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意法半導體推出第三代碳化硅產(chǎn)品，推動電動汽車和工業(yè)應用未來發(fā)展
- ※? ?意法半導體最新一代碳化硅 (SiC) 功率器件，提升了產(chǎn)品性能和可靠性，保持慣有領先地位，更加適合電動汽車和高能效工業(yè)應用※? ?持續(xù)長期投資 SiC市場，意法半導體迎接未來增長服務多重電子應用領域的全球半導體領導者意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)近日推出第三代STPOWER碳化硅 (SiC) MOSFET晶體管[1]，推進在電動汽車動力系統(tǒng)功率設備的前沿應用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性為重要目標的場景應用。作為 Si
- 關鍵字： MOSFET
CISSOID 和 Silicon Mobility 宣布推出新能源汽車緊湊及高效碳化硅逆變器，并以此體現(xiàn)其所建立的合作伙伴關系
- 高溫半導體和功率模塊方面的領導性企業(yè)CISSOID 公司，與技術領先的、為新能源汽車超快速和超高安全性實時控制提供現(xiàn)場可編程控制器單元（FPCU）半導體架構(gòu)的發(fā)明者Silicon Mobility公司共同宣布： Silicon Mobility 的 OLEA? FPCU 控制器已與 CISSOID 的碳化硅（SiC） 智能功率模塊（IPM）平臺實現(xiàn)了集成，雙方攜手打造的這一全新高集成度平臺將加速用于電動汽車電機驅(qū)動的緊湊型高效碳化硅逆變器的開發(fā)。該合作伙伴關系將提供一個碳化硅逆變器的模塊化平臺，從而提供高
- 關鍵字： MOSFET
安森美發(fā)布高性能、低損耗的SUPERFET V MOSFET系列，應用于服務器和電信
- 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi)，近日發(fā)布新的600 V SUPERFETò V MOSFET系列。這些高性能器件使電源能滿足嚴苛的能效規(guī)定，如80 PLUS Titanium，尤其是在極具挑戰(zhàn)性的10%負載條件下。600 V SUPERFET系列下的三個產(chǎn)品組--FAST、Easy Drive和FRFET經(jīng)過優(yōu)化，可在各種不同的應用和拓撲結(jié)構(gòu)中提供領先同類的性能。600 V SUPERFET V系列提供出色的開關特性和較低的門極噪聲，從而降低電磁干擾（EMI），這對服務器和電信系統(tǒng)是
- 關鍵字： MOSFET
派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線
- 自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應用落地。但目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷，據(jù)Yole數(shù)據(jù)，Cree，英飛凌，羅姆，意法半導體占據(jù)了90%的市場份額。國產(chǎn)廠商已有不少推出了碳化硅二極管，但具有SiC MOSFET研發(fā)和量產(chǎn)能力的企業(yè)鳳毛麟角。近日，據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，國產(chǎn)碳化硅功率器件供應商派恩杰半導體（杭州）有限公司（簡稱派恩杰）的SiC MOSFET產(chǎn)品在新能源汽車OBC應用驗證取得了重大突破，獲得了新能源汽車
- 關鍵字： MOSFET
安森美在ASPENCORE全球電子成就獎和EE Awards Asia贏得頭籌
- 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi)近日宣布其NCP51561隔離SiC MOSFET門極驅(qū)動器獲ASPENCORE全球電子成就獎（WEAA）的功率半導體/驅(qū)動器類獎項。WEAA項目表彰對全球電子行業(yè)的創(chuàng)新和發(fā)展做出杰出貢獻的企業(yè)和個人，由ASPENCORE全球分析師及其用戶社群選出獲獎者。安森美同時宣布其壓鑄模功率集成模塊（TM-PIM）獲EE Awards Asia的功率IC產(chǎn)品類獎項，同時公司以其先進的汽車方案和智能電源產(chǎn)品獲得最孚眾望的電動車(EV)功率半導體供應商獎。EE Awa
- 關鍵字： MOSFET
2021基本創(chuàng)新日盛大開啟 碳化硅系列新品重磅發(fā)布
- 新基建和“雙碳”戰(zhàn)略目標推動下，第三代半導體產(chǎn)業(yè)正在開啟發(fā)展加速度，有望成為綠色經(jīng)濟的中流砥柱，引領新一輪產(chǎn)業(yè)革命?！皠?chuàng)新為基，創(chuàng)芯為本”，11月27日，2021基本創(chuàng)新日活動在深圳盛大啟幕?；景雽w總經(jīng)理和巍巍博士在會上發(fā)布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品，至此基本半導體產(chǎn)品布局進一步完善，產(chǎn)品競爭力再度提升，將助力國內(nèi)第三代半導體產(chǎn)業(yè)進一步發(fā)展，受到了現(xiàn)場來自汽車、工業(yè)、消費等領域以及第三代半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈的多位業(yè)內(nèi)人士的高度關注。汽車級全碳化硅功
- 關鍵字： 第三代半導體 碳化硅 MOSFET
東芝推出用于IGBT／MOSFET柵極驅(qū)動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作絕緣柵極驅(qū)動IC。這兩款器件于近日開始支持批量出貨。TLP5705H是東芝首款采用厚度僅有2.3毫米（最大值）的薄性封裝（SO6L）可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產(chǎn)品。傳統(tǒng)采用緩沖電路進行電流放大的中小型逆變器與伺服放大器等設備，現(xiàn)在可直接通過該光耦驅(qū)動其IGBT／MOSFET而無需任何緩沖器。這將有助于減少部件數(shù)量并實現(xiàn)設計小型
- 關鍵字： MOSFET
非常見問題第191期：負載點DC-DC轉(zhuǎn)換器解決電壓精度、效率和延遲問題
- 問題：為什么使用DC-DC轉(zhuǎn)換器應盡可能靠近負載的負載點(POL)電源？答案：效率和精度是兩大優(yōu)勢，但實現(xiàn)POL轉(zhuǎn)換需要特別注意穩(wěn)壓器設計。接近電源。這是提高電源軌的電壓精度、效率和動態(tài)響應的最佳方法之一。負載點轉(zhuǎn)換器是一種電源DC-DC轉(zhuǎn)換器，放置在盡可能靠近負載的位置，以接近電源。因POL轉(zhuǎn)換器受益的應用包括高性能CPU、SoC和FPGA——它們對功率級的要求都越來越高。例如，在汽車應用中，高級駕駛員輔助系統(tǒng)(ADAS)——例如雷達、激光雷達和視覺系統(tǒng)——中使用的傳感器數(shù)量在穩(wěn)步倍增，導致需要更快的數(shù)
- 關鍵字： MOSFET
Diodes Incorporated 目標電動汽車產(chǎn)品應用推出高電流 TOLL MOSFETs
- Diodes 公司為金屬氧化物半導體場效晶體管 (MOSFET) 近日推出節(jié)省空間、高熱效率的 TOLL (PowerDI?1012-8) 封裝，能在 175°C、100 瓦等級的 DMTH10H1M7STLWQ及 DMTH10H2M5STLWQ 下運作，另外，80 瓦等級的 DMTH8001STLWQ 金屬氧化物半導體場效晶體管 (MOSFET) 比 TO263 占據(jù)的 PCB 面積少了百分之二十。產(chǎn)品的特色是剖面外的模板只有 2.4 毫米厚。這特色讓產(chǎn)品成為高可靠性電力產(chǎn)品應用的最佳選擇，像是能量熱回
- 關鍵字： MOSFET
意法半導體端口保護IC為STM32 USB-C雙角色輸電量身定制
- 意法半導體TCPP03-M20 USB Type-C端口保護 IC為雙角色輸電(DRP)應用量身定制，針對能給相連設備充電又能接受其他 USB-C電源的雙向充放電產(chǎn)品，可以簡化其設計。作為有ST UCPD (USB Type-C 和Power Delivery)接口IP模塊的 STM32G0*、STM32G4、STM32L5 和 STM32U5 微控制器的配套芯片，TCPP03-M20讓設計者以經(jīng)濟劃算的方式進行USB Type-C 接口硬件分區(qū)，實現(xiàn)以 STM32 為主微控制器的雙芯片解決方案，從而節(jié)省
- 關鍵字： MOSFET STM32
SRII重磅亮相CICD 2021，以先進ALD技術賦能第三代半導體產(chǎn)業(yè)
- 功率器件作為半導體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，擁有非常廣泛的技術分類以及應用場景。例如，傳統(tǒng)的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產(chǎn)品經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展，占據(jù)了絕對領先的市場份額。不過，隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、儲能、手機快充等應用的興起，擁有更高耐壓等級、更高開關頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導體功率器件逐漸嶄露頭角，獲得了業(yè)界的持續(xù)關注。如今，在生產(chǎn)工藝不斷優(yōu)化、成本持續(xù)降低的情況下，老牌大廠與初創(chuàng)企業(yè)紛紛加碼第三代半導體，SiC和GaN功率器件開始投入批量應用，并迎來了關鍵的產(chǎn)能爬坡階段。作為半
- 關鍵字： MOSFET
提高遲滯，實現(xiàn)平穩(wěn)的欠壓和過壓閉鎖
- 電阻分壓器可將高電壓衰減至低壓電路能夠承受的電平，且低壓電路不會出現(xiàn)過載或損壞。在功率路徑控制電路中，電阻分壓器有助于設置電源欠壓和過壓閉鎖閾值。這種電源電壓驗證電路常見于汽車系統(tǒng)、便攜式電池供電儀器儀表以及數(shù)據(jù)處理和通信板中。欠壓閉鎖(UVLO)可防止下游電子系統(tǒng)在異常低的電源電壓下工作，避免導致系統(tǒng)故障。例如，當電源電壓低于規(guī)格要求時，數(shù)字系統(tǒng)可能性能不穩(wěn)定，甚至死機。當電源為可充電電池時，欠壓閉鎖可防止電池因深度放電而受損。過壓閉鎖(OVLO)可保護系統(tǒng)免受破壞性地高電源電壓的影響。由于欠壓和過壓閾
- 關鍵字： MOSFET
基于eGaN FET的2 kW、48V/12V DC/DC轉(zhuǎn)換器演示板，讓設計師實現(xiàn)用于輕度混合動力汽車的更高效、更小、更快的雙向轉(zhuǎn)換器
- EPC9163是一款兩相48 V/12 V雙向轉(zhuǎn)換器，可提供2 kW的功率和實現(xiàn)96.5%的效率，是適用于輕度混合動力汽車和備用電池裝置的小型化解決方案。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出EPC9163，這是一款 2 kW、兩相的48 V /12 V雙向轉(zhuǎn)換器演示板，可在非常小的占板面積上實現(xiàn) 96.5%的效率。該演示板的設計具有可擴展性 - 并聯(lián)兩個轉(zhuǎn)換器可以實現(xiàn)4 kW的功率，或者并聯(lián)三個轉(zhuǎn)換器以實現(xiàn)6 kW。該板采用8個100 V 的eGaN?FET（EPC2218），并由模塊控制，該模塊采用Mic
- 關鍵字： MOSFET
添加靈活的限流功能
- 問題：我可以根據(jù)負載輕松而精確地進行限流嗎？答案：可以使用限流IC進行限流。在一些電源管理應用中，需要精確地限制電流。無論是要保護電源（例如，中間電路電壓需要過載保護以便能夠可靠地為其他系統(tǒng)部件提供電能），還是在故障情況下保護可能由于過流而造成損壞的負載，都需要精確地限制電流。在尋找合適的DC-DC負載點穩(wěn)壓器來滿足此要求時，我們發(fā)現(xiàn)市面上具有可調(diào)限流功能的電壓轉(zhuǎn)換器很少見。可調(diào)限流功能在采用外部電源開關的控制器設計中更加常見，而所有的集成解決方案很少提供此類功能。而且，可調(diào)限流功能的精度通常不是很高。以
- 關鍵字： MOSFET
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