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          MOSFET管并聯(lián)應(yīng)用時(shí)電流分配不均問題探究

          • 1 引言
            MOSFET管的導(dǎo)通電阻具有正的溫度特性,可自動(dòng)調(diào)節(jié)電流,因而易于并聯(lián)應(yīng)用。但由于器件自身參數(shù)(柵極電路參數(shù)及漏源極電路參數(shù)不一致)原因,并聯(lián)應(yīng)用功率MOSFET管會(huì)產(chǎn)生電流分配不均的問題,關(guān)于此問題,
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  并聯(lián)  電流  分配  

          應(yīng)用角:汽車 - 電動(dòng)汽車電池?cái)嚅_系統(tǒng)

          •   在電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車中,需要一種方法將高壓電池與車輛的其他部分?jǐn)嚅_連接。專門設(shè)計(jì)的大電流繼電器(接觸器)歷來一直是執(zhí)行此功能的首選方案。此繼電器的設(shè)計(jì)必須支持在負(fù)載下斷開連接,而不受損壞。這是通過使用帶有真空封裝觸點(diǎn)的繼電器來實(shí)現(xiàn)的。這些接觸器通常充滿惰性氣體,包圍觸點(diǎn)以消除空氣。通常,在高壓電池系統(tǒng)中,需要三個(gè)接觸器:一個(gè)用于兩個(gè)主要電池導(dǎo)體,另一個(gè)更小的版本用于預(yù)充電功能。傳統(tǒng)的電池?cái)嚅_電路圖如圖1所示。  電動(dòng)汽車制造商長(zhǎng)期以來一直希望有一種更小、更輕、更便宜的方案,以解決電池?cái)嚅_問題。功率半導(dǎo)
          • 關(guān)鍵字: MOSFET,混合動(dòng)力  

          開關(guān)電源設(shè)計(jì):何時(shí)使用BJT而非MOSFET?

          • MOSFET已經(jīng)是是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對(duì)主力器件。但在一些實(shí)例中,與MOSFET相比,雙極性結(jié)式晶體管 (BJT.HTM style=margin: 0px; padding: 0px; font-si
          • 關(guān)鍵字: 開關(guān)電源  BJT  MOSFET  

          教你看懂MOSFET數(shù)據(jù)表

          • 在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí),你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷),其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不清、模棱
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  數(shù)據(jù)  電感器  連續(xù)電流  

          大功率電源MOSMOSFET問題的分析

          • 本文主要介紹三極管原理最通俗的表達(dá)理解,希望對(duì)您的學(xué)習(xí)有所幫助。對(duì)三極管放大作用的理解,切記一點(diǎn):能量不會(huì)無緣無故的產(chǎn)生,所以,三極管一定不
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  電源  

          大功率電源MOS工作溫度確定之計(jì)算功率耗散

          • 在電子電路設(shè)計(jì)中,散熱設(shè)計(jì)是非常重要的一項(xiàng)指標(biāo)。但在很多設(shè)計(jì)環(huán)境下,空間的狹小程度限制了散熱功能設(shè)計(jì)與發(fā)揮。在大功率電源MOSFET當(dāng)中這種情況尤
          • 關(guān)鍵字: 大功率電  MOSFET  功率耗散  

          功率MOSFET在集成驅(qū)動(dòng)電路中的設(shè)計(jì)應(yīng)用簡(jiǎn)析

          • 功率MOSFET目前在一些大中型開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路中得到了廣泛的應(yīng)用,此前我們?cè)?jīng)為大家總結(jié)了幾種MOSFET在驅(qū)動(dòng)電路中的常見應(yīng)用方式,在今天的文章中
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  驅(qū)動(dòng)電路  電源  

          干貨!一種簡(jiǎn)易的MOSFET自舉驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)分享

          • 功率開關(guān)器件MOSFET在驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用頻率在最近幾年直線上升,在一些中小功率的開關(guān)電源產(chǎn)品中,利用MOSFET完成驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)不僅省時(shí)省力,還具有
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  驅(qū)動(dòng)電路  設(shè)計(jì)  

          同步整流降壓式DC-DC變換器應(yīng)怎樣選擇MOSFET?

          • 功率器件MOSFET在很多電路系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中都得到了廣泛的應(yīng)用,而對(duì)于同步整流降壓式的DC-DC變換器來說,怎樣選擇合適的MOSFET則是非常重要的一環(huán),需要研
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  同步整流  DC-DC  

          6種IGBT中的MOS器件隔離驅(qū)動(dòng)入門

          • 由于不間斷電源的興起,IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應(yīng),因此在關(guān)斷的瞬間對(duì)于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格,需要負(fù)壓驅(qū)動(dòng)進(jìn)行輔助
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  IGBT  隔離驅(qū)動(dòng)  

          MOSFET開關(guān)損耗分析

          • 摘要:為了有效解決金屬一氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題,通過對(duì)MOSFET柵極電荷、極間
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  帶電插拔  緩啟動(dòng)  開關(guān)損耗  

          基于大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)

          • 1.MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電平的上升時(shí)間和下降時(shí)間功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn),因而非常適合用作開關(guān)電源(switch-mode power supplies,S
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  筆記本電源  降壓變換器  

          大國(guó)器重 功率半導(dǎo)體小行業(yè)大機(jī)會(huì)

          • 在傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體分立器件引領(lǐng)工業(yè)發(fā)展方式向節(jié)能型轉(zhuǎn)變,實(shí)現(xiàn)家電工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí),優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。而隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、新能源、節(jié)能環(huán)保等新興產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展,新興領(lǐng)域成為支撐功率半導(dǎo)體分立器件保持較好發(fā)展勢(shì)頭的重要市場(chǎng)。
          • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  MOSFET  

          功率MOSFET關(guān)斷損耗計(jì)算攻略

          • 本文介紹了MOSFET管關(guān)斷損耗的計(jì)算方式,供大家參考。
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  關(guān)斷損耗  

          看懂MOSFET數(shù)據(jù)表,第1部分―UIS/雪崩額定值

          • 在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí),你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷),其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不清、模
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  雪崩  
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          s7 mosfet介紹

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