rf-cmos 文章 進(jìn)入rf-cmos技術(shù)社區(qū)
RFaxis推出新款純CMOS大功率放大器
- 專注于為無線連接和蜂窩移動(dòng)市場(chǎng)開發(fā)創(chuàng)新型下一代射頻(RF)解決方案的領(lǐng)先無晶圓半導(dǎo)體公司RFaxis, Inc.于2014年6月18日宣布,該公司用于無線局域網(wǎng)絡(luò)(WLAN)應(yīng)用的RFX241高功率2.4GHz功率放大器(PA)已投入量產(chǎn)?! FX241最新加入RFaxis瞄準(zhǔn)快速增長(zhǎng)的無線接入點(diǎn)(AP)、路由器(Router)、機(jī)頂盒(STB)、家庭網(wǎng)關(guān)(HGW)、熱點(diǎn)(Hotspot)等無線基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)的純CMOS大功率CMOS PA產(chǎn)品系列。RFX241可與包括RTC6649E在內(nèi)的目前市場(chǎng)上
- 關(guān)鍵字: RFaxis RF CMOS
德國開發(fā)出可耐高溫的新型微芯片
- 在地?zé)嵘a(chǎn)和石油生產(chǎn)過程中溫度通常會(huì)超過200℃,高于設(shè)備所用的傳統(tǒng)微芯片一般能耐受的最高溫度。德國弗勞恩霍夫微電子電路與系統(tǒng)研究所(IMS)的研究人員近日開發(fā)出一種新型的高溫工藝,可以制造出超緊湊型微芯片,這種微芯片在高達(dá)300℃的溫度下也能正常工作。 傳統(tǒng)的CMOS芯片有時(shí)能耐受250℃的高溫,但其性能與可靠性會(huì)迅速下降。還有一種方法是對(duì)熱敏感的微芯片實(shí)施持續(xù)冷卻,但是很難實(shí)現(xiàn)。此外,市場(chǎng)上也存在專門的高溫芯片,但是尺寸過大(最小尺寸也達(dá)1微米)。 IMS開發(fā)的微芯片尺寸僅有0
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一種低電壓、低功耗模擬電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)介
- 因?yàn)镸OS晶體管的襯底或者與源極相連,或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常被用作一個(gè)三端設(shè)備。由于未來CMOS技術(shù)的閾值電壓并不會(huì)遠(yuǎn)低于現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn),于是采用襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行模擬電路設(shè)計(jì)就成為較好的解決方案[1].襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)的原理是:在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓,以形成反型層,輸入信號(hào)加在襯底和源極之間,這樣閾值電壓就可以減小或從信號(hào)通路上得以避開。襯底驅(qū)動(dòng)MOS晶體管的原理類似于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,也就是一個(gè)耗盡型器件,它可以工作在負(fù)、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導(dǎo)電溝
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卓勝微電子向三星累積出貨已超2000萬顆
- 作為專注在WiFi、藍(lán)牙、GPS連接性射頻芯片技術(shù)供應(yīng)商,卓勝微電子今日宣布,公司GPSLNA芯片產(chǎn)品MXDLN16S在三星累計(jì)出貨超過2000萬顆。 “卓勝微電子的GPSLNA產(chǎn)品能夠給三星大批量供貨體現(xiàn)了我們產(chǎn)品的卓越性能?!弊縿傥㈦娮涌偨?jīng)理許志翰表示:“作為全球智能手機(jī)市場(chǎng)的領(lǐng)先者,三星對(duì)產(chǎn)品的創(chuàng)新和品質(zhì)有著不懈追求,同時(shí)它對(duì)合作伙伴也有著非常高的品質(zhì)和供貨能力的要求。這么大批量的穩(wěn)定出貨證明了我們的能力?!? 卓勝微電子的GPS
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卓勝微電子宣布MXDLN16S在三星累計(jì)出貨超過2000萬顆
- 2014年5月5日,作為專注在WiFi,藍(lán)牙,GPS連接性射頻芯片技術(shù)供應(yīng)商,卓勝微電子宣布其GPSLNA芯片產(chǎn)品MXDLN16S在三星累計(jì)出貨超過2000萬顆。 “卓勝微電子的GPSLNA產(chǎn)品能夠給三星大批量供貨體現(xiàn)了我們產(chǎn)品的卓越性能。”卓勝微電子總經(jīng)理許志翰表示:“作為全球智能手機(jī)市場(chǎng)的領(lǐng)先者,三星對(duì)產(chǎn)品的創(chuàng)新和品質(zhì)有著不懈追求,同時(shí)它對(duì)合作伙伴也有著非常高的品質(zhì)和供貨能力的要求。這么大批量的穩(wěn)定出貨證明了我們的能力。” 卓勝微電子的G
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分析師預(yù)測(cè)2019年MRAM市場(chǎng)可達(dá)21億美元
- 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)CoughlinAssociates的最新報(bào)告預(yù)測(cè),磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)──包含磁場(chǎng)感應(yīng)(field-induced)以及自旋力矩轉(zhuǎn)移(spin-torquetransition,STT)等形式──將在未來因?yàn)槿〈鶧RAM與SRAM而繁榮發(fā)展。 CoughlinAssociates的報(bào)告指出,因?yàn)榫邆涫‰娕c非揮發(fā)特性,MRAM/STTMRAM市場(chǎng)營收規(guī)??赏?013年的1.9億美元左右,到2019年成長(zhǎng)至21億美元;期間的復(fù)合年平均成長(zhǎng)率(CAGR)估計(jì)為50%。
- 關(guān)鍵字: MRAM CMOS
Diodes雙門邏輯系列有效延長(zhǎng)電池壽命
- Diodes公司?(Diodes?Incorporated)?推出先進(jìn)的74AUP2G雙門超低功率?CMOS微型邏輯器件系列,為低壓和低功耗模式設(shè)計(jì),可延長(zhǎng)手機(jī)、電子書閱讀器及平板電腦等多種掌上消費(fèi)性電子產(chǎn)品的電池壽命?! ∵@款邏輯器件的漏電流少于0.9?μA,達(dá)到低靜態(tài)功耗的效果。其功耗電容在3.6V供電下一般為6pF,可將動(dòng)態(tài)功耗降到最低。74AUP2G系列提供從0.8V到3.6V的供電電壓范圍,使電路供電降到最低等級(jí)?! ∪鲁凸β?4AUP2
- 關(guān)鍵字: Diodes 電池 CMOS
先進(jìn)封裝技術(shù):可穿戴電子設(shè)備成功的關(guān)鍵
- 最近以來智能手表、體征監(jiān)測(cè)等穿戴式電子設(shè)備受到業(yè)界的極大關(guān)注,但市場(chǎng)一直處于“雷聲大,雨點(diǎn)小”的狀態(tài)。究其原因,有以下幾個(gè)因素制約了穿戴式電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)突破:小型化低功耗技術(shù)還滿足不了需求、“殺手級(jí)”應(yīng)用服務(wù)缺失、外觀工藝粗糙、用戶使用習(xí)慣仍需培養(yǎng)?! 募夹g(shù)層面上看,先進(jìn)封裝將是穿戴式電子取得成功的關(guān)鍵技術(shù)之一,特別是系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)以及3D封裝等。據(jù)深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)秘書長(zhǎng)蔡錦江介紹,2001年以色列Given?Imaging公司推出的膠囊內(nèi)鏡就采用SiP技術(shù)將光學(xué)鏡頭、應(yīng)用處理器、
- 關(guān)鍵字: 穿戴式 SiP 3D CMOS
東芝為監(jiān)控?cái)z像頭和行車記錄儀推出VGA CMOS圖像傳感器
- 支持在低光條件下捕獲高靈敏度視頻 東京—東芝公司(TOKYO:6502)今天宣布,該公司將在4月底開始批量生產(chǎn)用于監(jiān)控?cái)z像頭和行車記錄器的1/4英寸VGA?CMOS圖像傳感器“TCM3211PB”?! ∵@款新傳感器采用5.6?μm大像素,提高了低光敏感度。即使在月光[1],也可以捕獲明亮的圖像?! ≡搨鞲衅鬟€整合了基于東芝算法的單幀HDR(高動(dòng)態(tài)范圍)功能[2]?。它可以減少假色[3]?,并能夠真實(shí)再現(xiàn)高對(duì)比度圖像的黑暗和明亮區(qū)域?! ≡摦a(chǎn)品的60?
- 關(guān)鍵字: 東芝 CMOS 傳感器
基于視覺的駕駛員輔助嵌入式系統(tǒng)(上)
- 本文簡(jiǎn)要描述了基于攝像頭的主動(dòng)安全系統(tǒng)的應(yīng)用、引入它的動(dòng)機(jī)及好處。此外,本文還介紹了視覺處理的未來解決方案與技術(shù)進(jìn)步,可確保在功率有限的情況下實(shí)現(xiàn)最大性能。適用于前照燈控制、車道保持、交通標(biāo)志識(shí)別及防碰撞功能的多功能前置攝像頭解決方案,目前使用分辨率高達(dá)120萬像素、每秒30幀的CMOS成像儀。隨著新一代傳感器的推出,分辨率將進(jìn)一步提高。要在惡劣的天氣和照明條件下可靠地檢測(cè)物體,需要復(fù)雜的算法。車道保持、自動(dòng)緊急剎車或交通擁堵輔助等半自動(dòng)駕駛員輔助功能需要帶有算法冗余的ASIL D安全級(jí)別,但所有這些
- 關(guān)鍵字: 嵌入式 CMOS FPGA MAC
非制冷紅外焦平面陣列電路設(shè)計(jì)
- 針對(duì)SOI二極管型非制冷紅外探測(cè)器,設(shè)計(jì)了一種新型讀出電路(ROIC)。該電路采用柵調(diào)制積分(GMI)結(jié)構(gòu),將探測(cè)器輸出電壓信號(hào)轉(zhuǎn)化為電流信號(hào)進(jìn)行積分。設(shè)計(jì)了虛擬電流源結(jié)構(gòu),消除線上壓降(IR drop)對(duì)信號(hào)造成的影響。電路采用0.35μm 2P4M CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì),5V電源電壓供電。當(dāng)探測(cè)器輸出信號(hào)變化范圍為0~5mV時(shí),讀出電路仿真結(jié)果表明:動(dòng)態(tài)輸出范圍2V,線性度99.68%,信號(hào)輸出頻率5MHz,功耗116mW。
- 關(guān)鍵字: 紅外 ROIC CMOS SOI GMI 201404
一種14位210MSPS校準(zhǔn)電流DAC設(shè)計(jì)
- 本文設(shè)計(jì)了一種3.3V 14位210MSPS 電流型DAC。該轉(zhuǎn)換器包括高速模擬開關(guān)、帶隙參考電路、電流調(diào)整電路和高速鎖存器等。采用了分段電流沉結(jié)構(gòu),同時(shí)還采取了電流源調(diào)整技術(shù),改善了芯片的線性參數(shù)。電路基于0.35μm CMOS工藝設(shè)計(jì),芯片面積3.8mm2。測(cè)試表明,其刷新率可達(dá)210MSPS,INL為±0.8LSB,DNL為±0.5LSB,SFDR@fclk=210MSPS為72dBC@fout=5.04MHz,在3.3V電壓下工作時(shí)功耗小于120mW。
- 關(guān)鍵字: DAC CMOS
rf-cmos介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)rf-cmos的理解,并與今后在此搜索rf-cmos的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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