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IGBT核心技術(shù)及人才缺失工藝技術(shù)缺乏

　　新型電力半導(dǎo)體器件的代表，IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國(guó)還屬空白。無論技術(shù)、設(shè)備還是人才，我國(guó)都處于全方位的落后狀態(tài)。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，電力半導(dǎo)體器件和集成電路在國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中地位同樣重要，因此，政府應(yīng)該對(duì)IGBT產(chǎn)業(yè)予以大力扶持。　　眾所周知，電力電子技術(shù)可以提高用電效率，改善用電質(zhì)量，是節(jié)省能源的王牌技術(shù)。當(dāng)今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導(dǎo)體器件是高頻電力電子線路和控制系統(tǒng)的核心開關(guān)元器件，它的性能參數(shù)將直接決定著電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導(dǎo)體器件的代表性器件，
關(guān)鍵字：器件 IGBT 封裝測(cè)試 MOSFET

短溝道MOSFET散粒噪聲測(cè)試方法研究

近年來隨著介觀物理和納米電子學(xué)對(duì)散粒噪聲研究的不斷深入，人們發(fā)現(xiàn)散粒噪聲可以很好的表征納米器件內(nèi)部電子傳輸特性。由于宏觀電子元器件中也會(huì)有介觀或者納米尺度的結(jié)構(gòu)，例如缺陷、小孔隙和晶粒等，因而也會(huì)
關(guān)鍵字： MOSFET 噪聲測(cè)試方法研究

安森美推出符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的自保護(hù)低端MOSFET驅(qū)動(dòng)IC

　　安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出高度集成保護(hù)的NCV840x系列低端自保護(hù)MOSFET。這系列器件通過了AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，非常適用于嚴(yán)格的汽車及工業(yè)工作環(huán)境中的開關(guān)應(yīng)用。　　NCV8401、NCV8402、NCV8402D(雙裸片)、NCV8403及NCV8404的設(shè)計(jì)是為了提供強(qiáng)固及可靠的工作，這些器件全都有豐富的自保護(hù)特性，包括限溫及限流、靜電放電(ESD)保護(hù)，以及用于過壓保護(hù)(OVP)的集成漏極至柵極鉗位。　　安森美半導(dǎo)體汽車
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利用低端柵極驅(qū)動(dòng)器IC進(jìn)行系統(tǒng)開發(fā)

利用低端柵極驅(qū)動(dòng)器IC可以簡(jiǎn)化開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)，但這些IC必須正確運(yùn)用才能充分發(fā)揮其潛力，以最大限度地減小電源尺寸和提高效率。如何根據(jù)額定電流和功能來選擇適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)器，驅(qū)動(dòng)器周圍需要哪些補(bǔ)償元件，以及如何確定熱性能等是設(shè)計(jì)時(shí)要注意的方面。
關(guān)鍵字： Fairchild 轉(zhuǎn)換器 MOSFET 開關(guān)電源柵極驅(qū)動(dòng)器 200912

D類MOSFT在發(fā)射機(jī)射頻功放中的應(yīng)用

O 引言
隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，MOS管在電子與通信工程領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。特別是在大功率全固態(tài)廣播發(fā)射機(jī)的射頻功率放大器中，利用MOS管的開關(guān)特性，可使整個(gè)射頻功率放大器工作在開關(guān)狀態(tài)，從而提高整機(jī)效
關(guān)鍵字：應(yīng)用功放射頻發(fā)射機(jī) MOSFT MOSFET 開關(guān)特性射頻功放調(diào)幅發(fā)射機(jī)

能效需求催生功率器件應(yīng)用熱潮

　　市場(chǎng)需求逐步恢復(fù) 　　● 能效需求催生功率器件應(yīng)用熱潮　　● 擴(kuò)內(nèi)需政策為企業(yè)提供增長(zhǎng)空間　　陳坤和　　從2008年底到2009年初，所有電子產(chǎn)品的需求均有減少，功率半導(dǎo)體也不例外。我們認(rèn)識(shí)到，困難時(shí)期可能成為重新把公司塑造成一個(gè)更精簡(jiǎn)、更專注、更贏利企業(yè)的催化劑。由于各國(guó)政府的經(jīng)濟(jì)刺激措施紛紛把提升能效列為重點(diǎn)內(nèi)容，許多企業(yè)開始關(guān)注功率產(chǎn)品。在中國(guó)，由于政府刺激消費(fèi)電子市場(chǎng)，中國(guó)市場(chǎng)需求增長(zhǎng)，推動(dòng)功率管理和其他半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求開始復(fù)蘇。從長(zhǎng)期來看，功率半導(dǎo)體將與許多其他領(lǐng)域的半導(dǎo)體產(chǎn)品
關(guān)鍵字：功率器件 MOSFET

針對(duì)應(yīng)用選擇正確的MOSFET驅(qū)動(dòng)器

現(xiàn)有的MOSFET技術(shù)和硅工藝種類繁多，這使得選擇合適的MOSFET驅(qū)動(dòng)器成了一個(gè)富有挑戰(zhàn)性的過程。
關(guān)鍵字： MOSFET 選擇正確驅(qū)動(dòng)器

Diodes推出為VoIP應(yīng)用優(yōu)化的全新MOSFET

　　Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡(luò)電話 (VoIP) 通信設(shè)備的設(shè)計(jì)人員帶來一種更堅(jiān)固的解決方案，極大地降低了電路的復(fù)雜性和成本。　　ZXMN15A27K及ZXMN20B28K經(jīng)過特別設(shè)計(jì)，能滿足各種VoIP應(yīng)用中基于用戶線接口電路(SLIC)DC/DC轉(zhuǎn)換器對(duì)變壓器中初級(jí)開關(guān)位置的嚴(yán)格要求。這些應(yīng)用涵蓋寬帶語音系統(tǒng)、PBX系統(tǒng)、有線和DSL網(wǎng)關(guān)。　　兩款新器件的擊穿電壓(BVDSS)分別為150V及200V，能夠承受SLIC環(huán)境下的高脈沖雪崩能量和通信模式，不需要額外的保護(hù)電
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET

MOSFET柵漏電流噪聲模型研究

CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢(shì)，導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長(zhǎng)度和柵面積都急劇減小。對(duì)于常規(guī)體MOSFET，當(dāng)氧化層厚度2 nm時(shí)，大量載流子以不同機(jī)制通過柵介質(zhì)形成顯著的柵極漏電流。柵極漏電流不僅能產(chǎn)生
關(guān)鍵字：研究模型噪聲電流 MOSFET

功率半導(dǎo)體充當(dāng)節(jié)能先鋒中國(guó)企業(yè)加快步伐

　　過去，人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦，而把功率半導(dǎo)體器件比作四肢，因?yàn)榧呻娐返淖饔檬墙邮芎吞幚硇畔?，而功率器件則根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率，去驅(qū)動(dòng)相關(guān)電機(jī)進(jìn)行所需的工作。如今，新型功率半導(dǎo)體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應(yīng)用逐漸普及，其為信息系統(tǒng)提供電源的功能也越來越引人注目。功率半導(dǎo)體器件在電子系統(tǒng)中的地位已不僅限于“四肢”，而是為整個(gè)系統(tǒng)“供血”的“心臟&rdq
關(guān)鍵字：功率半導(dǎo)體 MOSFET IGBT

Vishay Siliconix推出新款20V P溝道功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術(shù)的最新器件，使用了自矯正的工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝進(jìn)了1億個(gè)晶體管。這種最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超精細(xì)、亞微米的間距工藝，將目前業(yè)界最好的P溝道MOSFET
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理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性

通常，許多資料和教材都認(rèn)為，MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個(gè)并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時(shí)，具有正的溫度系數(shù)導(dǎo)通電阻也增加，因此流過的電流減小，溫度降低，從而實(shí)現(xiàn)自動(dòng)的均流達(dá)到平衡。同樣對(duì)于一個(gè)功率MOSFET器件，在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此并聯(lián)工作沒有問題。但是，當(dāng)深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對(duì)其傳輸特性的影響，以及各個(gè)晶胞單元等效電路模型，就會(huì)發(fā)現(xiàn)，上述的理論只有在MOSFET進(jìn)入穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通的狀態(tài)下才能成立，而在
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Vishay推出業(yè)界最小的芯片級(jí)MOSFET

　　日前，Vishay宣布推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今為止業(yè)界最小的芯片級(jí)功率MOSFET。　　在種類繁多的便攜式設(shè)備中，20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負(fù)載開關(guān)、電池開關(guān)和充電開關(guān)應(yīng)用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間，以及/或是實(shí)現(xiàn)更多的功能。與市場(chǎng)上尺寸與之最接近的芯片級(jí)功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的M
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安森美推出24款新的30伏、N溝道溝槽MOSFET

　　全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封裝，為計(jì)算機(jī)和游戲機(jī)應(yīng)用中的同步降壓轉(zhuǎn)換器提供更高的開關(guān)性能。　　新系列的MOSFET利用安森美半導(dǎo)體獲市場(chǎng)驗(yàn)證的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)異的導(dǎo)通阻抗[RDS(on)]及更高的開關(guān)性能，用于個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)、服務(wù)器、游戲機(jī)、處理器穩(wěn)壓電源
關(guān)鍵字：安森美 MOSFET 溝槽同步降壓轉(zhuǎn)換器

理解功率MOSFET的開關(guān)損耗

本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。
關(guān)鍵字： MOSFET 開關(guān)損耗