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          三星宣布新型CMOS傳感器量產(chǎn)技術
          
                                                            
            
                    	
          • 韓國三星電子宣布提高CMOS傳感器靈敏度的背面照射技術達到了實用化水平，2010年將批量生產(chǎn)產(chǎn)品。至此，三家大型...
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          • 關鍵字：
                        CMOS  傳感器                          
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          張忠謀談半導體業(yè) 需要加強合作
          
                                                            
            
                    	
          • 　　臺積電總裁張忠謀認為,雖然近期IC業(yè)的形勢越來越好, 但是產(chǎn)業(yè)還是面臨諸多挑戰(zhàn)。
　　在近期舉行的臺積電技術會上張忠謀表示,摩爾定律正在減緩和芯片制造成本越來越高，因此臺積電將比過去在芯片制造商與代工之間更加加強緊密合作。
　　它對于大家說,此種合作關系要從芯片設計開始, 并相信未來臺積電會做得更好。
　　它同時指出，加強合作要依技術為先。從技術層面, 那些老的，包括新的代工競爭者, 如GlobalFoundries,Samsung及UMC,對于臺積電都能構成大的威脅。
　　非常幸運, 大部分
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          • 關鍵字：
                        臺積電  20nm  CMOS                          
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          低功耗高轉換速率CMOS模擬緩沖器
          
                                                            
            
                    	
          • 提出了減小輸入電容的軌到軌電壓緩沖器。軌到軌操作不僅在電路的輸出端，同樣在電路的輸入端實現(xiàn)。所介紹電路的AB特性導致了低功耗和高的轉換速率，使它很適合驅動大的電容負載。仿真結果已經(jīng)提供了該電路的操作。
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          • 關鍵字：
                        CMOS  低功耗  轉換速率  模擬                            
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          基于3GHz CMOS低噪聲放大器優(yōu)化設計
          
                                                            
            
                    	
          • 　摘 要： 基于0.18 μm CMOS工藝，采用共源共柵源極負反饋結構，設計了一種3 GHz低噪聲放大器電路。從阻抗匹配及噪聲優(yōu)化的角度分析了電路的性能，提出了相應的優(yōu)化設計方法。仿真結果表明，該放大器具有良好的性能
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          • 關鍵字：
                        3GHz  CMOS  低噪聲放大器  優(yōu)化設計                            
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          CMOS集成CD4013觸摸開關
          
                                                            
            
                    	
          • 這個電路是使用，CMOS集成電路CD4013雙D正反器，分別接成一個單穩(wěn)態(tài)電路和一個雙穩(wěn)態(tài)電路。單穩(wěn)態(tài)電路的作用是對觸摸信號進行脈波寬度整形，保證每次觸摸動作都可靠。雙穩(wěn)態(tài)電路用來驅動晶體管Q1的開通或關閉，進而控
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          • 關鍵字：
                        開關  觸摸  CD4013  集成  CMOS                          
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          5.6GHz CMOS低噪聲放大器設計
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：分析了一種射頻COMS共源-共柵低噪聲放大器的設計電路，采用TSMC 90nm低功耗工藝實現(xiàn)。仿真結果表明：在5．6GHz工作頻率，電壓增益約為18．5dB；噪聲系數(shù)為1．78dB；增益1dB壓縮點為-21．72dBm；輸入?yún)⒖既A交
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        CMOS  5.6  GHz  低噪聲                            
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          CMOS探測器在射線檢測中的設計應用
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 概述：以CMOS探測器為記錄介質的數(shù)字化射線檢測技術，檢測精度高、溫度適應性好、結構適應性強。CMOS射線掃描探測器探測單元排成線陣列，需要在檢測時進行相對掃描運動，逐線采集并拼成完整的透照投影圖像。介紹了檢
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          • 關鍵字：
                        設計  應用  檢測  射線  探測器  CMOS                          
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          基于單晶片CMOS語音合成的ASIC設計
          
                                                            
            
                    	
          • 引言　　近年語音集成電路獲得迅速發(fā)展，其應范圍越越廣，自動售貨機、ATM柜員機，部直通電話機以及玩具等方面應量語音合成芯片。該芯片部采脈寬調(diào)制，數(shù)字信號確還原成模擬信號，從而使得電路輸出端不需接D/A轉換；
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        ASIC  設計  合成  語音  晶片  CMOS  基于                          
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          淺析：視頻監(jiān)控相關技術發(fā)展與市場動向
          
                                                            
                    
          
                
          
                                
          
                    
          DSP內(nèi)嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • DSP內(nèi)嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設計,本文設計了一種應用于DSP內(nèi)嵌鎖相環(huán)的低功耗、高線性CM0S壓控環(huán)形振蕩器。電路采用四級延遲單元能方便的獲得正交輸出時鐘，每級采用RS觸發(fā)結構來產(chǎn)生差分輸出信號，在有效降低靜態(tài)功耗的同時．具有較好的抗噪聲能力。在延遲單元的設計時。綜合考慮了電壓控制的頻率范圍以及調(diào)節(jié)線性度，選擇了合適的翻轉點。 仿真結果表明．電路叮實現(xiàn)2MHz至90MHz的頻率調(diào)節(jié)范圍，在中心頻率附近具有很高的調(diào)節(jié)線性度，可完全滿足DSP芯片時鐘系統(tǒng)的要求。
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          • 關鍵字：
                        振蕩器  設計  環(huán)形  CMOS  內(nèi)嵌  PLL  DSP                          
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          CMOS音頻功率放大器的旁路電壓控制電路
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：基于CSMCO．5μm CMOS工藝設計一種帶滯回功能的高穩(wěn)定性電壓控制電路，利用遲滯比較器對旁路電壓和基準電壓進行比較并控制電容的充放電，提高了電壓的穩(wěn)定性。Cadence Spectre仿真結果表明，該電路產(chǎn)生的電壓穩(wěn)
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          • 關鍵字：
                        CMOS  音頻功率放大器  旁路  電壓控制                            
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          Altera和Apical交付首個HD WDR FPGA監(jiān)控應用解決方案
          
                                                            
            
                    	
          • 　　Altera公司和Apical有限公司今天宣布，為視頻監(jiān)控攝像機提供世界上第一個高清晰寬動態(tài)范圍(WDR) CMOS圖像傳感器處理解決方案。在內(nèi)華達洲拉斯維加斯3月24號到26號舉行的國際安防大會(ISC)西部博覽會上，Altera展示了這一解決方案。Altera和Apical全面的解決方案保證了各種照明條件下優(yōu)異的視頻圖像質量，而這是前幾代監(jiān)控攝像機面臨的主要瓶頸問題。結合Altera的 Cyclone® III和Cyclone IV FPGA以及Apical的知識產(chǎn)權(IP)，這一解決方案
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          • 關鍵字：
                        Altera  FPGA  視頻監(jiān)控  CMOS                          
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          安森美推出5款互補金屬氧化物半導體線性穩(wěn)壓器系列
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體擴充產(chǎn)品陣容，推出5款新的互補金屬氧化物半導體(CMOS)線性穩(wěn)壓器系列。優(yōu)化的NCP69x系列用于低功耗的便攜電池供電及“持續(xù)開機”(always-on)應用，如線纜調(diào)制解調(diào)器、衛(wèi)星接收機、數(shù)字機頂盒及電表。
　　NCP690、NCP691和NCP692是極低壓降(VLDO) 1 A穩(wěn)壓器件，提供5.0 V到低至1.25 V的可調(diào)節(jié)輸出電壓，或固定輸出電壓版本。這些器件提供62 dB的電源抑制比(PSSR)、典型
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          • 關鍵字：
                        安森美  CMOS  穩(wěn)壓器                          
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          2009-2010年全球CMOS相機模組行業(yè)研究報告
          
                                                            
            
                    	
          • 　　日前，水清木華發(fā)布了2009-2010年全球CMOS相機模組行業(yè)研究報告。從報告中我們不難看出，CMOS相機模組行業(yè)仍是日本企業(yè)的天下。排名第一的FUJINON是富士膠卷旗下一員，在300萬像素以上手機鏡頭領域市場占有率超過50%。
　　手機相機模組的產(chǎn)業(yè)鏈異常復雜。手機相機模組產(chǎn)業(yè)鏈上三個核心點，一是CMOS圖像傳感器，二是光學鏡頭，三是模組組裝廠家。隨著手機相機像素的上升，封裝廠家也顯得日益重要，而模組組裝廠家日益落寞。CMOS圖像傳感器廠家可以結合光學元件，并經(jīng)過特殊封裝后直接出貨給手機制造廠
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          • 關鍵字：
                        傳感器  CMOS  圖像傳感器  封裝  晶圓  相機模組                          
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          GlobalFoundries德國Dresden工廠將投產(chǎn)22nm CMOS制程
          
                                                            
            
                    	
          • 　　GlobalFoundries位于德國Dresden的Fab 1正在啟動22nm CMOS工藝的開發(fā)，并計劃將該工藝投入量產(chǎn)。目前還不知道該工藝和32nm及28nm工藝所采用的gate-first高k金屬柵CMOS工藝有何差別。
　　此前，F(xiàn)ab 1被認為將作為45/40nm和32/28nm的主要生產(chǎn)工廠，而正在美國紐約州興建的Fab 8才作為22nm及以下工藝的生產(chǎn)地。
　　“22nm制程已在Fab 1開動，F(xiàn)ab 1將試產(chǎn)22nm，并投入部分量產(chǎn)。”Fab 1總經(jīng)理Ud
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          • 關鍵字：
                        GlobalFoundries  22nm  CMOS                          
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