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          CMOS場效應晶體管的發(fā)展趨勢

          •   前言   自從1947年第一支晶體管的發(fā)明,半導體集成電路在二十世紀的后三十年有了一個極大的發(fā)展。這個發(fā)展極大的推動了世界性的產業(yè)革命和人類社會的進步。 今天在我們每個人的日常生活中, 英特網,手機的普及和計算機在各個領域的大量應用,已經使我們進入了信息時代。在這中間起決定性作用的是在硅晶片上工作的CMOS場效應晶體管的發(fā)明,它的制造工藝的不斷發(fā)展和以它為基礎的超大規(guī)模集成電路的設計手段的不斷改進。   圖1是一個最基本的CMOS邏輯門—反向器的物理結構和電路圖。當輸入為邏輯0時它的輸
          • 關鍵字: CMOS  晶體管  

          GSM前端中下一代CMOS開關設計(04-100)

          •   早期手機設計采用環(huán)行器在發(fā)射與接收間雙工通信。然而,若想用上述設計來支持多個頻帶,就需要多個環(huán)行器。這類鐵氧體基設計使手機既體積大又價格昂貴。并且在某些場合下,由于環(huán)行器帶寬太窄,根本不能正常工作。其它可供選擇的方案有高頻開關和濾波器組。它們同樣存在成本或體積的問題。   GSM手機是在時間雙工基礎上工作的,自然前端最好采用只有開關的實施方案。這是因為雙工濾波器的插入損耗比開關高得多,而且在目前,它還承受不了GSM的功率電平。GSM手機占有60%的手機銷售份額,因此本文集中介紹GSM系統(tǒng)對開關的要求
          • 關鍵字: GSM  CMOS  

          基于CMOS工藝的數字步進衰減器的設計

          • 本文基于Peregrine(派更)半導體公司的單片數字步進衰減器(DSA,Digital Step Attenuator)產品系列,闡述了DSA通用設計方法、RF CMOS工藝以及這些器件的性能。
          • 關鍵字: CMOS  工藝  步進  數字    

          Icera 將收購專注于射頻 CMOS 技術的 Sirific Wireless

          •   英國布里斯托爾2008年4月7日電 /新華美通/ -- 軟件定義無線調制解調器芯片集領域的領導者 Icera Inc. 今天宣布,該公司已經與專注于先進 CMOS 射頻 (RF) 收發(fā)器的無晶圓廠半導體公司 Sirific Wireless 簽署了一項最終合并協(xié)議。這將使 Icera 能夠為移動寬帶市場提供一套完善的芯片集解決方案。行業(yè)分析師預計到2012年移動寬帶用戶將從目前的9000萬增至13億。       該交易顯著加快了 Icera 產品的上市,并增強了該公司在用于移
          • 關鍵字: CMOS   射頻  調制解調器  Icera   

          超低成本手機的RF設計(06-100)

          •   預計在末來幾年超低成本手機(ULCH)市場會迅速增長。RF設計將是ULCH的關鍵。   靈敏度是關鍵   就系統(tǒng)而言,靈敏度是ULCH的1個關鍵參量,它直接涉及到收發(fā)器的性能。這是因為系統(tǒng)靈敏度直接影響所需的網絡基礎架構的投資和實際用戶的感受??梢允冀K如一地接收較小信號的手機將具有較好的語音清晰度和較少的通話破壞(如服務可達性問題和失掉通話)。較好的靈敏度能改善給定蜂窩內的手機有效范圍(包括蜂窩邊沿)并為衰減條件提供較好的抗擾度。ULCH市場的網絡經營商可以選擇在基站和相關基礎架構設備中從最小的資
          • 關鍵字: ULCH  RF  CMOS  

          采用0.13微米CMOS工藝制造的單芯片UMTS W-CDMA多頻段收發(fā)器(06-100)

          •   前言   隨著通用移動通信系統(tǒng)(UMTS)網絡在日本和歐洲實現商用,市場對多頻段寬帶碼分多址(W-CDMA)收發(fā)器芯片的要求更加苛刻——除了縮小芯片面積和主板占用空間、減少組件數量、降低材料成本外,還要求芯片具備足夠的靈活性,不僅要支持工作頻段I,還要支持其他多個頻段??紤]到UMTS的全雙工性質,再加上支持所有頻段要求在面積更小的芯片上集成多個發(fā)射和接收通道,如何最大限度降低這些通道之間的串擾,就成為一個非常具有挑戰(zhàn)性的任務。第一顆采用0.13微米CMOS工藝制造的單芯片直接
          • 關鍵字: Infineon  CMOS  UMTS  W-CDMA  

          小型無線視頻傳感器設計(06-100)

          •   前言   單片無線電技術的飛速發(fā)展,小型CMOS圖像傳感器和數字攝像技術的改進,造就了新一代無線圖像傳感器,即一種小型化(體積不足一立方寸)、自主的、高集成的成像器一種能高效,經濟地感知環(huán)境,無線遙測圖像的傳感器。本文介紹的分布無線傳感器網絡用的成像器,可廣泛地應用于視頻監(jiān)控,醫(yī)學與化學分析,貨物跟蹤以及倉庫控制等領域。 ?   圖像傳感器   市場上已有多種CCD與CMOS成像器和集成小型攝像機。雖然CCD有較高的信噪比,良好的圖像質量,但CMOS有可能SoC集成,工作電流小,是一
          • 關鍵字: 傳感器  CMOS  無線  

          合成儀器技術(04-100)

          •   合成儀器(SI)利用部件開放結構環(huán)境中所用的核心硬件和軟件構建單元組合,合成傳統(tǒng)儀器中的激勵和/或測量功能。合成儀器概念在70年代末和80年代初,主要是集中在軍事項目研究中。此時,其技術不能為商業(yè)提供可用性。所能實現的主要是集中在RF/微波應用中的低頻模擬、數字和基帶中。   現代合成儀器發(fā)現它們的根是在過去10年通信革命和呈現出的軟件無線電(SDR)概念中。根據SDR的定義,SDR是由DSP、發(fā)送器、接收器把數字數據變?yōu)闊o線通信用的調制無線電波和把調制無線電波變換為數字數據。DSP提供無線電功能,
          • 關鍵字: 合成儀器  SI  SDR  

          低功耗、高線性CMOS可編程放大器

          • 摘? 要:針對接收機前端中可變增益放大器需要高線性處理大信號的問題。分析了使用源極退化電阻以及跨導增強電路的放大器線性度;設計了使用改進型跨導增強電路的放大器。它具有更強的跨導增強能力,同時減小了輸入MOS管跨導由于漏源電壓變化產生的非線性失真。提出了一種對稱的可變電阻結構,它降低了MOS管開關帶來的非線性。仿真結果表明,放大器在3.3V電源電壓下直流功耗為1.5mW。在1~lOMHz帶寬、3~24dB增益范圍內,差分輸出信號峰峰值為3.3V時,總諧波失真低于-60dB。 關鍵詞:可變增益放大
          • 關鍵字: CMOS 可編程放大器  

          CMOS功率放大器技術優(yōu)化單芯片手機方案設計

          CMOS兩級運算放大器調零電路性能分析

          •   引言   運算放大器的高速性能主要靠兩個重要的參數來衡量,即大信號響應時間和小信號響應時間。大信號響應時間由擺率決定,小信號響應則由建立時間或單位增益帶寬來決定。提高運放速度的方法有多種多樣[1][2][3],折疊式運算放大器有功耗較大,折疊點處寄生電容高等缺點[1];采用套筒式運放結構,如果采用二階結構,則會造成較大的功耗,采用一階結構則會限制差分輸出擺幅[2];反饋結構放大器也存在問題,一是匹配問題不易實現,二是電路的輸出跨導受輸出信號的影響較大[3]。   本文介紹的典型基本二級運算放大器具
          • 關鍵字: CMOS  運算放大器  

          基于虛擬線的交通信息視頻檢測技術及應用

          基于LVDS的SerDes芯片簡化汽車應用中的視頻互聯(lián)

          •   近年來,隨著CMOS成像傳感器和Flash存儲器等產品價格的日益下降,對于成像和視頻技術感興趣的消費者數量在不斷增加。在不久的將來,視頻將在汽車環(huán)境中的安全性應用方面創(chuàng)造價值,目的在于使我們行駛的路面和駕駛的汽車都更加安全。   豪華汽車中已經出現防撞系統(tǒng),可以借助環(huán)繞在汽車周圍的多角攝像機,監(jiān)視預定范圍內各種物體對車體的靠近情況。在惡劣的環(huán)境中,將這些遠程攝像機與用于實時分析每個圖片的集中視頻處理器相連接,會產生非常實際的問題,尤其是在各個攝像機可能生成16位或更高的視頻信息以及多個控制信號的情況
          • 關鍵字: CMOS  

          SRC基于CMOS工藝的汽車雷達硅芯片取得新進展

          • ????? 據報道,佛羅里達州大學以及半導體研究公司(SRC)在開發(fā)基于CMOS工藝技術的汽車雷達集成電路上以及取得進展。 ????? 現有的雷達芯片由昂貴的材料制成,如砷化鎵(GaAs)以及磷化銦(InP)。據研究人員透露,用于制造汽車雷達的電子電路價值幾百美元。 ????? 新型的基于硅片的雷達芯片可能只要10美元就能制造出來,據佛羅里達大學以及SR
          • 關鍵字: CMOS 汽車雷達 芯片  

          意法半導體通過CMP為科研機構和設計公司提供45納米互補金屬氧化物半導體制造工藝

          •   意法半導體和CMP (Circuits Multi Projects ?) 宣布,通過CMP提供的硅中介服務,大學、科研院所和公司可以使用意法半導體的45納米互補金屬氧化物半導體(CMOS)制造工藝進行原型設計。這項消息在巴黎舉行的CMP用戶年會上發(fā)布,會中集結了采用CMP多項目晶片服務的大學院校、科研機構或私營企業(yè)的代表。通過CMP的服務,他們可以委托芯片廠商小批量制造幾十個到幾千個的先進集成電路。   45納米CMOS工藝的推出,是延續(xù)ST與CMP授權大學使用上一代65納米和90納米CM
          • 關鍵字: 意法半導體 CMP CMOS   200802  
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