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	si mosfet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          安森美半導體擴充N溝道功率MOSFET系列
          
                                                            
            
                    	
          • 　　應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體擴充N溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導體經(jīng)過完備測試的N溝道功率MOSFET提供高達500毫焦(mJ)的業(yè)界領先雪崩額定值，非常適用于要顧慮因非鉗位電感型負載引致過渡電壓應力的設計。
　　安森美半導體這些100 V功率MOSFET器件的典型應用包括工業(yè)電機控制、電源、不間斷電源(UPS)中的電源逆變器，以及汽車中的直接燃氣噴射(DGI)。這些無鉛器件，符合RoHS指令，關鍵的規(guī)范特性包括：

    
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          • 關鍵字：
                        安森美  MOSFET                          
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          電腦的麥克風電路以及JFET-MOSFET耳機功放電路
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 電腦的麥克風電路The sound card for a PC generally has a microphone input, speaker output and sometimes line inputs and outputs. The mic input is designed for dynamic microphones only in impedance rang
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          • 關鍵字：
                        電路  耳機  功放  JFET-MOSFET  以及  麥克風  電腦                          
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          Maxim推出用于高壓系統(tǒng)的高邊MOSFET驅動器
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Maxim推出用于高壓系統(tǒng)的高邊MOSFET驅動器MAX15054。該器件能夠為需要采用降壓或升降壓拓撲結構、但不帶必需的高邊MOSFET驅動器的HB (高亮度) LED設計提供低成本方案。MAX15054在單串和多串LED驅動器中通過使用降壓以及單電感升降壓拓撲結構，并將地電位作為輸出電壓的參考點，從而使設計人員避免了采用SEPIC結構帶來的成本和設計復雜度。
　　MAX15054可提供2A驅動電流，具有極低(12ns，典型值)的傳輸延時和較短的上升、下降時間。器件的雙UVLO (欠壓鎖定)功能保
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          • 關鍵字：
                        Maxim  驅動器  MOSFET  MAX15054                          
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          Linear 推出高速同步 MOSFET 驅動器 LTC4449
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅動器 LTC4449，該器件為在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設計。這個驅動器結合凌力爾特公司的 DC/DC 控制器和功率 FET 可形成一個完整的高效率同步穩(wěn)壓器，該穩(wěn)壓器可用作降壓型或升壓型 DC/DC 轉換器。
　　LTC4449 在 4V 至 6.5V 范圍內驅動高端和低端 MOSFET 柵極，以高達 38V 的電源電壓工作。這個強大的驅動器可以吸收
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          • 關鍵字：
                        Linear  MOSFET  驅動器  LTC4449                          
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          RS添加超過900種飛兆半導體裝置
          
                                                            
            
                    	
          • 　　RS Components于今日宣布，增加飛兆半導體900種新裝置，飛兆是全球領先節(jié)能半導體技術供應商。RS目前擁有最先進、最全面的飛兆電源產(chǎn)品系列，均可從庫存直接發(fā)貨至廣大設計工程師。
　　新添加的電源IC家族包括飛兆獲得大獎的直流直流控制器，融合了領先行業(yè)的便攜式裝置高功率、高性能、功率密度和規(guī)格等特點。RS推出的飛兆系列也包括Intellimax™負荷開關和MOSFET、高性能光耦合器、二極管、IGBT、邏輯及接口產(chǎn)品。
　　飛兆的FAN2XXX和FAN5XXX直流直流控制器家族
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          • 關鍵字：
                        RS  電源  IGBT  MOSFET  Intellimax                          
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          IR 推出適用于汽車的 DirectFET 2 功率 MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天推出適用于汽車的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。這兩款產(chǎn)品以堅固可靠、符合AEC-Q101標準的封裝為汽車應用實現(xiàn)了卓越的功率密度、雙面冷卻和極小的寄生電感和電阻。

　　IR 的這些首款汽車用 DirecFET2 件完全不含鉛，與傳統(tǒng)標準塑料封裝元件相比，可降低整體系統(tǒng)級尺寸和成本，實現(xiàn)更優(yōu)異的性能和效率。
　　IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉
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          • 關鍵字：
                        IR  MOSFET  AUIRF7739L2  AUIRF7665S2  DirectFET                          
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          Vishay推出4款MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。

　　新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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          • 關鍵字：
                        Vishay  MOSFET  FET                          
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          英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進一步擴大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)、DC/DC變換器、不間斷電源(UPS)和直流電機驅動。憑借同類器件中最低的優(yōu)質化系數(shù)(FOM)，OptiMOS 200V和250V技術可使系統(tǒng)設計的導通損耗降低一半。

　　對于應用二極管整流的48V開關電源而言，工程師們現(xiàn)在有了全新的選擇，從而使得整體效率大于95%。這比當前典型的效率水平高出兩個百分點，從功率損耗的角度看，也就是發(fā)熱量降
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  MOSFET  OptiMOS                          
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          TI 推出通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率MOSFET 
          
                                                            
            
                    	
          • 　　日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標準尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設備的尺寸，同時還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進散熱管理。
　　該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計算機與電信系統(tǒng)設計人員使用具有擴充內存及更高電流的處理器，同時顯著節(jié)省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于各種
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          • 關鍵字：
                        TI  MOSFET                           
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          晶圓廠產(chǎn)能不足　MOSFET供貨警報響
          
                                                            
            
                    	
          • 　　臺晶圓代工廠產(chǎn)能供應失序情形，近期已逐漸從8寸晶圓向下蔓延到5寸及6寸晶圓，包括LCD驅動IC及電源管理IC紛向下?lián)寠Z5寸、6寸晶圓產(chǎn)能動作，讓許久未傳出缺貨的金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)亦出現(xiàn)客戶一直緊急追單，MOSFET市場明顯供不應求現(xiàn)象，對臺系相關供應商如富鼎、尼克森及茂達2010年第1季營收表現(xiàn)，將有顯著貢獻。
　　臺系MOSFET供應商指出，近期合作的5寸、6寸晶圓廠內部產(chǎn)能利用率直線拉升，影響所及，盡管公司緊急向晶圓廠加單，不過，由于加單動作明顯落后其它業(yè)者，未來3個月可
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          • 關鍵字：
                        晶圓代工  電源管理  MOSFET                          
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          TI 推出面向高電流 DC/DC 應用的功率MOSFET 
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標準尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設備的尺寸，同時還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進散熱管理。

　　該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計算機與電信系統(tǒng)設計人員使用具有擴充內存及更高電流的處理器，同時顯著節(jié)省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于
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          • 關鍵字：
                        TI  MOSFET  DualCool  NexFET                          
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          Vishay推出12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強的PowerPAK® SC-75封裝，占位面積為1.6mm x 1.6mm，具有業(yè)內P溝道器件最低的導通電阻。
　　SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術的最新產(chǎn)品，使用了自對準工藝技術，在每平方英寸的硅片上裝入了10億個晶體管單元。這種最先進的技術實現(xiàn)了超精細、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內
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                        Vishay  MOSFET  TrenchFET                          
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          Vishay Siliconix推出業(yè)界最小的60V 功率MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多的空間。
　　SiM400是迄今為止最小的60V功率MOSFET，其SOT-923封裝的尺寸為1mm x 0.6mm，最大厚度僅有0.43mm。器件的占位尺寸比SC-89小77%，厚度則薄了26%。
　　在VGS為10V、4.5V和3.5V的情況下，新器件的導通電阻分別
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                        Vishay  MOSFET  SiM400                          
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          英飛凌和飛兆半導體達成侵權訴訟和解協(xié)議
          
                                                            
            
                    	
          • 　　英飛凌科技股份公司今天宣布，公司與飛兆半導體公司之間的專利侵權訴訟已達成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標的包括與超結功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關的14項專利。
　　通過廣泛的半導體技術專利交叉許可，雙方就上述訴訟達成和解。根據(jù)和解協(xié)議，飛兆半導體將向英飛凌支付許可費，但協(xié)議的具體條款和條件保密。
　　英飛凌和飛兆半導體將通知美國特拉華州地方法院，雙方已經(jīng)達成和解，并將申請撤訴。
　　作為半導體行業(yè)的全球領袖，英飛凌目前正
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                        英飛凌  MOSFET  IGBT                          
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          MOSFET與MOSFET驅動電路原理及應用
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　 下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅動以及應用電路?！≡谑褂肕OS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電
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                        MOSFET  應用  原理  電路  驅動                          
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