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	s7 mosfet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          英飛凌OptiMOS? 7 40V 車規(guī)MOSFET ，助力汽車控制器應用 
          
                                                            
            
                    	
          • OptiMOS? 7 40V 車規(guī)MOSFET概況采用OptiMOS? 7 技術的40V車規(guī)MOSFET產品系列，進一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現相同的RDSON。如下圖所示，英飛凌40V MOSFET不同代際產品在比導通電阻的演進。英飛凌40V MOSFET比導通電阻代際演進英飛凌OptiMOS?
 7 
技術是英飛凌開發(fā)的第五代溝槽技術，是當今領先的雙多晶硅溝槽技術。無引腳封裝結合銅夾技術的使用，大幅提高了產品的電流能
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          • 關鍵字：
                        OptiMOS  MOSFET  英飛凌                          
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          用先進的SPICE模型模擬MOSFET電流-電壓特性
          
                                                            
            
                    	
          • 在本文中，我們使用90nm CMOS的SPICE模型來繪制NMOS晶體管的關鍵電學關系。在前一篇文章中，我解釋了如何獲得集成電路MOSFET的高級SPICE模型，并將其納入LTspice仿真中。然后，我們使用這個模型來研究NMOS晶體管的閾值電壓。在本文中，我們將使用相同的模型來生成直觀地傳達晶體管電氣行為的圖。繪制漏極電流與漏極電壓我們將從生成漏極電流（ID）與漏極-源極電壓（VDS）的基本圖開始。為此，我們將柵極電壓設置為遠高于閾值電壓的固定值，然后執(zhí)行直流掃描模擬，其中VDD的值逐漸增加。圖1顯示了
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          • 關鍵字：
                        LTspice  MOSFET  NMOS                          
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          英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，適用于高成本效益的先進電源應用
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 英飛凌科技股份公司近日推出600 V CoolMOS??8?高壓超結（SJ）MOSFET產品系列。該系列器件結合了600 V CoolMOS??7 MOSFET系列的先進特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7?和?S7產品系列的后續(xù)產品。全新超結MOSFET實現了具有高成本效益的硅基解決方案，豐富了英飛凌的寬帶隙產品陣容。該系列產品配備集成式快速體二極管，適用于服務器和工業(yè)開關模式電源裝置（SMPS）、電動汽車充電器、微型太陽能等廣泛應用。這些元件采
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  oolMOS 8  SJ  MOSFET  電源應用                          
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          瞻芯電子：第三代SiC MOSFET通過車規(guī)認證
          
                                                            
            
                    	
          • 6月23日，瞻芯電子宣布，公司基于第三代工藝平臺開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC 
MOSFET產品已經通過車規(guī)級可靠性(AEC-Q101)測試認證。同時，瞻芯電子第三代1200V SiC 
MOSFET工藝平臺正式量產，后續(xù)將依托浙江義烏的車規(guī)級SiC晶圓廠推出更多第三代SiC MOSFET產品。瞻芯電子成立于2017年，是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導體領域的高科技芯片公司，致力于開發(fā)碳化硅(SiC)功率器件、驅動和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產品。瞻芯電子表示，第三代1200V 13
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          • 關鍵字：
                        瞻芯電子  SiC  MOSFET  車規(guī)認證                          
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          英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400V，重新定義AI服務器電源的功率密度和效率
          
                                                            
            
                    	
          • 隨著人工智能（AI）處理器對功率的要求日益提高，服務器電源（PSU）必須在不超出服務器機架規(guī)定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因為高級GPU的能源需求激增。到本十年末，每顆高級GPU芯片的能耗可能達到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關特定客戶需求的出現，促使英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）開發(fā)電壓650 V以下的SiC MOSFET產品?，F在，英飛凌基于今年早些時候發(fā)布的第二代（G2）CoolSiCTM技術，推出全新CoolSiC??MOS
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  CoolSiC MOSFET  AI服務器電源                          
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          英飛凌推出集成高精度溫度傳感器的新型600V CoolMOS S7TA MOSFET
          
                                                            
            
                    	
          • 全球功率系統(tǒng)和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出適用于汽車功率管理應用的600 V CoolMOS? S7TA超級結MOSFET。S7TA專為滿足汽車電子部件的特殊要求而設計，其集成溫度傳感器在工業(yè)應用同類產品（CoolMOS? S7T）取得的進步基礎上，顯著提高了結溫傳感的精度，因此具有諸如更高的耐用性、安全性和效率等對于汽車領域至關重要的優(yōu)勢。與同系列中的工業(yè)級產品一樣，車規(guī)級CoolMOS? S7TA?尤其適合固態(tài)繼電器（SSR）應用。它具有出色的RDS(on)?
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  溫度傳感器  CoolMOS  MOSFET                          
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          一文了解SiC MOS的應用
          
                                                            
            
                    	
          • 作為第三代半導體產業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實現更低的開關和導通損耗，同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業(yè)典型應用碳化硅MOSFET的主要應用領域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機、新能源汽車空調、新能
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          • 關鍵字：
                        SiC  MOS  碳化硅  MOSFET                          
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          新型OptiMOS 7 MOSFET改進汽車應用中的導通電阻、設計穩(wěn)健性和開關效率
          
                                                            
            
                    	
          • 英飛凌科技股份公司正在擴大其用于汽車應用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產品組合，在40 V?產品組合中新增了采用穩(wěn)健且無鉛封裝的器件，并且推出了80 V和100 V型號的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對各項標準和未來的48 V汽車應用進行了優(yōu)化，包括電動助力轉向、制動系統(tǒng)、新區(qū)域架構中的功率開關、電池管理、電子保險絲盒，以及各種12 V和48 V電氣系統(tǒng)應用中的直流/直流和BLDC驅動器等。這些產品還適用于輕型電動汽車（LEV）、電動二輪車、電動踏板車、電動摩
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          • 關鍵字：
                        英飛凌科技  汽車應用  OptiMOS? 7   MOSFET                          
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          使用先進的SPICE模型表征NMOS晶體管
          
                                                            
            
                    	
          • 為特定CMOS工藝節(jié)點設計的SPICE模型可以增強集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章，但如果我們的主要目標是準確模擬集成電路MOSFET的電學行為，那么結合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中，我將介紹下載用于IC設計的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過程。然后，我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進
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          • 關鍵字：
                        CMOS，MOSFET  晶體管，Spice模型                          
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          安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設計注意事項，您知道嗎？ 
          
                                                            
            
                    	
          • 安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應用進行了優(yōu)化。此前我們描述了M3S的一些關鍵特性以及與第一代相比的顯著性能提升，本文則將重點介紹M3S產品的設計注意事項和使用技巧。寄生導通問題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC，因此在最高結溫TJ(MAX) = 175°C時具有最低值。即使數據表中的典型V
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          • 關鍵字：
                        SiC  MOSFET  RSP                          
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          英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2
          
                                                            
            
                    	
          • 在技術進步和低碳化日益受到重視的推動下，電子行業(yè)正在向結構更緊湊、功能更強大的系統(tǒng)轉變。英飛凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢。這些產品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡，同時兼顧系統(tǒng)的散熱要求和空間限制。目前，英飛凌正在通過采用?Thin-TOLL 8x8?和?TOLT?封裝的兩個全新產品系列，擴展其?CoolSiC? MOSFET分立式半導體器件?650 V產品組合。這兩個產品系列基于Coo
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  CoolSiC  MOSFET                          
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          MOSFET在服務器電源上的應用
          
                                                            
            
                    	
          • 服務器電源主要用在數據中心場景中，主要應用于服務器、存儲器等設備。它和PC電源一樣，都是一種開關電源。服務器電源按照標準可以分為ATX電源和SSI電源兩種。ATX標準是Intel在1997年推出的一個規(guī)范，使用較為普遍，輸出功率一般在125瓦～350瓦之間主要用于臺式機、工作站和低端服務器。SSI（Server System Infrastructure）規(guī)范是Intel聯合一些主要的IA架構服務器生產商推出的新型服務器電源規(guī)范，SSI規(guī)范的推出是為了規(guī)范服務器電源技術，降低開發(fā)成本，延長服務器的使用壽命
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  服務器電源                          
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          PANJIT最新高效能60V/100V/150V車規(guī)級MOSFET系列
          
                                                            
            
                    	
          • PANJIT?推出最新的60V、100V?和?150V?車規(guī)級?MOSFET，此系列通過先進的溝槽技術設計達到優(yōu)異性能和效率。此系列?MOSFET?專為汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)設計，提供優(yōu)異的品質因數（FOM），顯著降低?RDS(ON)?和電容。這確保了最低的導通和開關損耗，從而提升了整體性能。新系列?MOSFET?提供多種封裝，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、T
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          • 關鍵字：
                        PANJIT  MOSFET                          
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          MOSFET基本原理、參數及米勒效應全解
          
                                                            
            
                    	
          • 1MOSFET基本工作原理1.1小功率MOSFET場效應管（FET）是利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，由于緊靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。場效應管分為結型和絕緣柵兩種，因為絕緣柵型晶體管（MOSFET，下面簡稱MOS管）的柵源間電阻比結型大得多且比結型場效應管溫度穩(wěn)定性好、集成化時工藝簡單，因而目前普遍采用絕緣柵型晶體管。MOS管分為N溝道和P溝道兩類，每一類又分為增強型和耗盡型兩種，只要柵極-源極電壓uGS為零時漏極電流也為零的管子均屬于增強型管，只要柵極-源極
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  參數  米勒效應                          
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          功率MOSFET的工作原理
          
                                                            
            
                    	
          • 功率MOSFET的開通和關斷過程原理(1)開通和關斷過程實驗電路(2)MOSFET 的電壓和電流波形：(3)開關過程原理：開通過程[ t0 ~ t4 ]：-- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止狀態(tài)，t0 時，MOSFET 被驅動開通;-- [t0-t1]區(qū)間，MOSFET 的GS 電壓經Vgg 對Cgs充電而上升，在t1時刻，到達維持電壓Vth，MOSFET 開始導電;-- [t1-t2]區(qū)間，MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區(qū)間內因DS 電容的放電而放電，對GS 電容的充電
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          • 關鍵字：
                        功率  MOSFET  工作原理                          
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