<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
          EEPW首頁 >> 主題列表 >> si cmos

          用于通用X射線應(yīng)用的晶圓級有源像素CMOS圖像傳感器

          • 摘要: 本文以使用標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)和有源像素架構(gòu)的CMOS有源像素傳感器為研究對象。該傳感器專為X射線成像系統(tǒng)而設(shè)計,具有噪聲低和感光度高等特點。這種傳感器已使用標(biāo)準(zhǔn)0.35μm技術(shù)和8″晶圓得到生產(chǎn)。傳感器分辨率為每40 x 40μm2 面積3360 x 3348像素。其對角長度略大于190mm。本文對傳感器的圖紙設(shè)計、拼接圖和已得到開發(fā)的電子光學(xué)性能進行了論述。       &nbs
          • 關(guān)鍵字: CMOS  X射線  電源技術(shù)  晶圓級  模擬技術(shù)  圖像傳感器  有源像素  其他IC  制程  設(shè)備診斷類  

          OKI新型UV傳感器ML8511采用SI-CMOS制程

          • 沖電氣(OKI)推出內(nèi)建運算放大器的紫外線(UV)傳感器IC——ML8511。該產(chǎn)品運用絕緣上覆硅(SOI)-CMOS,為該公司首款模擬電壓輸出、無濾光器的UV傳感器。OKI將從6月份開始陸續(xù)針對可攜式等用途產(chǎn)品,提供新款UV傳感器樣品。 OKI的UV傳感器IC由于采用了容易高整合度的SOI-CMOS技術(shù),適合于數(shù)字及模擬電路。OKI表示,該公司未來將靈活運用這一特長,加強與連接微處理器的數(shù)字輸出電路,進而與感測式亮度控制傳感器(AmbientLightSensor)構(gòu)成單一芯片的商品陣容;未來
          • 關(guān)鍵字: OKI  SI-CMOS  傳感器  電源技術(shù)  模擬技術(shù)  IC  制造制程  

          常用CMOS模擬開關(guān)功能和原理

          • 開關(guān)在電路中起接通信號或斷開信號的作用。最常見的可控開關(guān)是繼電器,當(dāng)給驅(qū)動繼電器的驅(qū)動電路加高電平或低電平時,繼電器就吸合或釋放,其觸點接通或斷開電路。CMOS模擬開關(guān)是一種可控開關(guān),它不象繼電器那樣可以用在大電流、高電壓場合,只適于處理幅度不超過其工作電壓、電流較小的模擬或數(shù)字信號。 一、常用CMOS模擬開關(guān)引腳功能和工作原理 1.四雙向模擬開關(guān)CD4066 CD4066的引腳功能如圖1所示。每個封裝內(nèi)部有4個獨立的模擬開關(guān),每個模擬開關(guān)有輸入、輸出、控制三個端子,其中輸入端和輸出端可互換。當(dāng)控
          • 關(guān)鍵字: CMOS  電源技術(shù)  模擬技術(shù)  模擬開關(guān)  數(shù)控電阻  電阻  電位器  

          ROHM開發(fā)CMOS運算放大器和比較器

          • ROHM株式會社針對力求省電的筆記本電腦、數(shù)碼相機、游戲機等便攜數(shù)碼產(chǎn)品,推出高可靠性CMOS運算放大器、比較器。共發(fā)布24種1ch、2ch的高速型、低功耗型CMOS運算放大器、比較器。首先是從需求量大的1ch產(chǎn)品的樣品出貨、量產(chǎn)開始。3月份開始推出高速型「BU7261G」、「BU7261SG」和低功耗型「BU7241G」、「BU7241SG」運算放大器樣品,并將于2007年6月開始量產(chǎn)。 而CMOS比較器則從2007年4月開始推出高速型「BU7251G」、「BU7251SG」,與低功耗型「BU7231G
          • 關(guān)鍵字: CMOS  ROHM  比較器  電源技術(shù)  模擬技術(shù)  運算放大器  模擬IC  電源  

          先進的3G多頻段收發(fā)器實現(xiàn)了前端的高度集成

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: 3G  GSM  TD-SCDMA  收發(fā)器  2G  RF  WCDMA  UMTS  CMOS  HSDPA  LO  IF  LNA  3GPP  

          CISCO_服務(wù)器設(shè)計中的EMI和SI問題

          •   統(tǒng)時鐘設(shè)計和布線  (以減小時鐘傾斜(Skew)導(dǎo)致的時鐘余裕 (timing margin) 受損)  時鐘走線首先要注意避免阻抗不連續(xù),在驅(qū)動器端的時鐘線設(shè)定阻抗為Z0為40Ω,然后每條線扇出成一對線,每條的Z0基本加倍,使信號反射減至最小。時鐘傾斜(timing skew)的問題是通過仿真解決,并將走線布到同一層上,管腳上時序信息是經(jīng)過測試驗證過的?!   ?yōu)化電源層結(jié)構(gòu),防止電源的電磁輻射影響信號層  (減小耦合噪聲,△I噪聲,模式轉(zhuǎn)換噪聲mode conversion noise)  在開始
          • 關(guān)鍵字: CISCO  EMI  SI  服務(wù)器  

          移動終端中三類射頻電路的演進方向

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: 射頻  GSM  CMOS  GaAs  HBT  FET  SAW  FEM  VOC  DCR  DCT  

          CMOS集成電路使用注意事項

          • CMOS集成電路的安裝。為了避免由于靜電感應(yīng)而損壞電路,焊接CMOS集成電路所使用的電烙鐵必需良好接地,焊接時間不得超過5秒。最好使用20~25W內(nèi)熱式電烙鐵和502環(huán)氧助焊劑,必要時可使用插座。在接通電源的情況下,不應(yīng)裝拆CMOS集成電路。凡是與CMOS集成電路接觸的工序,使用的工作臺及地板嚴禁鋪墊高絕緣的板材(如橡膠板、玻璃板、有機玻璃、膠木板等),應(yīng)在工作臺上鋪放嚴格接地的細鋼絲網(wǎng)或銅絲網(wǎng),并經(jīng)常檢查接地可靠性。CMOS集成電路的測試。測試時所有CMOS集成電路的儀器、儀表均應(yīng)良好接地。如果是低阻信
          • 關(guān)鍵字: CMOS  集成電路  

          AMIS新型 2400dpi CMOS圖像傳感器

          •   傳感器分別提供2400dpi、 1200dpi、 600dpi和 300dpi的可選分辨率,可滿足印刷、掃描和成像外圍設(shè)備的廣泛要求。   AMIS宣布首個2400dpi CMOS圖像傳感器現(xiàn)已投放市場。高度整合和具成本效益的AMIS-722402提供分辨率為2400、1200、600或 300dpi 的多種選擇,同時還可降低掃描儀、支票閱讀機、辦公自動化設(shè)備、打印機和其它基于成像的外圍設(shè)備在操作時的功耗和噪音。   新的傳感器以AMI&nb
          • 關(guān)鍵字: 2400dpi  AMIS  CMOS  圖像傳感器  消費電子  消費電子  

          32段CMOS LCD驅(qū)動器AY0438及其與單片機的接口設(shè)計

          CMOS多頻段低噪聲放大器設(shè)計

          • 本設(shè)計中的并行式多頻段LNA為單個LNA,但能同時工作在不同頻段下且放大所需頻段的信號。
          • 關(guān)鍵字: CMOS  多頻  低噪聲  放大器設(shè)計    

          AM OLED:OLED的“明日之星”

          • 摘要: 本文對近期平板顯示市場的一些變化,如液晶的大幅降價對PMOLED(被動式OLED)的沖擊,AMOLED(主動式OLED)的最新變化及技術(shù)趨勢進行了概括分析。關(guān)鍵詞: AM OLED;TFT;LTPS;a-Si 目前OLED市場上占據(jù)絕對優(yōu)勢的PM OLED,因局限于中小尺寸顯示屏市場,并且在技術(shù)與價格上與LCD相比優(yōu)勢不明顯,受LCD降價沖擊很大,未來并不被業(yè)界看好。相反,AM OLED技術(shù)卻在市場一片叫好聲中,日漸成熟,蓄勢待發(fā)。三星SDI預(yù)計在2007年進入市場,開始大規(guī)
          • 關(guān)鍵字: 0612_A  AM  a-Si  LTPS  OLED  TFT  消費電子  雜志_關(guān)注焦點  有機發(fā)光二極管  OLED  消費電子  

          超低功耗電子電路系統(tǒng)設(shè)計原則

          • 本文將對超低功耗電路設(shè)計原則進行分析,并就怎樣設(shè)計成超低功耗的產(chǎn)品作一些論述,從而證明了這種電路在電路結(jié) ...
          • 關(guān)鍵字:   CMOS    TTL    單片機  

          MCU 中輸入/輸出口的使用

          • 本文介紹了幾款MCU輸入/輸出口的使用。
          • 關(guān)鍵字: 掩膜  CMOS  電阻  

          基于積累型MOS變?nèi)莨艿纳漕l壓控振蕩器設(shè)計

          • 引言 隨著移動通信技術(shù)的發(fā)展,射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實現(xiàn)壓控振蕩器(VCO),是實現(xiàn)RF CMOS集成收發(fā)機的關(guān)鍵。過去的VCO電路大多采用反向偏壓的變?nèi)荻O管作為壓控器件,然而在用實際工藝實現(xiàn)電路時,會發(fā)現(xiàn)變?nèi)荻O管的品質(zhì)因數(shù)通常都很小,這將影響到電路的性能。于是,人們便嘗試采用其它可以用CMOS工藝實現(xiàn)的器件來代替一般的變?nèi)荻O管,MOS變?nèi)莨鼙銘?yīng)運而生了。 MOS變?nèi)莨? 將MOS晶體管的漏,源和襯底短接便可成為一個簡單的MOS電容,其電容值隨柵極與襯底之間
          • 關(guān)鍵字: CMOS  RF專題  電源技術(shù)  模擬技術(shù)  射頻  振蕩器  
          共972條 63/65 |‹ « 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 »

          si cmos介紹

          您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條si cmos!
          歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對si cmos的理解,并與今后在此搜索si cmos的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

          熱門主題

          樹莓派    linux   
          關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
          Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
          備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();