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          基于靜態(tài)CMOS和單相能量回收電路的乘法器電路設計

          •   O 引言  電路中的功率消耗源主要有以下幾種:由邏輯轉換引起的邏輯門對負載電容充、放電引起的功率消耗;由邏輯門中瞬時短路電流引起的功率消耗;由器件的漏電流引起的消耗,并且每引進一次新的制造技術會導致漏
          • 關鍵字: CMOS  單相  乘法器  能量  能量回收  

          佳能展示1.2億像素影像傳感器

          •   佳能今天展示了全球最高像素值的CMOS傳感器:1.2億像素的APS-H尺寸產品,它比目前旗艦單反EOS 1D Mark IV的影像傳感器還大7.5倍,可拍攝全幅13280x9184圖像,并可實現9.5FPS的連拍和1080p視頻的錄制(僅需要用到1/60的有效像素)。這款變態(tài)級別的傳感器目前似乎還沒有應用到任何產品的計劃,之前,佳能在2007年展示了5000萬像素的傳感器樣本。
          • 關鍵字: 佳能  CMOS  傳感器  

          用CMOS門電路作微功耗放大電路圖

          • CMOS數字集成電路具有輸入阻抗高、低功耗、電源電壓范圍廣以及輸出電壓擺帳大等優(yōu)點。除了在數字化裝置中廣泛應用外,亦可用于線性電路,發(fā)揮它低功耗的特點。
          • 關鍵字: CMOS  門電路  放大電路圖  微功耗    

          傳感器技術面臨新型突破

          •   日前,瑞典皇家科學院宣布,博伊爾和史密斯因發(fā)明了CCD圖像傳感器而與高錕分享了2009年的諾貝爾物理學獎。CCD圖像傳感器如今已經大規(guī)模應用于數碼相機、手機、攝像機、掃描儀、工業(yè)領域以及醫(yī)學設備中,年出貨量在億顆以上。不過,隨著照相手機市場的大規(guī)模增長,八十年代開始出現的CMOS圖像傳感器的出貨量在2004年超越了CCD,并開始逐步蠶食數碼相機等CCD傳統(tǒng)應用市場。   圖像傳感器領域的這一變化只是傳感器技術變化的一個縮影。傳感器技術的最大特點就是不斷引入多學科的新技術發(fā)展新功能,現在,隨著電子、M
          • 關鍵字: 傳感器  CMOS  

          一種CMOS綠色模式AC/DC控制器振蕩器電路

          • 摘要:此振蕩器專門針對恒壓恒流(CV-CC)控制、頻率抖動(Frequency Shuffling)技術。采用電流模脈寬調制控制方案的電池充電芯片設計,鋸齒波信號的線性度較好,當負載電路減小時,自動進入Burst Mode狀態(tài)提高系統(tǒng)的效
          • 關鍵字: 控制器  振蕩器  電路  DC  AC  CMOS  綠色  模式  一種  

          解讀“后摩爾定律” 探索IC發(fā)展方向

          •   摩爾定律在自1965年發(fā)明以來的45年中,一直引領著世界半導體產業(yè)向實現更低的成本、更大的市場、更高的經濟效益前進。然而,隨著半導體技術逐漸逼近硅工藝尺寸極限,摩爾定律原導出的“IC的集成度約每隔18個月翻一倍,而性能也將提升一倍”的規(guī)律將不再適用。為此,國際半導體技術路線圖組織(ITRS)在2005年的技術路線圖中,即提出了“后摩爾定律”的概念。近年的技術路線圖更清晰地展現了這種摩爾定律與“后摩爾定律”相結合的發(fā)展趨勢,并認為&
          • 關鍵字: 摩爾定律  MEMS  CMOS  

          賽普拉斯推出流水線式全域曝光快門的CMOS圖像傳感器

          •   賽普拉斯公司日前宣布,推出一款用于高端機器視覺市場的高敏感度、高速CMOS圖像傳感器。全新的250萬像素VITA25K傳感器擁有市場上單器件最大的數據吞吐能力,并帶有流水線和觸發(fā)式全域快門。該傳感器具有32個10-bit數字低壓差分信號(LVDS)輸出,可以允許圖像數據通過標準的工業(yè)協(xié)議進行低功耗、低噪聲傳輸。每個通道以620Mbps的速率運行,從而實現53幀每秒(fps)的無畸變高幀頻和快速讀出。VITA25K是高端機器視覺應用的理想選擇,適用于檢驗機、生物檢測(如下一代掌紋讀取儀)以及智能交通系統(tǒng)
          • 關鍵字: Cypress  圖像傳感器  CMOS  

          瑞薩開發(fā)出40nm高密度新型SRAM電路技術

          •   瑞薩電子開發(fā)出了一種新型SRAM電路技術,可克服因微細化而增加的CMOS元件特性不均現象,還能在維持速度的同時,以更小的面積實現合適的工作裕度。以上內容是在半導體電路技術相關國際會議“2010 Symposium on VLSI Circuits”上發(fā)布的(論文序號:10.2)。作為40nm工藝的產品,該公司試制出了bit密度達到業(yè)界最高水平的SRAM,并確認了其工作性能。主要用于實現40nm工藝以后SoC(system on a chip)的低成本化及低功耗化。   在So
          • 關鍵字: 瑞薩電子  SRAM  CMOS  

          Qualcomm與SEMATECH簽署合作協(xié)議 共同開拓新技術

          •   全球領先的芯片制造協(xié)會SEMATECH和先進無線芯片供應商Qualcomm宣布Qualcomm已與SEMATECH簽署了合作協(xié)議,共同推進CMOS技術進一步發(fā)展。Qualcomm是第一家進入SEMATECH的芯片設計公司,Qualcomm將深入參與和SEMATECH的研發(fā)項目,共同探索延續(xù)摩爾定律的新技術。
          • 關鍵字: Qualcomm  CMOS  芯片設計  

          0.5um CMOS新型電流反饋放大器的分析與設計

          • 本文的低壓低功耗 CFOA,它在只需1V 電源電壓情況下,僅產生0.7mW 功耗,84.2dB 的開環(huán)增益,62°的相位裕度,高達138dB 的共模抑制比, -0.85V~0.97V 的輸出電壓范圍
          • 關鍵字: CMOS  0.5  um  電流反饋    

          光致發(fā)光技術在檢測晶體Si太陽電池缺陷的應用

          • 引言  近年來,光伏產業(yè)發(fā)展迅猛,提高效率和降低成本成為整個行業(yè)的目標。在晶體Si太陽電池的薄片化發(fā)展過程中,出現了許多嚴重的問題,如碎片、電池片隱裂、表面污染、電極不良等,正是這些缺陷限制了電池的光電
          • 關鍵字: 電池  缺陷  應用  太陽  Si  技術  檢測  晶體  發(fā)光  

          TTL或CMOS集電極開路輸出的功耗

          • 用來計算TTL集電極開路輸出電路靜態(tài)功耗的公式如下:其中:VT=上拉電阻的有效端接電壓
            R=端接電阻的有效值
            VHI=高電平輸出(通常等于VT)
            VLO=低電平輸出
            VEE=輸出晶體管的射極(或源極
          • 關鍵字: CMOS  TTL  集電極開路  功耗    

          高線性度設計的CMOS調幅電路技術

          • 引言
            本文采用±5V電源,設計出了一種以模擬乘法器為核心電路的輸出信號與控制電壓成高線性度的電路,并且實現了單端控制和單端輸出。它在鎖相環(huán)、自動增益控制、正弦脈寬調制(SPWM)、模擬運算等方面有著很好的使用
          • 關鍵字: CMOS  高線性度  調幅  電路技術    

          CMOS雙向開關工作原理

          • CMOS雙向開關也稱CMOS傳輸門。CMOS雙向開關在模擬電路和數字電路應用非常廣泛。集成電路CMOS雙向開關產品有CC4066/4051/4052/4053等,性能優(yōu)良,使用方便且成本低。每個開關只有一個控制端和兩互為輸入/輸出信號端,
          • 關鍵字: CMOS  開關  工作原理    

          CMOS PA陷入成本和性能兩難,“單芯片手機”夢受阻

          • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
          • 關鍵字: PA  砷化鎵  CMOS  單芯片手機  SiCMOS  
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