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si-cmos 文章 進(jìn)入si-cmos技術(shù)社區(qū)
大面積單結(jié)集成型a-Si:H太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)與制備的實(shí)現(xiàn)
- 1引言眾所周知,利用太陽(yáng)能有許多優(yōu)點(diǎn),光伏發(fā)電將為人類提供主要的能源,但目前來講,要使太陽(yáng)能發(fā)電具有較大的市場(chǎng),被廣大的消費(fèi)者接受,提高太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率,降低生產(chǎn)成本應(yīng)該是我們追求的最大目標(biāo),從目
- 關(guān)鍵字: 結(jié)構(gòu) 制備 實(shí)現(xiàn) 電池 太陽(yáng) 結(jié)集 成型 Si:H 大面積
基于單片機(jī)CMOS汽車電子調(diào)節(jié)器
- 基于單片機(jī)CMOS汽車電子調(diào)節(jié)器引言汽車電子化程度現(xiàn)已成為國(guó)際衡量汽車先進(jìn)水平的重要標(biāo)準(zhǔn),也正是由于這個(gè)原因推動(dòng)和刺激當(dāng)前汽車電子這一行業(yè)不斷向前發(fā)展,各國(guó)都競(jìng)相發(fā)展,不斷應(yīng)用高新技術(shù),提高汽車電氣化性能
- 關(guān)鍵字: CMOS 單片機(jī) 汽車電子 調(diào)節(jié)器
亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)(二)
- 3 仿真分析及具體設(shè)計(jì)結(jié)果3.1 仿真分析在亞微米的ESD結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中,一種常見的具體的ESD瞬態(tài)檢測(cè)電壓如圖2 VDD-VSS間的電壓鉗位結(jié)構(gòu)。其原理如下:主要利用結(jié)構(gòu)中的RC延遲作用,一般T=RC被設(shè)計(jì)為100ns-1000ns之間,而
- 關(guān)鍵字: VDD-VSSESD CMOS 亞微米 電路
亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
- 1 引言ESD(Electric Static Discharge)保護(hù)結(jié)構(gòu)的有效設(shè)計(jì)是CMOS集成電路可靠性設(shè)計(jì)的重要任務(wù)之一,其ESD結(jié)構(gòu)與工藝技術(shù)、特征尺寸密切相關(guān),隨著IC工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,特征尺寸越來越小,管子的柵氧層厚度越來越
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數(shù)碼相機(jī)的CMOS傳感器知識(shí)介紹
- 標(biāo)簽:數(shù)碼相機(jī) CMOS數(shù)碼相機(jī)的另一個(gè)靈魂CMOS傳感器隨著2005年Canon(佳能)公司發(fā)布其型號(hào)為EOS D30的專業(yè)級(jí)數(shù)碼相機(jī)后,人們對(duì)CMOS影像傳感器的注意力猛然巨增。這是因?yàn)椋珻MOS影像傳感器過去有著信噪比小、分辨率
- 關(guān)鍵字: 介紹 知識(shí) 傳感器 CMOS 數(shù)碼相機(jī)
CMOS數(shù)字隔離器在智能電表中的應(yīng)用
- 未來幾年由于消費(fèi)者對(duì)傳統(tǒng)機(jī)電式電表的更新?lián)Q代,智能電表市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以每年兩位數(shù)的速度增長(zhǎng)。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術(shù)進(jìn)行精確測(cè)量并報(bào)告消耗的電量,智能電表比機(jī)電式電表復(fù)雜,但更加注重測(cè)量數(shù)據(jù)的完
- 關(guān)鍵字: CMOS 數(shù)字隔離器 智能電表 中的應(yīng)用
小型CMOS電壓調(diào)整器IC- XC6420
- XC6420系列是實(shí)現(xiàn)了高精度,高紋波抑制,低壓差,搭載了2溝道150mA高速LDO的小型CMOS電壓調(diào)整器IC。把2個(gè)...
- 關(guān)鍵字: CMOS 電壓 調(diào)整器IC
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