s7 mosfet 文章進(jìn)入s7 mosfet技術(shù)社區(qū)

TrenchFET器件典型RDS(ON)為 61 mΩ，優(yōu)值系數(shù)為 854 mΩ*nC，封裝面積10.89 mm2

日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布，推出新型200V n溝道MOSFET--- SiSS94DN ，器件采用熱增強(qiáng)型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下典型導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的61 mΩ。同時(shí)，經(jīng)過(guò)改進(jìn)的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開關(guān)應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為854 mΩ*nC。節(jié)省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN 專門用來(lái)提高功率密度，占位面積比采
關(guān)鍵字： MOSFET FOM

健康催生可穿戴多功能需求

可穿戴設(shè)備廣泛用于娛樂(lè)、運(yùn)動(dòng)和醫(yī)療健康等領(lǐng)域，作為把多媒體、傳感器和無(wú)線通信等技術(shù)嵌入人們的衣著或配件的設(shè)備，可支持手勢(shì)和眼動(dòng)操作等多種交互方式。作為消費(fèi)電子業(yè)面臨的又一個(gè)新發(fā)展機(jī)遇，可穿戴設(shè)備經(jīng)歷了前些年從概念火爆到實(shí)際產(chǎn)品大量普及的過(guò)程之后，行業(yè)前景一直穩(wěn)步成長(zhǎng)。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2019年全球可穿戴技術(shù)產(chǎn)品市場(chǎng)的規(guī)模超過(guò)了500億美元，是2014年的2倍以上，可以說(shuō)可穿戴設(shè)備已成為過(guò)去5年來(lái)消費(fèi)電子領(lǐng)域最成功的市場(chǎng)之一。1? ?市場(chǎng)需求持續(xù)爆發(fā)雖然2020年全球經(jīng)歷了嚴(yán)重的新冠疫情影響，部
關(guān)鍵字： MOSFET VR MR CGM IDC 202009

ROHM為新基建帶來(lái)的功率器件和電源產(chǎn)品

1 無(wú)線基站羅姆（ROHM）針對(duì)無(wú)線基站推出了多款解決方案，包括一系列高耐壓MOSFET和高效率DC/DC轉(zhuǎn)換器等，有助于降低功耗。?SiC MOSFET具有高耐壓、高速開關(guān)、低導(dǎo)通電阻的特性，即使在高溫環(huán)境下也能顯示出色的電器特性，有助于大幅降低開關(guān)損耗和周邊零部件的小型化。羅姆備有650V、1200V、1700V SiC?MOSFET產(chǎn)品。其中，第3代溝槽柵型SiC MOSFET?SCT3系列有650?V和1?200?V的六款產(chǎn)品，特點(diǎn)是導(dǎo)通
關(guān)鍵字：耐高壓 MOSFET DC/DC 202009

有助于減輕激光光源電路的設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)并提高測(cè)距精度

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日確立了一項(xiàng)VCSEL*1模塊技術(shù)，該技術(shù)通過(guò)提高VCSEL的輸出功率，進(jìn)一步提高了空間識(shí)別和測(cè)距系統(tǒng)（TOF系統(tǒng)*2）的精度。以往采用VCSEL的激光光源中，作為光源的VCSEL產(chǎn)品和用來(lái)驅(qū)動(dòng)光源的MOSFET產(chǎn)品在電路板上是獨(dú)立貼裝的。在這種情況下，產(chǎn)品之間的布線長(zhǎng)度（寄生電感*3）無(wú)意中會(huì)影響光源的驅(qū)動(dòng)時(shí)間和輸出功率，這就對(duì)實(shí)現(xiàn)高精度感應(yīng)所需的短脈沖大功率光源帶來(lái)了局限性。ROHM此項(xiàng)新技術(shù)的確立，將新VCSEL元件和MOSFET元件集成于1個(gè)模塊
關(guān)鍵字： MOSFET VCSEL TOF AGV

內(nèi)置高壓MOS管和高壓?jiǎn)?dòng)的AC/DC電源控制芯片

一、芯片介紹繼推出5W和20W的開關(guān)電源控制IC后，為滿足客戶對(duì)更多功率段的需求，金升陽(yáng)推出內(nèi)置高壓MOS管和高壓?jiǎn)?dòng)的AC/DC電源控制芯片——SCM1738ASA。SCM1738ASA是一款內(nèi)置高壓MOS 管功率開關(guān)的原邊控制開關(guān)電源（PSR），采用PFM 調(diào)頻技術(shù)，提供精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制環(huán)路，穩(wěn)定性和平均效率非常高。由于集成高壓?jiǎn)?dòng)，可以省去外圍的啟動(dòng)電阻，實(shí)現(xiàn)低損耗可靠啟動(dòng)。同時(shí)，該芯片具有可調(diào)節(jié)線性補(bǔ)償功能和內(nèi)置峰值電流補(bǔ)償功能，輸出功率最大可達(dá)8W。二、產(chǎn)品應(yīng)用可廣泛應(yīng)用于AC
關(guān)鍵字： MOSFET PSR IC RFM

減少開關(guān)損耗：儒卓力提供來(lái)自羅姆的節(jié)能SiC-MOSFET

羅姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽柵極結(jié)構(gòu)(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。該產(chǎn)品系列提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統(tǒng)3引腳封裝類型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開關(guān)性能，并將開關(guān)損耗降低多達(dá)35%。SiC-MOSFET特別適合在服務(wù)器電源、UPS系統(tǒng)、太陽(yáng)能逆變器和新能源汽車充電站中的節(jié)能使用。通過(guò)使用TO-247-4L封裝，驅(qū)動(dòng)器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。這有助于顯著降低功耗，對(duì)于必須提供不間斷電源的高性能應(yīng)
關(guān)鍵字： MOSFET 碳化硅 UPS

模塊化參考設(shè)計(jì)幫助用戶為各種應(yīng)用選擇不同的功能塊縮短上市時(shí)間、節(jié)省BOM成本及資源

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團(tuán) 近日宣布推出一款48V電動(dòng)車應(yīng)用成功產(chǎn)品組合解決方案，可幫助用戶加快電動(dòng)滑板車、電動(dòng)自行車、混合動(dòng)力汽車、UPS和儲(chǔ)能系統(tǒng)的開發(fā)。該參考設(shè)計(jì)在硬件和軟件中均采用模塊化方法以展示核心及可選功能塊，可用于多種24V-48V應(yīng)用，如割草機(jī)、手推車、機(jī)器人清潔器、電動(dòng)工具、移動(dòng)電源等。該成功產(chǎn)品組合使用了15個(gè)瑞薩IC產(chǎn)品，包括三個(gè)關(guān)鍵器件：ISL94216 16芯電池前端（BFE）、強(qiáng)健的HIP2211 100V MOSFET驅(qū)動(dòng)器以及用于電機(jī)控制的RX23T 32位
關(guān)鍵字： MOSFET PWM BLDC MCU

低導(dǎo)通電阻的-30 V P溝道MOSFET，可提高能效和功率密度

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，首度推出-30 V p溝道功率MOSFET---?SiRA99DP?，10?V條件下導(dǎo)通電阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET?第四代?SiRA99DP?導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平，采用熱增強(qiáng)型6.15 mm x 5.15?mm PowerPAK? SO-8單體封裝，專門用來(lái)提高功率密度。日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場(chǎng)上排名第二的產(chǎn)品低43
關(guān)鍵字： MOSFET

儲(chǔ)能系統(tǒng)助推電動(dòng)汽車快速充電基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)

電動(dòng)汽車(EV)將獲得越來(lái)越多的市場(chǎng)份額，最終取代內(nèi)燃機(jī)汽車。直流快速充電站將取代或整合加油站。太陽(yáng)能、風(fēng)能等可再生能源將為它們提供動(dòng)力。人們將希望能在不到15分鐘的時(shí)間內(nèi)為電動(dòng)汽車充滿電，他們不愿排隊(duì)等候唯一的充電樁。
關(guān)鍵字： MOSFET PWM BMS

東芝與MikroElektronika展開合作，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC開發(fā)評(píng)估板

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，與MikroElektronika（“Mikroe”）合作推出基于東芝電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC的Click boards?開發(fā)評(píng)估板。Mikroe是一家設(shè)計(jì)和制造用于嵌入式系統(tǒng)開發(fā)的軟硬件工具的公司。客戶現(xiàn)在可通過(guò)由Mikroe制造和銷售的評(píng)估板Click boards?對(duì)東芝電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC進(jìn)行評(píng)估。東芝高度集成的電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC擁有四十多年的歷史，因得到電機(jī)控制系統(tǒng)的普遍采用而在業(yè)界廣受推崇。為控制多種應(yīng)用中的直流有刷電機(jī)、直流無(wú)刷電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)，東芝提供豐富的電機(jī)驅(qū)動(dòng)
關(guān)鍵字： NVM IC MOSFET

英飛凌旗下IR HiRel公司助力NASA毅力號(hào)火星探測(cè)車創(chuàng)造新里程碑

美國(guó)國(guó)家航空航天局(NASA) 噴氣推進(jìn)實(shí)驗(yàn)室于7月30日將毅力號(hào) (Perseverance) 探測(cè)車送上了太空，展開火星探測(cè)之旅。這輛探測(cè)車預(yù)計(jì)將于 2021 年 2 月在火星著陸。英飛凌科技股份公司旗下的企業(yè)IR HiRel，為該探測(cè)車提供了數(shù)千個(gè)經(jīng)過(guò)抗輻射強(qiáng)化 (Rad Hard) 的關(guān)鍵組件。這是該公司電力電子組件第五次登上 NASA 的火星探測(cè)車。IR HiRel曾相繼為 1997 年的索杰納號(hào) (Sojourner)、 2004 年的機(jī)遇號(hào) (Opportunity) 和勇氣號(hào) (Spir
關(guān)鍵字： MOSFET IC NASA IR

5A、3.3V和5V電源符合嚴(yán)格的EMI輻射標(biāo)準(zhǔn)

嚴(yán)苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應(yīng)用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會(huì)選擇內(nèi)置MOSFET功率開關(guān)的單片式降壓穩(wěn)壓器，與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對(duì)較小?？稍诟哳l率（遠(yuǎn)高于AM頻段的2 MHz范圍內(nèi)）下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩(wěn)壓器的最小導(dǎo)通時(shí)間(TON)較低，則無(wú)需中間穩(wěn)壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節(jié)約空間并降低復(fù)雜性。減少最小導(dǎo)通時(shí)間需要快速開關(guān)邊沿和最小死區(qū)時(shí)間控制，以有效減少開關(guān)損耗并支持高開關(guān)頻率操作
關(guān)鍵字： EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET

GaN 器件的直接驅(qū)動(dòng)配置

受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型拓?fù)?。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無(wú)第三象限反向恢復(fù)的特點(diǎn)。這些特性可實(shí)現(xiàn)諸如圖騰柱無(wú)橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關(guān)拓?fù)?。由于它們的高開關(guān)損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實(shí)現(xiàn)此類拓?fù)洹１疚闹?，我們將重點(diǎn)介紹直接驅(qū)動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)，包括更低的開關(guān)損耗、更佳
關(guān)鍵字： MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC

PFC電路MOS管應(yīng)用電路振蕩問(wèn)題分析

本文介紹了傳統(tǒng)PFC電路MOS管在應(yīng)用過(guò)程中產(chǎn)生振蕩的機(jī)理，通過(guò)具體的案例詳細(xì)分析了因MOS振蕩引起損壞的原因，并結(jié)合實(shí)際應(yīng)用給出具體的解決措施和方案，通過(guò)實(shí)驗(yàn)及大批量的生產(chǎn)驗(yàn)證表明，措施有效，穩(wěn)定且可靠，對(duì)PFC電路MOS管應(yīng)用電路及參數(shù)匹配具有重要的借鑒和參考意義。
關(guān)鍵字： 202008 PFC電路 MOS管振蕩 MOSFET 202008

超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET輸出電容特性

本文主要分析了超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET的輸出電容以及非線性特性的表現(xiàn)形態(tài)，探討了內(nèi)部P柱形成耗盡層及橫向電場(chǎng)過(guò)程中，耗盡層形態(tài)和輸出電容變化的關(guān)系，最后討論了新一代超結(jié)技術(shù)工藝采用更小晶胞單元尺寸，更低輸出電容轉(zhuǎn)折點(diǎn)電壓，降低開關(guān)損耗，同時(shí)產(chǎn)生非常大的du/dt和di/dt，對(duì)系統(tǒng)EMI產(chǎn)生影響。
關(guān)鍵字： 202008 功率 MOSFET 超結(jié)結(jié)構(gòu) 輸出電容橫向電場(chǎng)