s7 mosfet 文章 進入s7 mosfet技術(shù)社區(qū)
意法半導(dǎo)體(ST)推出新款電源芯片,將大幅降低家電、照明及工業(yè)設(shè)備中的待機功耗
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)推出符合國際零待機功耗標(biāo)準(zhǔn)的新電源管理芯片,率先為白色家電(white good)、照明及工業(yè)設(shè)備提供喚醒功能智能管理方式。這也代表著電能吸血鬼(裝置在被關(guān)掉或處于閑置狀態(tài)時仍在消耗電能)將不復(fù)存在。 最大限度降低用電設(shè)備的待機耗電量(也稱:電能吸血鬼)是設(shè)計人員長期努力的目標(biāo),這也推動了全世界啟用IEA[1]等國際組織提出的節(jié)能建議,即在2010年和2013年前將電器待機功耗分別降至1W和0
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 MOSFET
意法半導(dǎo)體(ST)推出世界首款1500V超結(jié)功率MOSFET,實現(xiàn)更環(huán)保、更安全的電源應(yīng)用
- 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)的新系列功率MOSFET讓電源設(shè)計人員實現(xiàn)產(chǎn)品效能最大化,同時提升工作穩(wěn)健性和安全系數(shù)。MDmeshTM K5產(chǎn)品是世界首款兼?zhèn)涑Y(jié)技術(shù)優(yōu)點與1500V漏源(drain-to-source)擊穿電壓(breakdown voltage)的晶體管,并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設(shè)計中。 新產(chǎn)品瞄準(zhǔn)計算機服務(wù)器及工業(yè)自動化市場。服務(wù)器要求更高的輔助開關(guān)式電源輸出功率,同時電源穩(wěn)健性是最大限度減少斷電停機時間的關(guān)鍵要素,電焊、工廠自
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 MOSFET
更小、更快、更酷、更高效,900V SiC MOSFET在PFC中的應(yīng)用
- Wolfspeed (原CREE Power產(chǎn)品)推出業(yè)界首款900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品,拓展了高頻電力電子應(yīng)用的范圍。相比于相當(dāng)于硅MOSFET,這一突破900V SiC使我們的產(chǎn)品的新市場通過擴大我們在終端系統(tǒng)解決功率范圍。該系列產(chǎn)品提供了更高的開關(guān)速率和更低的開關(guān)損耗,從而為電力電子工程師們提供了設(shè)計出更小,更快,更酷,更高效的電源解決方案可能。 新的900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品極大的擴大了產(chǎn)品應(yīng)用空間,能夠更好的應(yīng)對不斷發(fā)展變化的應(yīng)用領(lǐng)域,更高的直流母線電壓可以覆蓋
- 關(guān)鍵字: Wolfspeed MOSFET
性價比:SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點
- Si MOSFET管因為其輸入阻抗高,隨著其反向耐壓的提高,通態(tài)電阻也急劇上升,從而限制了其在高壓場合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件,具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數(shù)低和熱導(dǎo)率高等特性。世強代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強,同時又具有通態(tài)電阻低和開關(guān)損耗小等特點,是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應(yīng)用趨勢。 SiC與Si性能對比 簡單來說,SiC主要在以下3個方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強度高(10倍于S
- 關(guān)鍵字: SiC MOSFET
Diodes全新100V MOSFET優(yōu)化以太網(wǎng)供電應(yīng)用
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作為符合IEEE 802.3標(biāo)準(zhǔn)的48V以太網(wǎng)供電 (PoE) 系統(tǒng)的開關(guān),能夠通過以太網(wǎng)線纜向無線接入點、VoIP網(wǎng)絡(luò)電話、銷售點終端、呼叫系統(tǒng)、IP網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控鏡頭及樓房管理設(shè)備等終端應(yīng)用供電。 在局域網(wǎng)路由器及中跨設(shè)備等供電設(shè)備內(nèi),100V N通道MOSFET把電源接到五類或六類網(wǎng)線。然后網(wǎng)線就會借由消除供終端設(shè)備內(nèi)的電源降低成本,并提供電力和數(shù)據(jù)。該器件還保障了終端用戶,因為以太網(wǎng)
- 關(guān)鍵字: Diodes MOSFET
用于功率開關(guān)的電阻-電容(RC)緩沖電路設(shè)計
- 功率開關(guān)是所有功率轉(zhuǎn)換器的核心組件。功率開關(guān)的工作性能直接決定了產(chǎn)品的可靠性和效率。若要提升功率轉(zhuǎn)換器開關(guān)電路的性能,可在功率開關(guān)上部署緩沖器,抑制電壓尖峰,并減幅開關(guān)斷開時電路電感產(chǎn)生的振鈴。正確設(shè)計緩沖器可提升可靠性和效率,并降低EMI。在各種不同類型的緩沖器中,電阻電容(RC)緩沖器是最受歡迎的緩沖器電路。本文介紹功率開關(guān)為何需要使用緩沖器。此外還提供一些實用小技巧,助您實現(xiàn)最優(yōu)緩沖器設(shè)計。 圖1: 四種基本的功率開關(guān)電路 有多種不同的拓?fù)溆糜诠β兽D(zhuǎn)換器、
- 關(guān)鍵字: 功率開關(guān) MOSFET
學(xué)習(xí)總結(jié)之電路是計算出來的
- 簡介:不斷的思考,不斷的理解,不斷的總結(jié)!希望大家堅持下去! 1、CS單管放大電路 共源級單管放大電路主要用于實現(xiàn)輸入小信號的線性放大,即獲得較高的電壓增益。在直流分析時,根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點,而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知,MOSFET的靜態(tài)工作點具有較寬的動態(tài)范圍,主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍,小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH,最大值約為VDD,假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性,并且實現(xiàn)信號的最大限度放大【理想條件下】
- 關(guān)鍵字: CMOS MOSFET
如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能
- 摘要: 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用,分析了MOSFET損耗特點,提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。 關(guān)鍵詞:MOSFET 損耗分析 EMI 金升陽R3 一、引言 MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一,被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗,反而會引起更嚴(yán)重的EMI問題,導(dǎo)致整個系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少MOSFET的損耗
- 關(guān)鍵字: MOSFET EMI
Power Integrations新推出的725 V InnoSwitch-EP IC為輔助和待機電源帶來革命性變化
- 關(guān)注高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日發(fā)布InnoSwitch™-EP系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)IC。新的IC產(chǎn)品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精確的次級反饋檢測控制,因此可提供出色的多路輸出交叉調(diào)整率,同時提供全面的輸入電壓保護和即時動態(tài)響應(yīng),并且空載功耗低于10 mW。InnoSwitch-EP IC還采用Power Integrations創(chuàng)新的FluxLink™技術(shù),可設(shè)計出無需光耦的高效率、高精度和
- 關(guān)鍵字: Power Integrations MOSFET
意法半導(dǎo)體(ST)的先進60V功率MOSFET為提高同步整流電路能效量身定制
- 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)的槽柵結(jié)構(gòu)低壓MOSFETs STripFET™ F7系列將新增60V的產(chǎn)品線,可協(xié)助電信、服務(wù)器和臺式PC機的電源以及工業(yè)電源和太陽能微逆變器的直流-直流(DC/DC)電源轉(zhuǎn)換器達(dá)到嚴(yán)格的能效標(biāo)準(zhǔn)要求,最大限度提升電源功率密度。 STripFET F7 MOSFET不僅大幅提高了晶體管的導(dǎo)通能效和開關(guān)性能,還簡化了通道間的槽柵結(jié)構(gòu)(trench-gate structure),實現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻、電容和柵電荷量,并取得
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 MOSFET
e絡(luò)盟為醫(yī)療、消費電子及可替代能源等應(yīng)用領(lǐng)域新增五款業(yè)內(nèi)首選的威世Super 12系列創(chuàng)新產(chǎn)品
- e絡(luò)盟日前宣布新增多款來自全球半導(dǎo)體和分立器件領(lǐng)先供應(yīng)商威世2015 Super 12系列的創(chuàng)新型無源元件和半導(dǎo)體產(chǎn)品,其中包括電容、電阻及MOSFET,適用于醫(yī)療、消費電子、可替代能源、工業(yè)、電信、計算及汽車電子等各種應(yīng)用領(lǐng)域。 e絡(luò)盟大中華區(qū)區(qū)域銷售總監(jiān)朱偉弟表示:“e絡(luò)盟擁有來自全球領(lǐng)先供應(yīng)商的豐富產(chǎn)品系列,可充分滿足廣大用戶對最新技術(shù)的需求,幫助他們進行產(chǎn)品開發(fā)與制造。此次新增的幾款威世Super 12系列創(chuàng)新型產(chǎn)品均為全球最佳產(chǎn)品。用戶可通過e絡(luò)盟升級版網(wǎng)站,更加快捷地查看
- 關(guān)鍵字: e絡(luò)盟 MOSFET
s7 mosfet介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條s7 mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對s7 mosfet的理解,并與今后在此搜索s7 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對s7 mosfet的理解,并與今后在此搜索s7 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473