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SK海力士開發(fā)出適用于數(shù)據(jù)中心的高性能固態(tài)硬盤“PEB110 E1.S”
- 采用第五代PCIe，較上一代產(chǎn)品性能提高一倍，能效提升30%以上· 經(jīng)客戶驗證后，將于明年第二季度開始量產(chǎn)· 增強數(shù)據(jù)中心的SSD產(chǎn)品組合，滿足多樣化客戶需求· “不僅在HBM領(lǐng)域，同時在NAND閃存解決方案SSD產(chǎn)品領(lǐng)域，鞏固全球頂級面向AI的存儲器供應(yīng)商領(lǐng)導(dǎo)者地位”2024年9月11日，SK海力士宣布，公司開發(fā)出適用于數(shù)據(jù)中心的高性能固態(tài)硬盤（SSD，Solid State Drive）產(chǎn)品“PEB110 E1.S”（以下簡稱 PEB110）。SK海力士表示：“隨著AI時代的全面到
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敷形涂覆在潮濕環(huán)境中的應(yīng)用—易被忽略的三個性能要素
- 在技術(shù)更迭日新月異的今天，尤其是新能源汽車行業(yè)引領(lǐng)的高壓系統(tǒng)（如800V功率模塊）的高速發(fā)展，電子業(yè)對電子組件的防護性能提出了前所未有的高要求。潮濕、離子污染、顆粒殘留等因素成為了影響絕緣性能、引發(fā)漏電及設(shè)備損壞的重大隱患。為了提升電子組件的防護能力，行業(yè)普遍采用敷形涂覆技術(shù)(Conformal coating，俗稱三防漆)。經(jīng)過涂覆工藝后的電子產(chǎn)品如同穿上一層“隱形盔甲，既強化了抵御外界侵害的能力，也促進了電路板設(shè)計中導(dǎo)體間距的減小，從而有效維持了電氣絕緣性的穩(wěn)定。敷形涂覆技術(shù)在潮濕環(huán)境中的性能評估是多
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7折購！米爾基于全志T113系列開發(fā)板
- 全志T113系列芯片是目前比較受歡迎的國產(chǎn)入門級嵌入式工業(yè)芯片。米爾是基于T113芯片開發(fā)較早、提供配置最全的廠家，目前是唯一一家提供T113-S和T113-i兩種芯片核心板的廠家。T113-i的核心板兼容T113-S的核心板，同一個硬件設(shè)計，有多種更適合的選擇。2種芯片，多種配置，全志T113系列產(chǎn)品自上市以來已得到各行各業(yè)的應(yīng)用，為回饋廣大客戶的支持，助力國產(chǎn)芯的發(fā)展，米爾在特推出特大優(yōu)惠活動，開發(fā)板7折，限量150套！搶購鏈接：全志科技T113系列處理器是一款基于雙核 Cortex-A7 + HiF
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ZESTRON邀你參加R&S在線講座
- 成熟的制造工藝開發(fā)是產(chǎn)品可靠性的重要基石。IPC-B-52 測試板能更好的代表制造材料和工藝，同時滿足表面絕緣電阻 (SIR)測試和離子色譜（IC）測試的需要，可用于評估驗證工藝過程，或從可靠性的角度提供制程可接受性的客觀證據(jù)，使測試或證明材料和工藝兼容性的工作變得更加簡單。5月23日，ZESTRON R&S可靠性專家、IPC 亞洲會員社區(qū)特邀專家王克同老師將帶來在線講座《駕馭電子制造工藝開發(fā)-善用IPC-B-52測試板驗證工藝》。演講圍繞探討電子行業(yè)工藝開發(fā)的挑戰(zhàn)、介紹IPC-B-52測試板的核
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羅德與施瓦茨最新推出頻率高達40 GHz的R&S SMB100B微波信號發(fā)生器
- 羅德與施瓦茨（以下簡稱“R&S”）的新型R&S SMB100B微波信號發(fā)生器有四種頻率可供選擇，頻率范圍分別為8 kHz 至 12.75 GHz、20 GHz、31.8 GHz 或 40 GHz，為模擬微波信號發(fā)生帶來了出色的輸出功率、頻譜純度、極低的近端相位噪聲以及幾乎可忽略的寬帶噪聲。新推出的R&S SMB100B模擬微波信號發(fā)生器性能卓越，在中端級別高達40 GHz的模擬信號發(fā)生領(lǐng)域處于市場領(lǐng)先地位。R&S SMB100B操作簡便、功能全面，是所有需要干凈模擬信號或高
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國內(nèi)首款 2Tb/s 三維集成硅光芯粒成功出樣
- 5 月 10 日消息，國家信息光電子創(chuàng)新中心（NOEIC）公眾號昨日發(fā)布博文，攜手鵬城實驗室組建光電融合聯(lián)合團隊，成功研制出國內(nèi)首款 2Tb / s 硅光互連芯粒（chiplet），且在國內(nèi)首次驗證了 3D 硅基光電芯粒架構(gòu)，實現(xiàn)了單片最高達 8×256Gb / s 的單向互連帶寬。2Tb / s 硅基 3D 集成光發(fā)射芯粒圖源：NOEIC2Tb / s 硅基 3D 集成光接收芯粒圖源：NOEIC該團隊在 2021 年 1.6T 硅光互連芯片的基礎(chǔ)上，進一步突破了光電協(xié)同設(shè)計仿真方法，研制出硅光配套的單路
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羅德與施瓦茨推出頻率可達50GHz的R&S FSPN50，專用于相位噪聲分析和VCO測量
- R&S嚴格執(zhí)行相位噪聲分析和壓控振蕩器 (VCO) 測量功能，所有R&S FSPN型號均具有出色的性價比。R&SFSPN既能進行高速測量，同時又能提供合成器、VCO、OCXO 和 DRO 等信號源參數(shù)表征所需的高準確度。更高測試速度和更高精度之間總是不能兼得，測試者需要選擇最適合其應(yīng)用的設(shè)置。從這個角度看，R&S FSPN 不僅是生產(chǎn)測試的理想解決方案，還能滿足許多振蕩器開發(fā)要求。新型R&S FSPN50的頻率范圍為 1MHz至50GHz，是對現(xiàn)有8GHz和26.5
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D型觸發(fā)器的電路和操作
- D型觸發(fā)器是基本的數(shù)字存儲器元件。在這里，我們檢查它們的輸入輸出行為和內(nèi)部電路。邏輯門是所有數(shù)字技術(shù)的組成部分。然而，只有組合邏輯電路是不可能實現(xiàn)現(xiàn)代世界龐大的計算功能的。在完全由組合邏輯組成的電路中，輸出僅取決于輸入的當前狀態(tài)。所有信號通過互連的邏輯門直接從輸入移動到輸出。為了實現(xiàn)我們與當今數(shù)字技術(shù)相關(guān)的先進計算和信號處理，我們需要組合邏輯和數(shù)字存儲器。換句話說，我們需要時序邏輯。雖然組合邏輯允許我們構(gòu)建有用的設(shè)備，如加法器、多路復(fù)用器和編碼器，但正是時序邏輯讓我們進入微處理器領(lǐng)域。在時序邏輯電路中，輸
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羅德與施瓦茨將展示計劃中的新藍牙信號的首次實時測量結(jié)果，以支持信道探測
- 信道探測（Channel Sounding）, Rohde & Schwarz, 羅德與施瓦茨（簡稱R&S）
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全球首張「無人駕駛載人航空器」生產(chǎn)許可證頒給億航智能
- 據(jù)微信公眾號「億航智能」消息，中國民航局7日在廣東廣州正式頒發(fā)首張無人駕駛載人航空器生產(chǎn)許可證，這也是全球eVTOL（電動垂直起降飛行器）行業(yè)內(nèi)首張生產(chǎn)許可證。億航智能EH216-S獲得首張生產(chǎn)許可證，標志著這款航空器率先邁入規(guī)?；a(chǎn)階段，為下一步的商業(yè)化運營提供重要保障。觀察者網(wǎng)報導(dǎo)，生產(chǎn)許可證是大陸民航局頒發(fā)給航空器制造商的重要、關(guān)鍵證書。EH216-S的批量生產(chǎn)質(zhì)量管理體系覆蓋原材料、供貨商管理、生產(chǎn)組織、生產(chǎn)質(zhì)量管控、航空器出廠測試、售后維修維護等環(huán)節(jié)，讓每一個生產(chǎn)環(huán)節(jié)都有章可循、有據(jù)可查，確保
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R&S EPL1000 EMI測試接收機為設(shè)備開發(fā)商和一致性測試機構(gòu)提供高達30MHz的快速、準確和可靠的EMI認證測量
- 眾多家用電器產(chǎn)品的電磁發(fā)射必須符合CISPR 14-1標準中要求的高達 30 MHz 的傳導(dǎo)測試。R&S EPL1000 EMI測試接收機以極具吸引力的價格滿足了所設(shè)要求，并符合 CISPR 針對頻段A 和頻段B的測試流程。新的 R&S EPL1-K59 喀嚦聲率分析儀選件可根據(jù) CISPR 14-1的要求進行測量。這些測量對于具有開關(guān)操作的家用電器和電動工具（如烤箱、空調(diào)和洗衣機）來說是強制性的，因為開關(guān)操作會導(dǎo)致斷續(xù)干擾（"喀嚦聲"）或尖峰發(fā)射。R&S EP
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講座預(yù)告|ZESTRON R&S《駕馭汽車零部件全面清潔度管理》
- 汽車電子行業(yè)的高標準清潔度管理涵蓋了從原材料選擇、生產(chǎn)制造、組裝直至成品檢驗的各個環(huán)節(jié)，對零部件表面污染物進行全面管控，通過精密檢測和嚴格控制，以確保滿足高可靠性的應(yīng)用需求。3月28日，ZESTRON R&S（可靠性和表面技術(shù)）為業(yè)內(nèi)人士帶來免費在線講座《駕馭汽車零部件全面清潔度管理-離子清潔度、技術(shù)清潔度及膜層清潔度》。本期演講嘉賓是ZESTRON北亞區(qū) R&S高級技術(shù)分析師、失效分析專家趙俊亮。他擁有16年以上電子行業(yè)從業(yè)經(jīng)驗，曾供職于全球知名的電子制造企業(yè)，工作廣泛涉及新產(chǎn)品導(dǎo)入、設(shè)
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愛普高電容密度硅電容S-SiCap? Gen3通過客戶驗證
- 全球客制化存儲芯片解決方案設(shè)計公司愛普科技今日宣布，新一代硅電容(S-SiCap?, Stack Silicon Capacitor) Gen3已通過客戶驗證，此產(chǎn)品具備超高電容密度及超薄(<100um薄度)等優(yōu)勢，可在先進封裝制程中與系統(tǒng)單芯片(SoC)進行彈性客制化整合，滿足客戶在高端手機及高性能計算(HPC)芯片的應(yīng)用需求。愛普科技的S-SiCap?使用先進的堆棧式電容技術(shù)(Stack Capacitor)開發(fā)，相比傳統(tǒng)深溝式電容技術(shù)(Deep Trench Capacitor)的電容密度
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