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結(jié)合超寬帶測(cè)距和雷達(dá)功能以實(shí)現(xiàn)高級(jí)IoT應(yīng)用 11.14珠海｜與泰克共探半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)這里瞧瞧NXP技術(shù)培訓(xùn)視頻吧>> 來(lái)學(xué)習(xí)NXP基于i.MX處理器的工業(yè)解決方案吧！

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rf-cmos 文章進(jìn)入rf-cmos技術(shù)社區(qū)

基于CMOS多功能數(shù)字芯片的ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì)

摘要基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工藝設(shè)計(jì)了一種ESD保護(hù)電路。整體電路采用Hspice和CSMC 2P2M的0 6mu;m CMOS 工藝的工藝庫(kù)(06mixddct02 x24)仿真，基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工藝完成版圖設(shè)計(jì)，并在一款多功能故
關(guān)鍵字： ESD 保護(hù) 電路設(shè)計(jì) 芯片數(shù)字 CMOS 多功能基于

CCD傳感器與CMOS傳感器區(qū)別在哪里

CMOS針對(duì)CCD最主要的優(yōu)勢(shì)就是非常省電，不像由二極管組成的CCD，CMOS 電路幾乎沒(méi)有靜態(tài)電量消耗，只有在電路接通時(shí)才有電量的消耗。這就使得CMOS的耗電量只有普通CCD的1/3左右，這有助于改善人們心目中數(shù)碼相機(jī)是ld
關(guān)鍵字：傳感器哪里區(qū)別 CMOS CCD

CMOS攝像機(jī),什么是CMOS攝像機(jī)

CMOS傳感器的感光度一般在6到15Lux的范圍內(nèi)，CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音，固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個(gè)圖案，因?yàn)镃MOS傳感器在10Lux以下基本沒(méi)用，因此大量應(yīng)用的所有攝像機(jī)都是用了
關(guān)鍵字： CMOS 攝像機(jī) 什么

CMOS傳感器/SDDS,什么是CMOS傳感器/SDDS

CMOS傳感器CMOS傳感器是一種通常比CCD傳感器低10倍感光度的傳感器。光度一般在6到15Lux的范圍內(nèi)，CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音，固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個(gè)圖案，因?yàn)镃MOS傳感器在10
關(guān)鍵字： /SDDS 傳感器 CMOS 什么

一種帶有增益提高技術(shù)的高速CMOS運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

摘要：設(shè)計(jì)了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運(yùn)算放大器。主運(yùn)放采用帶開(kāi)關(guān)電容共模反饋的折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)，利用增益提高和三支路電流基準(zhǔn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)一個(gè)可用于12～14bit精度，100MS／s采樣頻率的高速流
關(guān)鍵字： CMOS 增益提高運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

設(shè)定相位同調(diào)RF量測(cè)系統(tǒng)：從MIMO到波束賦形

自從傳送出第一筆無(wú)線電波之后，工程師就持續(xù)發(fā)明新方法，以優(yōu)化電磁微波訊號(hào)。RF 訊號(hào)已廣泛用于多種應(yīng)用，其中又以無(wú)線通信與 RADAR 的 2 項(xiàng)特殊應(yīng)用正利用此常見(jiàn)技術(shù)。就本質(zhì)而言，此 2 項(xiàng)應(yīng)用的獨(dú)到之處，即是利用電磁波的空間維度 (Spatial dimension)。直到今天，許多無(wú)線通信系統(tǒng)整合了多重輸入/輸出 (MIMO) 天線架構(gòu)，以利用多重路徑的訊號(hào)傳播 (Propagation) 功能。
關(guān)鍵字： NI RF MIMO

RF芯片IA4420簡(jiǎn)介及其在無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸中的應(yīng)用

IA4420/21是射頻收發(fā)一體芯片，IA4420工作在315/433/868/915MHz頻段，IA4421工作在 433/868/915MHz頻段。芯片的工作電壓為2.2～5.4V，采用低功耗模式，待機(jī)電流為0.3mu;A，采用FSK調(diào)制模式，發(fā)射功率為 5～8dbm，接
關(guān)鍵字：無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用及其簡(jiǎn)介芯片 IA4420 RF

利用CMOS功率放大器優(yōu)化單芯片手機(jī)方案

每年生產(chǎn)10多億部手機(jī)的手機(jī)市場(chǎng)已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中競(jìng)爭(zhēng)最激烈的領(lǐng)域。一直有這種說(shuō)法：諸如砷化鎵（GaAs）、橫向 ...
關(guān)鍵字： CMOS 功率放大器單芯片手機(jī)

設(shè)定相位同調(diào) RF 量測(cè)系統(tǒng)：從 MIMO 到波束賦形

設(shè)定相位同調(diào) RF 量測(cè)系統(tǒng)：從 MIMO 到波束賦形概觀自從傳送出第一筆無(wú)線電波之后，工程師就持續(xù)發(fā)明新方法，以優(yōu)化電磁微波訊號(hào)。RF 訊號(hào)已廣泛用于多種應(yīng)用，其中又以無(wú)線通信與 RADAR 的 2 項(xiàng)特殊應(yīng)用正利用此常見(jiàn)
關(guān)鍵字： MIMO RF 設(shè)定量測(cè)系統(tǒng)

RF WCDMA基準(zhǔn)比較測(cè)試

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：基準(zhǔn)比較測(cè)試 RF WCDMA PXI RF儀器

AMD明年啟用28nm CMOS工藝

　　AMD公司高級(jí)副總裁兼首席技術(shù)官M(fèi)ark Papermaster表示，AMD在2013年芯片生產(chǎn)工藝將有重大變化，將完全從現(xiàn)有的SOI制造工藝切換到28nm Bulk CMOS工藝。至于GPU制造，AMD并不打算作出任何改變。目前南方群島系列GPU，已經(jīng)采用臺(tái)積電28nm工藝，而AMD秋季即將推出的海島系列GPU將繼續(xù)采用相同工藝，海島系列GPU已經(jīng)進(jìn)入樣品試生產(chǎn)階段，在2012年年底開(kāi)始生批量生產(chǎn)，在2013年第一季度正式發(fā)布。　　在評(píng)論異構(gòu)系統(tǒng)架構(gòu)(HSA)聯(lián)盟，是否用來(lái)應(yīng)對(duì)英特爾和NVIDI
關(guān)鍵字： ARM CMOS

CMOS器件抗靜電措施的研究

摘要：由于CMOS器件靜電損傷90％是延遲失效，對(duì)整機(jī)應(yīng)用的可靠性影響太大，因而有必要對(duì)CMOS器件進(jìn)行抗靜電措施。本文描述了CMOS器件受靜電損傷的機(jī)理，從而對(duì)設(shè)計(jì)人員提出了幾種在線路設(shè)計(jì)中如何抗靜電，以保護(hù)CMOS
關(guān)鍵字：研究措施抗靜電器件 CMOS

RF預(yù)失真修正信號(hào)

現(xiàn)代RF放大器既需要線性也需要高效率。線性要求是源于現(xiàn)代調(diào)制方法的使用，如QAM(正交幅度調(diào)制)和OFDM(正交頻分多址調(diào)制，參考文獻(xiàn)1)。這些放大器還需要效率，以降低功耗和減少散熱。開(kāi)發(fā)人員通常將現(xiàn)代RF放大器組件
關(guān)鍵字：信號(hào) 修正失真 RF

IC芯片的晶圓級(jí)射頻(RF)測(cè)試分析

　對(duì)于超薄介質(zhì)，由于存在大的漏電和非線性，通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)I-V和C-V測(cè)試不能直接提取氧化層電容(Cox)。然而，使用高頻電路模型則能夠精確提取這些參數(shù)。隨著業(yè)界邁向65nm及以下的節(jié)點(diǎn)，對(duì)于高性能/低成本數(shù)字電路，RF電路
關(guān)鍵字：測(cè)試分析 RF 射頻芯片 IC

CMOS工藝多功能數(shù)字芯片的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)

摘要：為了提高數(shù)字集成電路芯片的驅(qū)動(dòng)能力，采用優(yōu)化比例因子的等比緩沖器鏈方法，通過(guò)Hspice軟件仿真和版圖設(shè)計(jì)測(cè)試，提出了一種基于CSMC 2P2M 0．6mu;m CMOS工藝的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)方案。本文完成了系統(tǒng)的電原理
關(guān)鍵字：輸出緩沖電路設(shè)計(jì) 芯片數(shù)字工藝多功能 CMOS

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rf-cmos介紹

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rf-cmos電路

精密CMOS運(yùn)算放大器提供低輸入漏電流和經(jīng)濟(jì)實(shí)惠
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cmos反相器設(shè)計(jì)電路圖

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