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	s7 mosfet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          如何通過配置負載點轉換器提供負電壓或隔離輸出電壓
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　在溫度高達 210 攝氏度或需要耐輻射解決方案的惡劣環(huán)境應用中，集成型降壓解決方案可充分滿足系統(tǒng)需求。有許多應用需要負輸出電壓或諸如 +12V 或 +15V 等隔離輸出電壓為 MOSFET 柵極驅動器電路供電或者為運算放大器實現(xiàn)偏置。我們將在本文中探討如何使用 TPS50x01 配置降壓轉換器，提供負輸出電壓。此外，我們還將討論如何通過提供高于輸入壓的電壓來滿足應用需求?！　PS50601-SP和TPS50301-HT都是專為耐輻射、地質、重工業(yè)以及油氣應用等惡劣環(huán)境開發(fā)的集成型同步降壓轉換器解決方
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  TPS50601-SP  電壓隔離                          
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          三星S7出狠招 學小米/索尼用熱導管 防高通820發(fā)熱
          
                                                            
            
                    	
          • 　　12 月 5 日訊，繼三星今年 8 月發(fā)布 Note 和 S6 edge Plus 后，三星下一代旗艦手機 S7 被傳將于明年 2 月份登場?！　哪壳捌毓獾母鞣N消息來看，三星新旗艦 S7 將是一款功能強大的智能手機。不過在外形方面，三星學蘋果偷起懶了，iPhone6s 外形相較于 iPhone6 沒什么
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          • 關鍵字：
                        三星  S7                          
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          三星Galaxy S7再曝光：AT&T已開始測試
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　據爆料大神@evleaks透露，三星GalaxyS7和GalaxyS7Edge已經在AT&T進行測試，這意味著這兩款旗艦機型很有可能將在不久后發(fā)布。
　　而這也于之前的傳言相吻合，明年巴塞羅那MWC2016的開幕的前一天，也就是2月21日將會是下一場三星Unpacked發(fā)布會。
　　

 
　　結合之前的消息，最后我們再來回顧一下三星這兩款年度旗艦的配置。三星GalaxyS7和GalaxyS7Edge型號分別為SM-G930A、SM-G935A。
　　兩款手機都將根據內存
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          • 關鍵字：
                        三星  S7                          
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          意法半導體（ST）推出新款電源芯片，將大幅降低家電、照明及工業(yè)設備中的待機功耗
          
                                                            
            
                    	
          • 　　橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出符合國際零待機功耗標準的新電源管理芯片，率先為白色家電(white good)、照明及工業(yè)設備提供喚醒功能智能管理方式。這也代表著電能吸血鬼(裝置在被關掉或處于閑置狀態(tài)時仍在消耗電能)將不復存在。
　　最大限度降低用電設備的待機耗電量(也稱：電能吸血鬼)是設計人員長期努力的目標，這也推動了全世界啟用IEA[1]等國際組織提出的節(jié)能建議，即在2010年和2013年前將電器待機功耗分別降至1W和0
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          • 關鍵字：
                        意法半導體  MOSFET                          
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          意法半導體（ST）推出世界首款1500V超結功率MOSFET，實現(xiàn)更環(huán)保、更安全的電源應用
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)的新系列功率MOSFET讓電源設計人員實現(xiàn)產品效能最大化，同時提升工作穩(wěn)健性和安全系數(shù)。MDmeshTM K5產品是世界首款兼?zhèn)涑Y技術優(yōu)點與1500V漏源(drain-to-source)擊穿電壓(breakdown voltage)的晶體管，并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設計中。

　　新產品瞄準計算機服務器及工業(yè)自動化市場。服務器要求更高的輔助開關式電源輸出功率，同時電源穩(wěn)健性是最大限度減少斷電停機時間的關鍵要素，電焊、工廠自
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          • 關鍵字：
                        意法半導體  MOSFET                          
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          更小、更快、更酷、更高效，900V SiC MOSFET在PFC中的應用
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Wolfspeed (原CREE Power產品)推出業(yè)界首款900V SiC MOSFET系列產品，拓展了高頻電力電子應用的范圍。相比于相當于硅MOSFET，這一突破900V SiC使我們的產品的新市場通過擴大我們在終端系統(tǒng)解決功率范圍。該系列產品提供了更高的開關速率和更低的開關損耗，從而為電力電子工程師們提供了設計出更小，更快，更酷，更高效的電源解決方案可能。
　　新的900V SiC MOSFET系列產品極大的擴大了產品應用空間，能夠更好的應對不斷發(fā)展變化的應用領域，更高的直流母線電壓可以覆蓋
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          • 關鍵字：
                        Wolfspeed   MOSFET                          
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          性價比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數(shù)低和熱導率高等特性。世強代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時又具有通態(tài)電阻低和開關損耗小等特點，是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應用趨勢。
　　SiC與Si性能對比
　　簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強度高(10倍于S
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          • 關鍵字：
                        SiC  MOSFET                          
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          Diodes全新100V MOSFET優(yōu)化以太網供電應用
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作為符合IEEE 802.3標準的48V以太網供電 (PoE) 系統(tǒng)的開關，能夠通過以太網線纜向無線接入點、VoIP網絡電話、銷售點終端、呼叫系統(tǒng)、IP網絡監(jiān)控鏡頭及樓房管理設備等終端應用供電。

　　在局域網路由器及中跨設備等供電設備內，100V N通道MOSFET把電源接到五類或六類網線。然后網線就會借由消除供終端設備內的電源降低成本，并提供電力和數(shù)據。該器件還保障了終端用戶，因為以太網
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          • 關鍵字：
                        Diodes  MOSFET                          
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          史上第一次！三星S7傳有3種CPU版本、專推“印度款”
          
                                                            
            
                    	
          • 　　三星電子次代旗艦智慧手機Galaxy S7目前傳出有望在明年初亮相，而原先傳出S7的CPU有2種版本，分別為高通(Qualcomm)Snapdragon 820、以及三星自家Exynos處理器，不過最新傳出，S7恐將打破慣例，成為三星旗下第一款將有3種CPU版本的旗艦機種!
　　日 本智慧手機/平板電腦評價部落格livedoor Blog 8日轉述SamMobile的報導指出，根據最新接獲的情報顯示，三星S7的CPU版本將有3款，分別為Snapdragon 820、三星次世代晶片Exynos 889
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          • 關鍵字：
                        三星  S7                          
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          用于功率開關的電阻-電容(RC)緩沖電路設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　功率開關是所有功率轉換器的核心組件。功率開關的工作性能直接決定了產品的可靠性和效率。若要提升功率轉換器開關電路的性能，可在功率開關上部署緩沖器，抑制電壓尖峰，并減幅開關斷開時電路電感產生的振鈴。正確設計緩沖器可提升可靠性和效率，并降低EMI。在各種不同類型的緩沖器中，電阻電容(RC)緩沖器是最受歡迎的緩沖器電路。本文介紹功率開關為何需要使用緩沖器。此外還提供一些實用小技巧，助您實現(xiàn)最優(yōu)緩沖器設計。
　　

 
　　圖1： 四種基本的功率開關電路
　　有多種不同的拓撲用于功率轉換器、
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          • 關鍵字：
                        功率開關  MOSFET                          
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          學習總結之電路是計算出來的
          
                                                            
            
                    	
          • 　　簡介：不斷的思考，不斷的理解，不斷的總結!希望大家堅持下去!
　　1、CS單管放大電路
　　共源級單管放大電路主要用于實現(xiàn)輸入小信號的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時，根據輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點，而根據MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態(tài)工作點具有較寬的動態(tài)范圍，主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性，并且實現(xiàn)信號的最大限度放大【理想條件下】
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          • 關鍵字：
                        CMOS  MOSFET                          
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          如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　摘要： 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應用，分析了MOSFET損耗特點，提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關系。
　　關鍵詞：MOSFET 損耗分析 EMI　　金升陽R3
　　一、引言
　　MOSFET作為主要的開關功率器件之一，被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會引起更嚴重的EMI問題，導致整個系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少MOSFET的損耗
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  EMI                          
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          Power Integrations新推出的725 V InnoSwitch-EP IC為輔助和待機電源帶來革命性變化 
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　關注高能效電源轉換的高壓集成電路業(yè)界領導者Power Integrations公司今日發(fā)布InnoSwitch™-EP系列恒壓/恒流離線反激式開關IC。新的IC產品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精確的次級反饋檢測控制，因此可提供出色的多路輸出交叉調整率，同時提供全面的輸入電壓保護和即時動態(tài)響應，并且空載功耗低于10 mW。InnoSwitch-EP IC還采用Power Integrations創(chuàng)新的FluxLink™技術，可設計出無需光耦的高效率、高精度和
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          • 關鍵字：
                        Power Integrations  MOSFET                          
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          意法半導體（ST）的先進60V功率MOSFET為提高同步整流電路能效量身定制
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)的槽柵結構低壓MOSFETs STripFET™ F7系列將新增60V的產品線，可協(xié)助電信、服務器和臺式PC機的電源以及工業(yè)電源和太陽能微逆變器的直流-直流(DC/DC)電源轉換器達到嚴格的能效標準要求，最大限度提升電源功率密度。

　　STripFET F7 MOSFET不僅大幅提高了晶體管的導通能效和開關性能，還簡化了通道間的槽柵結構(trench-gate structure)，實現(xiàn)極低的導通電阻、電容和柵電荷量，并取得
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          • 關鍵字：
                        意法半導體  MOSFET                          
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          全新英飛凌功率MOSFET系列使電動工具更緊湊耐用
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　DIY工具，比如無線電鉆和電鋸必須方便使用且經久耐用。因此，其所用的電子元件必須緊湊、堅固。英飛凌科技股份公司擴展StrongIRFET™ Power MOSFET產品系列，推出同時滿足緊湊和耐用要求的解決方案。新推出的邏輯電平 StrongIRFET™ 器件可以直接由單片機驅動，節(jié)省空間和降低成本。此外，StrongIRFET™十分堅固耐用，幫助延長電子產品的使用壽命。

　　經過實驗證明StrongIRFET系列器件能夠最大限度提高電動工具的能效。這次邏輯電
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  MOSFET                          
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