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Vishay推出業(yè)界最小的芯片級MOSFET
- 日前，Vishay宣布推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今為止業(yè)界最小的芯片級功率MOSFET。 在種類繁多的便攜式設(shè)備中，20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負(fù)載開關(guān)、電池開關(guān)和充電開關(guān)應(yīng)用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間，以及/或是實(shí)現(xiàn)更多的功能。與市場上尺寸與之最接近的芯片級功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的M
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安森美推出24款新的30伏、N溝道溝槽MOSFET
- 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封裝， 為計算機(jī)和游戲機(jī)應(yīng)用中的同步降壓轉(zhuǎn)換器提供更高的開關(guān)性能。 新系列的MOSFET利用安森美半導(dǎo)體獲市場驗(yàn)證的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)異的導(dǎo)通阻抗[RDS(on)]及更高的開關(guān)性能，用于個人計算機(jī)(PC)、服務(wù)器、游戲機(jī)、處理器穩(wěn)壓電源
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理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
- 本文詳細(xì)分析計算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 開關(guān)損耗
即將普及的碳化硅器件
- 隨綠色經(jīng)濟(jì)的興起，節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中，人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題，電能消耗約占人類總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。 據(jù)統(tǒng)計，60%至70%的電能是在低能耗系統(tǒng)中使用的，而其中絕大多數(shù)是消耗于電力變換和電力驅(qū)動。在提高電力利用效率中起關(guān)鍵作用的是功率器件，也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。 在這種情況下，性能遠(yuǎn)優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
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基于S7-300 PLC的大型電弧爐控制系統(tǒng)
- 針對電弧爐的非線性、大滯后、強(qiáng)耦合、時變及隨機(jī)干擾較強(qiáng)的特點(diǎn)，應(yīng)用自適應(yīng)控制理論，采用可編程邏輯控制器(PLC)為核心控制部件，實(shí)現(xiàn)電弧爐電極升降的自動準(zhǔn)確控制，有效減少電極短路、斷弧和振蕩現(xiàn)象。在此給出控制方案、系統(tǒng)主要硬件及軟件流程圖。該系統(tǒng)已可靠運(yùn)行于某煉鋼廠，并實(shí)現(xiàn)了降低電爐電耗，提高產(chǎn)品質(zhì)量的目的。
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MOSFET市場快速發(fā)展，本土企業(yè)見起色
- 全球節(jié)能環(huán)保意識高漲使得高效、節(jié)能產(chǎn)品成為市場發(fā)展的主流趨勢。相應(yīng)地，電源|穩(wěn)壓器管理IC、MOSFET芯片等功率器件也被越來越多的應(yīng)用到整機(jī)電子產(chǎn)品中。在功率器件產(chǎn)品中，MOSFET的市場需求增長最快。據(jù)分析機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，盡管受全球金融危機(jī)影響， 2008年，中國MOSFET市場需求量為198.2億個，仍比2007年增長了11.9%。 在應(yīng)用方面，目前消費(fèi)電子已成為MOSFET最大的應(yīng)用市場，這主要得益于MOSFET在便攜式產(chǎn)品、LCD TV等消費(fèi)電子產(chǎn)品中的廣泛應(yīng)用。其次，是計算機(jī)、工業(yè)控制
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IR推出適用于汽車柵極驅(qū)動應(yīng)用的器件AUIRS2016S
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出AUIRS2016S 器件，適用于汽車柵極驅(qū)動應(yīng)用，包括通用噴軌、柴油和汽油直噴應(yīng)用，以及螺線管驅(qū)動器。 AUIRS2016S是一款高電壓功率MOSFET高側(cè)驅(qū)動器，具有內(nèi)部電壓尖峰對地 (Vs-to-GND) 充電 NMOS。這款器件的輸出驅(qū)動器配備一個250mA高脈沖電流緩沖級。相關(guān)溝道能夠在高側(cè)配置中驅(qū)動一個N溝道功率MOSFET，可在高于地電壓達(dá)150V的條
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET 驅(qū)動器 AUIRS2016S
飛兆推出RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為服務(wù)器、刀片式服務(wù)器和路由器的設(shè)計人員帶來業(yè)界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封裝，型號為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負(fù)載開關(guān)或ORing FET，為服務(wù)器中心 (server farm) 在許多電源并行安排的情況下提供分擔(dān)負(fù)載功能。FET的連續(xù)導(dǎo)通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服務(wù)器中心的總體效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封裝以突破1
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET FDMS7650
Fairchild推出新一代超級結(jié)MOSFET-SupreMOS
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)為電源、照明、顯示和工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計人員帶來SupreMOS?新一代600V超級結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品。包括具有165mΩ最大阻抗的 FCP22N60N、FCPF22N60NT 和 FCA22N60N，以及具有199mΩ最大阻抗的FCP16N60N和FCPF16N60NT。SupreMOS?系列器件兼具低RDS (ON) 和低總柵極電荷，相比飛兆半導(dǎo)體的600V SuperFET&trade
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET SupreMOS SuperFET
FPGA助工業(yè)電機(jī)節(jié)能增效
- 在美國，工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域AC電機(jī)所用的電能占全國的2/3以上。在許多應(yīng)用中，AC電機(jī)或被關(guān)斷或以全速運(yùn)作，而通過為電機(jī)添加變速控制功能，就能夠在標(biāo)準(zhǔn)開啟/關(guān)斷控制下實(shí)現(xiàn)顯著節(jié)能。用混合信號FPGA來實(shí)現(xiàn)高效率AC電機(jī)控制系統(tǒng)，可大幅降低電機(jī)的功耗。 電機(jī)無處不在 今天，電機(jī)用于各類應(yīng)用中，然而，很少有人意識到電機(jī)在使用中對環(huán)境帶來怎樣的影響。專家估計，在美國，電機(jī)所消耗的電能約占總發(fā)電量的50%。從全球范圍看，AC電機(jī)功耗占工業(yè)應(yīng)用的70%，占商業(yè)應(yīng)用電能的45%，占住宅應(yīng)用電能的42%。
- 關(guān)鍵字： FPGA PWM MOSFET
IR推出基準(zhǔn)工業(yè)級30V MOSFET
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列獲得工業(yè)認(rèn)證的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，為不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動工具、ORing應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)通信及和服務(wù)器電源等應(yīng)用提供非常低的柵極電荷 (Qg) 。 這些堅(jiān)固耐用的MOSFET采用IR最新一代的溝道技術(shù)，并且通過非常低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 來減少散熱。此外，新器件的超低柵極電荷有助于延長不間斷電源逆變器或電動工具的電池壽命。 IR亞洲區(qū)銷售副總裁
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET UPS 溝道
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