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東芝跑第一,64 層 3D Flash 開始試產(chǎn)送樣
- 據(jù)海外媒體報(bào)道,韓國三星電子為全球第一家量產(chǎn) 3D 架構(gòu) NAND 型快閃存儲器(Flash Memory)的廠商,不過其NAND Flash 最大競爭對手東芝(Toshiba)追趕速度驚人,宣布已領(lǐng)先全球同業(yè),研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 產(chǎn)品(見首圖),且開始進(jìn)行送樣。 東芝 27 日發(fā)布新聞稿宣布,已研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術(shù),并自今日起領(lǐng)先全球同業(yè)開始進(jìn)行樣品出貨,且預(yù)計(jì)將透過甫于 7 月完工的四日市工廠“新第 2 廠房”進(jìn)行生
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全快閃儲存導(dǎo)入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌
- 許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲存陣列的成本,如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導(dǎo)入低成本的TLCFlash記憶體;眾多廠商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列,也改變了既有的全快閃儲存市場消長 在全快閃儲存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期,唯一的賣點(diǎn)便是高效能,應(yīng)用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴(kuò)展應(yīng)用環(huán)境,后來的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段: 第一階段是效能導(dǎo)向。提供高效能,是全快閃儲存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的,早期的全快閃儲存陣列
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全快閃儲存導(dǎo)入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌
- 許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲存陣列的成本,如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導(dǎo)入低成本的TLC Flash記憶體;眾多廠商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列,也改變了既有的全快閃儲存市場消長 在全快閃儲存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期,唯一的賣點(diǎn)便是高效能,應(yīng)用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴(kuò)展應(yīng)用環(huán)境,后來的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段: 第一階段是效能導(dǎo)向。提供高效能,是全快閃儲存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的,早期的全快閃儲存陣
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NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢明顯 價(jià)格走揚(yáng)
- 第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯,TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng)。 TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示,第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯,TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng),而近一個(gè)月漲幅開始增加。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆琋AND Flash原廠持續(xù)降低對于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
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下半年NAND Flash一定缺貨,且會非常缺
- 全球儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應(yīng)商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示,固態(tài)硬碟(SSD)價(jià)格已到甜蜜點(diǎn),今年出貨將大爆發(fā),成為成長最強(qiáng)勁的記憶體產(chǎn)品;法人預(yù)估臺廠概念股群聯(lián)、創(chuàng)見、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等,可望掀比價(jià)效應(yīng)。 慧榮是以臺灣為研發(fā)重心,立足全球的國際公司,上周五(20日)股價(jià)以每股42.19美元?jiǎng)?chuàng)2005年6月在美國那斯達(dá)克掛牌以來新高,市值達(dá)1.48億美元(約新臺幣48.5億元),同創(chuàng)歷史新高。 茍嘉章昨天主持慧榮愛心園游會后,針對今年NAND Fl
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發(fā)展Flash晶圓制造的四大投資方向
- 中國大陸業(yè)者在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展,成為中國大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。 某研究所最新研究報(bào)告顯示,隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴(kuò)廠,及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能,預(yù)估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達(dá)59萬片,相較于2015年增長近7倍。 預(yù)估2012~2016年NANDFlash生產(chǎn)端年平均位元增長率達(dá)47%,其最終消費(fèi)端需求年平均位增長率亦高達(dá)46%,顯示NANDFlash仍為高速發(fā)展產(chǎn)業(yè)。 拓墣
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TrendForce:2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能上看59萬片
- 中國大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展,成為中國大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報(bào)告顯示,隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴(kuò)廠,及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能,預(yù)估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達(dá)59萬片,相較于2015年增長近7倍。 TrendForce預(yù)估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長率達(dá)47%,其最終消費(fèi)端需求年平均位增長率亦高達(dá)46%,顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
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Flash芯片你都認(rèn)識嗎?
- Flash存儲器,簡稱Flash,它結(jié)合了ROM和RAM的長處,不僅具備電子可擦除可編程的性能,還不會因斷電而丟失數(shù)據(jù),具有快速讀取數(shù)據(jù)的特點(diǎn);在現(xiàn)在琳瑯滿目的電子市場上,F(xiàn)lash總類可謂繁多,功能各異,而你對它了解有多少呢? 為了讓大家更深入了解Flash,今天將主要根據(jù)芯片的通信協(xié)議并且結(jié)合Flash的特點(diǎn),給大家一個(gè)全新認(rèn)識?! ∫弧IC?EEPROM IIC?EEPROM,采用的是IIC通信協(xié)議;IIC通信協(xié)議具有的特點(diǎn):簡單的兩條總線線路,一條串行數(shù)據(jù)線(SDA)
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Flash與SAS硬碟價(jià)格2015年恐現(xiàn)死亡交叉
- 資料儲存解決方案大廠NetApp表示,經(jīng)由云端與Flash兩股推力驅(qū)動,讓近年IT基礎(chǔ)架構(gòu)進(jìn)入新一波的轉(zhuǎn)型期,其中2016年經(jīng)由融合式基礎(chǔ)架構(gòu)(Converged Infrastructure)、DevOps(Development and Operations)系統(tǒng)工具應(yīng)用性竄升,將讓2016年成為IT的精簡之年。 此外值得注意的是,TLC架構(gòu)的Flash存儲器借由需求性提升及單位成本快速下降,預(yù)期今年每GB的FLash價(jià)格也將較SAS硬碟更低,并讓All Flash資料中心的將進(jìn)入主流儲存領(lǐng)
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手機(jī)標(biāo)稱16G內(nèi)存,為何實(shí)際卻少于16G
- 摘要:現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質(zhì),就是各類移動終端及手機(jī)的主要存儲介質(zhì)。兩者有何區(qū)別,存儲芯片的實(shí)際大小與標(biāo)稱值又有什么關(guān)系呢? 我們總是在說手機(jī)內(nèi)存,那到底是用什么介質(zhì)存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機(jī)興起后,為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的,是NAND Flash的升級版,他的結(jié)構(gòu)如下: 我們接觸到的16G、32G等手機(jī),為何實(shí)際存儲容量卻總是小于這些值呢?難道
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中國下個(gè)購并標(biāo)的:NAND Flash控制芯片
- 中國政府近來積極透過中資集團(tuán)陸續(xù)收購或入資海外半導(dǎo)體公司,期建立自有半導(dǎo)體供應(yīng)鏈?,F(xiàn)階段,邏輯晶片從設(shè)計(jì)、制造到封裝測試皆已具雛型,反觀記憶體領(lǐng)域則為主要發(fā)展缺口。資策會MIC認(rèn)為,中資集團(tuán)下一波購并目標(biāo)將鎖定NAND Flash控制晶片業(yè)者,并設(shè)法取得大規(guī)模制造產(chǎn)能,以補(bǔ)強(qiáng)記憶體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 資策會MIC產(chǎn)業(yè)顧問兼主任洪春暉表示,中國近期積極透過購并,來改善半導(dǎo)體自制比例過低的情形,現(xiàn)今中國在本土邏輯IC設(shè)計(jì)、晶圓代工、邏輯IC封測等產(chǎn)業(yè)鏈上,已有一定程度的發(fā)展,上述領(lǐng)域皆具有本土廠商或已與外商
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TrendForce:經(jīng)濟(jì)前景未明,2016年全球NAND Flash產(chǎn)值增長有限
- 全球經(jīng)濟(jì)依舊前景不明,各項(xiàng)NAND Flash終端需求廠商態(tài)度相對保守,TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,由于終端設(shè)備平均搭載量與固態(tài)硬盤(SSD)需求增長,2016年整體NAND Flash需求位量將較2015年增長44%,然而生產(chǎn)端為了快速降低成本以刺激更多的需求,NAND Flash廠商將會加速3D-NAND Flash的開發(fā),整體NAND Flash年度位元產(chǎn)出增長率將大幅增長50%。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆?016年NAND Fl
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掌握ECC/壞區(qū)塊管理眉角 NAND Flash嵌入式應(yīng)用效能增
- NAND Flash記憶體在出廠時(shí)是允許部分晶片含有壞區(qū)塊,或者好的區(qū)塊中含有一些錯(cuò)誤位元,因此在實(shí)際應(yīng)用時(shí),須搭配使用控制器,透過硬體與軟體進(jìn)行壞區(qū)塊管理,以及利用錯(cuò)誤更正編碼(ECC)演算法修正錯(cuò)誤位元,方能提升嵌入式系統(tǒng)儲存效能。 NAND型快閃記憶體(NAND Flash) IC的技術(shù)演進(jìn)快速,平均每1∼2年就前進(jìn)一個(gè)制程世代來降低成本,在售價(jià)大幅下降情況下,愈來愈多嵌入式系統(tǒng),例如:藍(lán)光播放器、電視、數(shù)位相機(jī)、印表機(jī)等應(yīng)用均采用NAND低成本的優(yōu)勢,取代原本使用的NOR型快閃記
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