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專利設計發(fā)功 ROHM量產溝槽式SiC-MOSFET
- SiC-MOSFET技術新突破。羅姆半導體(ROHM)近日研發(fā)出采用溝槽(Trench)結構的SiC-MOSFET，并已建立完整量產機制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比，可降低50%導通電阻，大幅降低太陽能發(fā)電用功率調節(jié)器和工業(yè)用變流器等設備的功率損耗。 羅姆半導體功率元件制造部部長伊野和英(左2)表示，新發(fā)布的溝槽式SiC-MOSFET采用該公司獨有的雙溝槽結構專利，目前已開始量產。 羅姆半導體應用設計支援部課長蘇建榮表示，相對于Si-IGBT，SiC
- 關鍵字： ROHM SiC-MOSFET
一款專為SiC Mosfet設計的DC-DC模塊電源
- SiC Mosfet具有耐高壓、低功耗、高速開關的特質，極大地提升了太陽能逆變器的電源轉換效率，拉長新能源汽車的可跑里程，應用在高頻轉換器上，為重型電機、工業(yè)設備帶來高效率、大功率、高頻率優(yōu)勢。。。。。。。據(jù)調查公司Yole developmet統(tǒng)計，SiC Mosfet現(xiàn)有市場容量為9000萬美元，估計在2013-2020年SiC Mosfet市場將每年增長39%。由此可預見，SiC即將成為半導體行業(yè)的新寵! SiC Mosfet對比Si IGBT主要有以下優(yōu)勢： i. 低導通電阻RDS
- 關鍵字： SiC Mosfet DC-DC
世界首家！ROHM開始量產采用溝槽結構的SiC-MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM近日于世界首家開發(fā)出采用溝槽結構的SiC-MOSFET，并已建立起了完備的量產體制。與已經(jīng)在量產中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調節(jié)器和工業(yè)設備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關設備的功率損耗。 另外，此次開發(fā)的SiC-MOSFET計劃將推出功率模塊及分立封裝產品，目前已建立起了完備的功率模塊產品的量產體制。前期工序的生產基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產基地為
- 關鍵字： ROHM SiC-MOSFET
基于DSP的雙電動機同步控制平臺設計
- 引言 長期以來，電動機作為機械能和電能的轉換裝置，在各個領域得到了廣泛應用。無刷直流電動機綜合了直流電動機和交流電動機的優(yōu)點，既具有交流電動機結構簡單、運行可靠、維護方便的特點，又具有直流電動機運行效率高、調速性能好的優(yōu)點。正是這些優(yōu)點使得無刷直流電動機在當今國民經(jīng)濟的很多領域得到了廣泛的應用。無刷直流電動機采用電子換向裝置，根據(jù)位置傳感器檢測到的位置信號，通過DSP(數(shù)字信號處理器)產生一定的邏輯控制PWM波形來驅動電動機，實現(xiàn)無刷直流電動機的平穩(wěn)運轉。近年來，隨著工業(yè)的快速發(fā)展，對產品性能的
- 關鍵字： DSP MOSFET
高壓浪涌抑制器取代笨重的無源組件
- 1 MIL-STD-1275D 的要求 MIL-STD-1275D 定義了各種情況，最重要的是，對穩(wěn)定狀態(tài)工作、啟動干擾、尖峰、浪涌和紋波情況做出了規(guī)定。MIL-STD-1275D 針對 3 種獨立的“工作模式”制定了對上述每一種情況的要求：啟動模式、正常運行模式和僅發(fā)動機模式。 在描述尖峰、浪涌、紋波以及其他要求的細節(jié)之前，先來看一下工作模式。毫不奇怪，“啟動模式”描述的是引擎啟動時發(fā)生的情況;“正常運行模式”描述的
- 關鍵字： 凌力爾特 MIL-STD-1275D 浪涌 MOSFET 紋波
COOLiRFETTM 5x6mm PQFN平臺提供了高效率、高功率密度并降低了系統(tǒng)成本
- 目前世界每年所生產的800萬輛汽車之中，傳統(tǒng)的12V電池系統(tǒng)仍然是主導技術，用來為電動汽車提供電源，汽車電氣化的趨勢會繼續(xù)加重12V電池系統(tǒng)的負擔。現(xiàn)在，總負載已經(jīng)輕松達到3 kW或更高。更具創(chuàng)新性的信息娛樂系統(tǒng)(例如數(shù)字視頻和觸摸屏);更復雜的安全特性，如電子駐車制動器(EPB)，防抱死制動系統(tǒng)(ABS);和節(jié)油功能，如電子動力轉向(EPS)，起停微混合，48V板網(wǎng)結構……，都能將功率要求提到更高的水平。另一方面，嚴格的整體要求主要在于促進降低油耗，混合和電動汽車迅速增長
- 關鍵字： COOLiRFET MOSFET DPAK PQFN 硅片
BCM硬件設計的平臺化和半導體化(下)
- 接上篇 4 設計趨勢 目前BCM設計技術日新月異，主要的趨勢是平臺化靈活性更高，集成度更高和分布式設計者三大方向。另外隨著ISO26262安全規(guī)范的推行，關于功能安全的考慮在BCM設計中將會得到更多的體現(xiàn)。 4.1 集成度和靈活性 隨著汽車電子的發(fā)展，目前BCM設計的趨勢是平臺化和高集成度化兩個趨勢。平臺化SBC、SPI器件、共用ADC，以及高低邊可配等。 主要通過器件的兼容性來實現(xiàn)。集成度主要是提高器件的集成度，例如采用系統(tǒng)基礎芯片將電源、CAN收發(fā)器、LIN收發(fā)器集成到一個
- 關鍵字： BCM ECU LED 負載 MOSFET SPI
帶狀鍵合5x6mm PQFN為車用MOSFET提高了密度
- 1 汽車電氣化要求系統(tǒng)設計者提高電源密度 由于嚴格要求降低CO2污染和提高燃料經(jīng)濟性，汽車制造商更加積極地尋找電氣解決方案(所謂的“汽車電氣化”)。用創(chuàng)新型電子電路代替機械解決方案(例如轉向系統(tǒng)、繼電器等)如今已成了主流趨勢。然而，汽車電氣化的趨勢會繼續(xù)加重12V電池系統(tǒng)的負擔?，F(xiàn)在，總負載能夠輕松達到3 kW或更高，還有很多汽車應用將汽車的電力負載提高到更高的水平。 節(jié)油功能(例如電動助力轉向(EPS)、啟停微混合和48V板網(wǎng)結構)、更復雜的安全特性(例如電動駐車
- 關鍵字： MOSFET DPAK SO-8 PQFN PCB
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