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Mouser 推出增強版全新射頻無線技術(shù)網(wǎng)站
- 2013 年 1 月 24 日 – Mouser Electronics宣布對 Mouser.com 上涵蓋射頻 (RF)無線技術(shù)的最新技術(shù)網(wǎng)站內(nèi)容的擴充，現(xiàn)已能提供領(lǐng)先的即插即用射頻解決方案。 通過該全新射頻無線技術(shù)網(wǎng)站的增強型解決方案中心，能夠幫助設(shè)計工程師挑選無線電頻率經(jīng)驗證的最新集成解決方案和即插即用模塊，并即時為現(xiàn)有應(yīng)用增加無線功能。 該解決方案中心匯聚了來自 Skyworks、Murata、Panasonic 和 Texas Instruments 等業(yè)界領(lǐng)先的制造商提供
- 關(guān)鍵字： Mouser 無線技術(shù) RF
下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm
- 在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術(shù)藍(lán)圖現(xiàn)在直接跳過了20nm節(jié)點，直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。 根據(jù)SOI Consortium執(zhí)行總監(jiān)Horacio Mendez在該場會議上展示的投影片與評論指出，14nm FD-SOI技術(shù)問世的時間點約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當(dāng)，而兩者的性能表現(xiàn)差不多，F(xiàn)
- 關(guān)鍵字： ST FD-SOI 10nm
ST宣布les晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI
- 12月13日，意法半導(dǎo)體宣布其在28納米 FD-SOI 技術(shù)平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術(shù)，這證明了意法半導(dǎo)體以28納米技術(shù)節(jié)點提供平面全耗盡技術(shù)的能力。在實現(xiàn)極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時，而不犧牲電池的使用壽命的情況下，嵌入式處理器需具有市場上最高的性能及最低的功耗，意法半導(dǎo)體28納米技術(shù)的投產(chǎn)可解決這一挑戰(zhàn)，滿足多媒體和便攜應(yīng)用市場的需求。 FD-SOI技術(shù)平臺包括全功能且經(jīng)過硅驗證的設(shè)計平臺和設(shè)
- 關(guān)鍵字： ST 晶圓 FD-SOI
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