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Panasonic電工PhotoMOS MOSFET的控制電路
- 前言 Panansonic電工的PhotoMOS在輸出中采用了光電元件和功率MOSFET，是作為微小模擬信號用而開發(fā)出的SSD，以高功能型的HF型為首，正逐步擴(kuò)展系列，如通用型的GU型、高頻型的RF型。 上次介紹了PhotoMOS的概要，此次將介紹內(nèi)置在PhotoMOS中構(gòu)成控制電路的獨特的光電元件的特點、構(gòu)造、布線等。 FET型MOSFET輸出光電耦合器的基本電路 圖1是PhotoMOS中具有代表性的、即所謂的FET型MOSFET輸出光電耦合器的最基本電路。在該電路中由于輸出
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瑞薩電子推出3款新型功率MOSFET產(chǎn)品
- 高級半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子)已于近日宣布開始供應(yīng)第12代新型功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管)產(chǎn)品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新產(chǎn)品作為面向DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率半導(dǎo)體器件，主要面向計算機(jī)服務(wù)器和筆記本電腦等的應(yīng)用。 本次推出的3款功率MOSFET可用于控制CPU和存儲器的電壓轉(zhuǎn)換電路。例如，可作為降壓電路，用于將電池提供的12V電壓轉(zhuǎn)換為1.05V，以便為CPU所用。隨著公司進(jìn)一步推進(jìn)
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Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要2
- b觸點型“PhotoMOS”的開發(fā) 隨著PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢被廣泛了解，人們將其用于信息通信設(shè)備、OA設(shè)備、FA設(shè)備及其他廣泛的領(lǐng)域。為了滿足大眾進(jìn)一步的需求，本公司開發(fā)出了“可通過機(jī)械實現(xiàn)、并擁有所有觸點構(gòu)成(b觸點、c觸點)”的PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器。 為實現(xiàn)該產(chǎn)品的開發(fā)，我們在功率MOSFET制造工藝中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Do
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IR 推出為 D 類應(yīng)用優(yōu)化的汽車用 DirectFET2 功率 MOSFET
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天宣布推出汽車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列，適合D 類音頻系統(tǒng)輸出級等高頻開關(guān)應(yīng)用。 新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR 適用于汽車 D 類音頻系統(tǒng)的 DirectFET®2 功率 MOSFET 陣營，并利用低柵極電荷 (Qg) 作出優(yōu)化，來改善總諧波失真
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基于功率MOSFET的激光器外觸發(fā)系統(tǒng)研制
- 采用功率MOSFET及其驅(qū)動器和光纖收發(fā)器件，研究了激光觸發(fā)開關(guān)脈沖功率源控制技術(shù)中的快上升沿(≤5 ns)觸發(fā)信號產(chǎn)生、驅(qū)動、傳輸及光纖隔離、高耐壓脈沖變壓器使用等關(guān)鍵技術(shù)。給出了激光器外觸發(fā)控制電路的設(shè)計及測試結(jié)果，并對其應(yīng)用特點進(jìn)行了分析和討論。
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Diodes 推出小型SOT963封裝器件
- Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封裝的雙極晶體管 (BJT)、MOSFET和瞬態(tài)抑制二極管 (TVS) 器件，性能可媲美甚至超過采用更大封裝的器件。 Diodes SOT963的占板面積僅有0.7 mm2，比SOT723封裝少30%，比SOT563封裝少60%，適合低功耗應(yīng)用。占板面積節(jié)省加上0.5 mm的離板高度，讓Diodes 的 SOT963 封裝器件能夠滿足各種超便攜式電子產(chǎn)品的要求。 現(xiàn)階段推出的SOT963封裝產(chǎn)品線包括6款通用雙極雙晶體管組合、3款小信號雙MOS
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英飛凌推出30V車用 MOSFET
- 英飛凌科技股份公司近日面向大電流應(yīng)用的汽車推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態(tài)電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0，可滿足客戶對標(biāo)準(zhǔn)封裝功率 MOSFET的需求：以最低成本獲得高額定電流和最低通態(tài)電阻。 基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強(qiáng)大的第二代溝槽技術(shù)，OptiMOS-T
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英飛凌推出一款30V功率MOSFET
- 英飛凌科技股份公司近日面向大電流應(yīng)用的汽車推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。全新的OptiMOS?-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態(tài)電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0，可滿足客戶對標(biāo)準(zhǔn)封裝功率 MOSFET的需求：以最低成本獲得高額定電流和最低通態(tài)電阻。 基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強(qiáng)大的第二代溝槽技術(shù)，OptiMOS-T2器件成為大
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IR 拓展具有低導(dǎo)通電阻的汽車用 MOSFET 系列
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天宣布拓展了針對低導(dǎo)通電阻(RDS(on))應(yīng)用的汽車用功率 MOSFET 專用系列，包括車載電源及內(nèi)燃機(jī) (ICE) 、微型混合動力和全混合動力平臺上的重載應(yīng)用。 新的 MOSFET 系列器件系列在 55V 的電壓下可提供低達(dá) 2.6 mΩ 的導(dǎo)通電阻，可以承受 40V 至100V 的電壓，并涵蓋了此前推出的 75V 產(chǎn)品。當(dāng)中一些具有更高電壓的器件非常適用于 24V 卡車系統(tǒng)，采用 D2Pak-7P
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IR 推出全新 HEXFET 功率MOSFET系列
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝，具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電及放電開關(guān)、系統(tǒng)和負(fù)載開關(guān)、輕載電機(jī)驅(qū)動，以及電信設(shè)備等應(yīng)用。 新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中壓硅技術(shù)，通過大幅降低90% RDS(on)顯著改善了電流處理能力，為客戶的特定應(yīng)用優(yōu)化了性能及價格。 IR
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2009年度電源產(chǎn)品獎評選結(jié)果揭曉
- 2010年6月8日，由中國電子技術(shù)權(quán)威雜志《電子產(chǎn)品世界》舉辦的“2009年度電源產(chǎn)品評選”活動在“第七屆綠色電源與電源管理技術(shù)研討會”舉行了頒獎典禮。社長陳秋娜女士宣布了最終的獲獎結(jié)果，中國電源學(xué)會常務(wù)理事長李龍文和陳秋娜女士分別為獲獎廠商代表進(jìn)行頒獎。本次活動中共收到來自近20家國內(nèi)外電源廠商提交的五大類別60多款產(chǎn)品，經(jīng)網(wǎng)上票選和專家測評最終的分別選出最佳創(chuàng)新獎和最佳應(yīng)用獎獲獎產(chǎn)品，另外還同時從所有參選產(chǎn)品中特別評選出了兩款綠色電源獎產(chǎn)品獎。
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