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消息稱三星電子計劃從下月起大幅提高 NAND 閃存價格
- 10 月 6 日消息,據(jù)韓媒 Business Korea 報道,三星內(nèi)部認(rèn)為目前 NAND Flash 供應(yīng)價格過低,公司計劃今年四季度起,調(diào)漲 NAND Flash 產(chǎn)品的合約價格,漲幅在 10% 以上,預(yù)計最快本月新合約便將采用新價格?!?圖源韓媒 Business Korea自今年年初以來,三星一直奉行減產(chǎn)戰(zhàn)略,IT之家此前曾報道,三星的晶圓產(chǎn)量大幅下降了 40%,最初的減產(chǎn)舉措主要集中在 DRAM 領(lǐng)域,之后下半年三星開始著手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務(wù)產(chǎn)量,眼下正試圖推動
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND flash 漲價
集邦咨詢:2023Q4 NAND 價格預(yù)估增長 3-8%,DRAM 要開啟增長周期
- IT之家 9 月 27 日消息,存儲制造商在經(jīng)歷了有史以來最長的下降周期之后,終于看到了 DRAM 市場復(fù)蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報道,伴隨著主要存儲制造商的持續(xù)減產(chǎn),已經(jīng)市場去庫存效果顯現(xiàn),預(yù)估 NAND Flash 價格回暖之后,DRAM 價格也會上漲。NAND 閃存供應(yīng)商為減少虧損,2023 年以來已經(jīng)進(jìn)行了多次減產(chǎn),目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現(xiàn),消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價格出現(xiàn)反彈,9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產(chǎn),主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中,在 9 月產(chǎn)量下降了
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第二季NAND Flash營收環(huán)比增長7.4%,預(yù)期第三季將成長逾3%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,第二季NAND Flash市場需求仍低迷,供過于求態(tài)勢延續(xù),使NAND Flash第二季平均銷售單價(ASP)續(xù)跌10~15%,而位元出貨量在第一季低基期下環(huán)比增長達(dá)19.9%,合計第二季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比增長7.4%,營收約93.38億美元。自第二季起,三星(Samsung)加入減產(chǎn)行列,且預(yù)期第三季將擴大減產(chǎn)幅度,供給收斂的同時也在醞釀漲價,供過于求態(tài)勢有望因此獲得改善。不過,由于NAND Flash產(chǎn)業(yè)供應(yīng)商家數(shù)多,在庫存仍高的情
- 關(guān)鍵字: NAND Flash TrendForce
NAND Flash第四季價格有望止跌回升
- 近日,三星(Samsung)為應(yīng)對需求持續(xù)減弱,宣布9月起擴大減產(chǎn)幅度至50%,減產(chǎn)仍集中在128層以下制程為主,據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查,其他供應(yīng)商預(yù)計也將跟進(jìn)擴大第四季減產(chǎn)幅度,目的加速庫存去化速度,預(yù)估第四季NAND Flash均價有望因此持平或小幅上漲,漲幅預(yù)估約0~5%。價格方面,如同年初TrendForce集邦咨詢預(yù)測,NAND Flash價格反彈會早于DRAM,由于NAND Flash供應(yīng)商虧損持續(xù)擴大,銷售價格皆已接近生產(chǎn)成本,供應(yīng)商為了維持營運而選擇擴大減產(chǎn),以期帶動價
- 關(guān)鍵字: NAND Flash Wafer TrendForce
行業(yè)庫存情況如何?國內(nèi)一存儲廠商回應(yīng)
- 近日,存儲器芯片供應(yīng)商普冉股份披露投資者關(guān)系活動記錄表。關(guān)于NOR Flash行業(yè)庫存情況,普冉股份表示,NOR Flash終端客戶的原廠庫存以及渠道庫存已經(jīng)幾近健康,設(shè)計原廠的庫存調(diào)整也逐步接近尾聲。接下來一段時間,各廠商依然會采取適當(dāng)?shù)慕祪r策略去化庫存。但隨著行業(yè)庫存逐步健康,行業(yè)格局逐步出清,預(yù)計下半年會持續(xù)向好,價格也會逐步回歸平穩(wěn)態(tài)勢,公司將密切關(guān)注后續(xù)市場走勢。普冉股份強調(diào),公司將積極地進(jìn)行戰(zhàn)略盤整,持續(xù)調(diào)整以應(yīng)對市場的迅速變化。面對激烈的行業(yè)競爭格局,機遇與挑戰(zhàn)并存,公司會充分發(fā)揮公司的
- 關(guān)鍵字: 存儲 普冉股份 NOR Flash
NAND 原廠過夠了「苦日子」,有晶圓合約成功漲價 10%
- 廠家期待觸底后的反彈早日到來。
- 關(guān)鍵字: NAND Flash
基于FPGA的NAND Flash的分區(qū)續(xù)存的功能設(shè)計實現(xiàn)
- 傳統(tǒng)的控制器只能從NAND Flash存儲器的起始位置開始存儲數(shù)據(jù),會覆蓋上次存儲的數(shù)據(jù),無法進(jìn)行數(shù)據(jù)的連續(xù)存儲。針對該問題,本文設(shè)計了一種基于FPGA的簡單方便的NAND Flash分區(qū)管理的方法。該方法在NAND Flash上開辟專用的存儲空間,記錄最新分區(qū)信息,將剩余的NAND Flash空間劃成多個分區(qū)。本文給出了分區(qū)工作機理以及分區(qū)控制的狀態(tài)機圖,并進(jìn)行了驗證。
- 關(guān)鍵字: 202308 NAND Flash FPGA 分區(qū) 起始地址
ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么?一次性搞清楚!
- 簡單解釋ROMROM:只讀存儲器,內(nèi)容寫入后就不能更改了,制造成本比較低,常用于電腦中的開機啟動如啟動光盤bios,在系統(tǒng)裝好的電腦上時,計算機將C盤目錄下的操作系統(tǒng)文件讀取至內(nèi)存,然后通過cpu調(diào)用各種配件進(jìn)行工作這時系統(tǒng)存放存儲器為RAM。PROM:可編程程序只讀存儲器,但是只可以編寫一次。EPROM:可抹除可編程只讀存儲器,可重復(fù)使用。EEPROM:電子式可抹除可編程只讀存儲器,類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場完成。RAMRAM:隨機存取存儲器,也叫主存,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器
- 關(guān)鍵字: ROM RAM FLASH DDR EMMC
6月中國市場NAND Flash Wafer部分容量合約價有望小幅翻揚
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查,5月起美、韓系廠商大幅減產(chǎn)后,已見到部分供應(yīng)商開始調(diào)高wafer報價,對于中國市場報價均已略高于3~4月成交價。因此,TrendForce集邦咨詢預(yù)估6月在模組廠啟動備貨下,主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反彈,結(jié)束自2022年5月以來的猛烈跌勢,預(yù)期今年第三季起將轉(zhuǎn)為上漲,漲幅約0~5%,第四季漲幅將再擴大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等產(chǎn)品庫存仍待促銷去化,現(xiàn)階段價格尚未有上漲跡象。下半年旺季備貨周期將至,盡管今
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傳鎧俠/西數(shù)合并進(jìn)入最終階段 NAND Flash營收或超三星?
- 近日,據(jù)日本共同社消息,日本存儲器大廠鎧俠與合作方美國西部數(shù)據(jù)的合并經(jīng)營已經(jīng)進(jìn)入最終收尾調(diào)整階段。目前,作為全球知名的存儲器廠商,鎧俠和西部數(shù)據(jù)既是競爭對手又是合作伙伴,目前兩家公司正在共同運營巖手縣北上市和三重縣四日市的工廠。報道引用相關(guān)人士消息稱,鎧俠和西部數(shù)據(jù)正在探討出資設(shè)立新公司、統(tǒng)一開展半導(dǎo)體生產(chǎn)及營銷的方案等,未來雙方將進(jìn)行經(jīng)營合并,擬由鎧俠掌握主導(dǎo)權(quán),關(guān)于出資比率等將繼續(xù)探討。報道稱,由于面向智能手機等的半導(dǎo)體行情疲軟、業(yè)績低迷,鎧俠和西部數(shù)據(jù)此舉意在提升經(jīng)營效率并提高競爭力。資料顯示,鎧俠
- 關(guān)鍵字: 鎧俠 西數(shù) NAND Flash 三星
DDR5 重新下跌,內(nèi)存現(xiàn)貨價格未見回暖
- 業(yè)界對 DDR5 DRAM 的市場預(yù)期不太樂觀。
- 關(guān)鍵字: NAND Flash NAND DDR5
需求持續(xù)下修,第一季NAND Flash總營收環(huán)比下跌16.1%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,第一季NAND Flash買方采購動能保守,供應(yīng)商持續(xù)透過降價求售,但第一季NAND Flash位元出貨量僅微幅環(huán)比增長2.1%,平均銷售(ASP)單價季減15%,合計NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收約86.3億美元,環(huán)比減少16.1%。SK集團(tuán)(SK hynix & Solidigm)及西部數(shù)據(jù)(WDC)量價齊跌,沖擊營收表現(xiàn),環(huán)比下降均逾兩成。SK集團(tuán)受淡季及削價競爭影響,第一季NAND Flash營收僅13.2億美元,環(huán)比減少24.8%
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兆易創(chuàng)新超小尺寸128Mb SPI NOR Flash面世
- 中國北京(2023年5月16日) —— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼 603986)今日宣布,率先推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封裝的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH,其最大厚度僅為0.4mm,容量高達(dá)128Mb,是目前業(yè)界在此容量上能實現(xiàn)的最小塑封封裝產(chǎn)品,可在應(yīng)對大容量代碼存儲需求的同時,提供極大限度的緊湊型設(shè)計自由。近年來,隨著物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴、健康監(jiān)護(hù)、網(wǎng)通等應(yīng)用的快速發(fā)展,市場需求變化多樣,不僅要在精致小巧的產(chǎn)品形態(tài)中
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復(fù)旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲器新品
- 4月27日,上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會,推出FM25/FM29系列SLC NAND,F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝,滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求,應(yīng)用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝,具備低功耗、
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英飛凌推出 256 Mbit SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品
- 【2023 年 04 月 10日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)近日推出 SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品。這種存儲器經(jīng)過專門優(yōu)化,適合在電池供電的小型電子設(shè)備中使用。健身追蹤器、智能耳機、健康監(jiān)測儀、無人機和 GPS 導(dǎo)航等新型可穿戴應(yīng)用及工業(yè)應(yīng)用不斷涌現(xiàn),有助于實現(xiàn)精準(zhǔn)跟蹤、記錄關(guān)鍵信息、增強安全性、降低噪聲等更多功能。這些先進(jìn)的功能和使用場景要求在體積更小的電子設(shè)備中配備更大容量的存儲器。據(jù)Omdia 數(shù)據(jù)顯示,藍(lán)牙耳
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