD) 可為加熱和冷卻系統(tǒng)提供出色的系統(tǒng)效率，特別是在這些系統(tǒng)具有范圍非常寬的精確速度控制的情況下。VFD使用逆變器控制電機轉速，并進行高頻脈寬調(diào)制(PWM)開關，可獲得真正的可變速度控制。雖然這些逆變器目前是使用絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導體場效
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          • 關鍵字：
                        202409  三相集成GaN  電機驅(qū)動器  GaN                          
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          利用噪聲系數(shù)度量分析射頻電路中的噪聲
          
                                                            
            
                    	
          • 關于射頻模擬設計中的噪聲分析，通過示例了解噪聲系數(shù)度量，包括本規(guī)范的關鍵方面。除了一些特定的應用，例如，當需要抖動效果時，噪聲通常是一種不想要的現(xiàn)象?？茖W家和工程師已經(jīng)表征了不同電路元件產(chǎn)生的噪聲，并開發(fā)了可用于分析電路噪聲性能的方法。在模擬電路設計中，我們通常將噪聲效應建模為輸入?yún)⒖荚肼曤妷汉碗娏髟?。然而，在射頻（RF）設計中，噪聲系數(shù)度量可以是表征電路噪聲性能的更有用的方法。在本文中，我們將介紹噪聲系數(shù)度量，強調(diào)該規(guī)范的一些微妙之處，最后看一個例子來澄清所討論的概念。射頻模擬設計中的噪聲分析我們通常用
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          • 關鍵字：
                        噪聲系數(shù)度量，射頻電路，噪聲，RF                          
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          單級小信號 RF 放大器設計
          
                                                            
            
                    	
          • 本文要點：? 小信號 RF 放大器的用途。? 用于小信號 RF 放大器的分壓器晶體管偏置電路。? 單級小信號 RF 放大器的設計步驟。幾乎所有的電子電路都依賴于放大器，放大器電路會放大它們接收到的輸入信號?；镜姆糯笃麟娐酚呻p極結型晶體管組成，晶體管偏置使器件在有源區(qū)運行。晶體管的有源區(qū)用于放大目的。當晶體管偏置為有源區(qū)時，施加在輸入端子上的輸入信號會使輸出電流出現(xiàn)波動。波動的輸出電流流過輸出電阻，產(chǎn)生經(jīng)過放大的輸出電壓。有些放大器能放大微弱 RF 輸入信號且（與靜態(tài)工作點相比）輸出電流波動較小，它們稱為
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          • 關鍵字：
                        RF  放大器                          
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          新潔能SiC/GaN功率器件及封測研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目延期
          
                                                            
            
                    	
          • 8月13日，新潔能發(fā)布公告稱，擬將此前募投項目中的“第三代半導體 SiC/GaN 
功率器件及封測的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目達到預定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響，項目的工程建設、設備采購及人員安排等相關工作進度均受到一定程度的影響，無法在計劃時間內(nèi)完成。據(jù)悉，此次延期項目屬新潔能二廠區(qū)擴建項目，項目總投資約2.23億元，2022年開建，原計劃2024年建設完成。項目建成后，將實現(xiàn)年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬只。新潔能稱，本次募投項目延期僅涉及項目進度的
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          • 關鍵字：
                        新潔能  SiC  GaN  功率器件  封測                          
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          CAGR達49%，2030全球GaN功率元件市場規(guī)模或升至43.76億美元
          
                                                            
            
                    	
          • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報告《2024全球GaN Power 
Device市場分析》顯示，隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長率）高達49%。其中非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機驅(qū)動等場景為核心。AI應用普及，GaN有望成為減熱增效的幕后英雄AI技術的演進，帶動算力需求持續(xù)攀升，C
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          • 關鍵字：
                        CAGR  GaN  功率元件                          
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          TrendForce：預計2030年全球GaN功率元件市場規(guī)模上升至43.76億美元
          
                                                            
            
                    	
          • 8月15日消息，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報告顯示，隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長率）高達49%。報告顯示，非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機驅(qū)動等場景為核心。
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  德州儀器  GaN  功率元件                          
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          TrendForce：預計 2030 年全球 GaN 功率元件市場規(guī)模 43.76 億美元，復合年均增長率達 49%
          
                                                            
            
                    	
          • IT之家 8 月 14 日消息，TrendForce 最新報告顯示，隨著英飛凌、德州儀器等對 GaN（氮化鎵）技術傾注更多資源，功率 GaN 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023 年全球 GaN 功率元件市場規(guī)模約 2.71 億美元（IT之家備注：當前約 19.39 億元人民幣），到 2030 年有望上升至 43.76 億美元（當前約 313.14 億元人民幣），CAGR（復合年均增長率）達 49%。據(jù)介紹，消費電子是功率 GaN 產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手
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          • 關鍵字：
                        功率器件  GaN                          
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          羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會
          
                                                            
            
                    	
          • 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（以下簡稱PCIM Asia）（展位號：11號館D14）。屆時，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體，展示其面向工業(yè)設備和汽車領域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時，羅姆工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“寬禁帶半導體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享羅姆最新的功率電子技術成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進的碳化硅
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          • 關鍵字：
                        羅姆  SiC  氮化鎵  GaN                          
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          第三代半導體，距離頂流差了什么
          
                                                            
            
                    	
          • 潮流就是即便你放棄了我，也不妨礙我越來越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經(jīng)過去了一年，這個市場非但沒有被拋棄，反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導體發(fā)展備受關注：Yole 數(shù)據(jù)顯示，2026 年 GaN 市場規(guī)模預計可達 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導體市場規(guī)模有望突破 60 億美元。預測是人算不如天算，第三代半導體優(yōu)勢已經(jīng)被講的翻來覆去了，市場的反饋是最真實和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車能不能齊飛？新能源是第三代半導體應用的重要驅(qū)動力。新能源車的最大
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          • 關鍵字：
                        GaN  SiC                          
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          英飛凌加速氮化鎵布局，引領低碳高效新紀元
          
                                                            
            
                    	
          • 近年來，隨著科技的不斷進步和全球?qū)G色低碳發(fā)展的需求日益增長，半導體行業(yè)迎來了前所未有的發(fā)展機遇。氮化鎵（GaN）作為一種新型半導體材料，以其高功率、高效率、耐高溫等特性，在消費電子、電動汽車、可再生能源等多個領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。作為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者，英飛凌在氮化鎵領域持續(xù)深耕，通過戰(zhàn)略布局、技術創(chuàng)新、市場應用拓展等不斷鞏固其市場地位。近日，英飛凌在上海慕尼黑展會期間舉辦了一場專門的氮化鎵新品媒體溝通會，會上英飛凌科技大中華區(qū)消費、計算與通訊業(yè)務市場總監(jiān)程文濤先生以及英飛凌科技
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          • 關鍵字：
                        氮化鎵  英飛凌  GaN Systems                          
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          氮化鎵為何被如此看好，能否替代硅基材料大放異彩？
          
                                                            
            
                    	
          • 氮化鎵材料相較于硅基材料，顯著優(yōu)勢體現(xiàn)在節(jié)能、成本節(jié)約及材料省用上。其核心亮點在于其超快的開關速度，在硅、碳化硅與氮化鎵三者中獨占鰲頭。這一特性直接促進了開關頻率的大幅提升，進而允許大幅縮減被動元器件及散熱器的尺寸與數(shù)量，有效降低了物料消耗，彰顯了氮化鎵在物料節(jié)省方面的卓越能力。此外，在效率層面，氮化鎵與碳化硅并駕齊驅(qū)，通過實現(xiàn)極低的導通阻抗（即單位面積上可達到的最小電阻），相較于硅材料實現(xiàn)了數(shù)量級的優(yōu)化。這種高效的導電性能，是氮化鎵提升系統(tǒng)效率的關鍵所在。綜合上述兩方面優(yōu)勢，氮化鎵的應用不僅促進了系統(tǒng)性
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          • 關鍵字：
                        氮化鎵  GaN                            
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          RF ADC為什么有如此多電源軌和電源域？
          
                                                            
            
                    	
          • 在采樣速率和可用帶寬方面，當今的射頻模數(shù)轉換器(RF ADC)已有長足的發(fā)展，其中還納入了大量數(shù)字處理功能，電源方面的復雜性也有提高。那么，RF ADC為什么有如此多不同的電源軌和電源域？為了解電源域和電源的增長情況，我們需要追溯ADC的歷史脈絡。早期ADC采樣速度很慢，大約在數(shù)十MHz內(nèi)，而數(shù)字內(nèi)容很少，幾乎不存在。電路的數(shù)字部分主要涉及如何將數(shù)據(jù)傳輸?shù)綌?shù)字接收邏輯——專用集成電路 (ASIC) 或現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA)。用于制造這些電路的工藝節(jié)點幾何尺寸較大，約在180 nm或更大。使用單電壓
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          • 關鍵字：
                        ADI  RF  ADC                          
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