- RF放大器,RF放大器主要參數有哪些?RF放大器的主要參數說明工作頻率范圍(F):指放大器滿足各級指標的工作頻率 ...
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RF放大器 RF
- Analog Devices, Inc.(NASDAQ:ADI),全球領先的高性能信號處理解決方案供應商,近日宣布推出面向射頻(RF)信號器件的超低噪聲LDO(低壓差)穩(wěn)壓器。ADM7150/1的工作電壓為4.5 V至16 V,最多可提供800 mA輸出電流,輸出電壓范圍為1.5至5.0 V。
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ADI RF 穩(wěn)壓器
- ROHM(羅姆)旗下的LAPIS Semiconductor憑借面向ZigBee?產品等長年開發(fā)的RF電路設計技術,開發(fā)出無線通信LSI“ML7105”,達成了收發(fā)數據時的電路電流目標。最大限度地發(fā)揮以往的技術積累,實現(xiàn)細致的電路電流的優(yōu)化和RF電路結構的大幅變更。
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LAPIS ROHM 無線通信 RF MCU 201311
- 2013 年 11 月5 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出具有1.5?低導通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模擬工藝,導通電阻只有1.5?
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Vishay CMOS 導通電阻
- 新計劃的第1階段將在3個相關又有所區(qū)別的領域支持6個探索性的項目:第1個領域是細胞形態(tài)-半導體電路設計領域,將從細胞生物學獲得的經驗應用到新型芯片體系結構中,反之亦然;第2個領域是生物電子傳感器、執(zhí)行器和能源領域,專門支持半導體生物混合系統(tǒng);第3個領域是分子級精確增材制造領域,將在受生物啟發(fā)的數納米級尺度上開發(fā)制造工藝。該研究計劃第1階段的研究成果將用于指導未來多代半導體合成生物技術研究。半導體研究聯(lián)盟的全球研究合作計劃將為第1階段研究投資225萬美元。-
麻省理工學院的RahulSarpe
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半導體 CMOS
- 該前置放大器采用了改良后的RGC結構作為輸入端。Cadence Virtuoso 仿真軟件的仿真結果表明:在光探測器結電容 ...
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RGC CMOS 前置放大器
- 設計了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運算放大器。主運放采用帶開關電容共模反饋的折疊式共源 ...
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增益 高速 CMOS 運算放大器
- MCS-51內部都有一個反相放大器,XTAL1、XTAL2分別為反相放大器輸入和輸出端,外接定時反饋元件以后就組成振蕩器 ...
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CMOS 單片機 時鐘電路
- 新日本無線推出的這款單電路軌至軌輸出的CMOS運放 NJU77806 的獨特之處是同時具有業(yè)界最低噪聲 (5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz) 和低功耗 (1.8V,500uA) 兩種特性,還備有良好的寬帶特性 (GBP=4.4MHz) 和強RF噪聲抑制能力,是一款兩全其美外加實用的好產品。
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新日本 CMOS 無線網絡
- 目前,在設計中使用的主要有3種電阻器:多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設計中,要根據需要靈活運用這3種電阻,使芯片的設計達到最優(yōu)。
1CMOS集成電路的性能及特點
1.1功耗低CMOS集成電路采用場效應管,且都是互補結構,工作時兩個串聯(lián)的場效應管總是處于一個管導通,另一個管截止的狀態(tài),電路靜態(tài)功耗理論上為零。實際上,由于存在漏電流,CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個門電路的功耗典型值僅為20mW,動態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時)也僅為幾mW。
1.2工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電
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CMOS 電阻
- 安立公司(董事長Hirokazu Hashimoto)宣布其RF/RRM一致性測試系統(tǒng)和協(xié)議一致性測試系統(tǒng)在LTE Advanced載波聚合的GCF認證中已經取得了領先地位。
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安立 測試系統(tǒng) RF/RRM
- 近年來,隨著無線通信、電源效率、極度微型化(如透過MEMS傳感器達到的迷你規(guī)格設計)以及嵌入式運算技術的不...
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RF 無線技術 無線傳感器網絡
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