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結(jié)合超寬帶測(cè)距和雷達(dá)功能以實(shí)現(xiàn)高級(jí)IoT應(yīng)用 11.14珠海｜與泰克共探半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)這里瞧瞧NXP技術(shù)培訓(xùn)視頻吧>> 來(lái)學(xué)習(xí)NXP基于i.MX處理器的工業(yè)解決方案吧！

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si-cmos 文章進(jìn)入si-cmos技術(shù)社區(qū)

CMOS與CCD圖像傳感器特性對(duì)比分析

CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡(jiǎn)稱(chēng)CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡(jiǎn)稱(chēng)CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方
關(guān)鍵字：對(duì)比分析特性傳感器 CCD 圖像 CMOS

CMOS圖像傳感器再見(jiàn)增長(zhǎng)

10年以前拍照手機(jī)盛行，加上便攜筆記本電腦和個(gè)人電腦監(jiān)視器配置嵌入式數(shù)碼相機(jī)，促使CMOS圖像傳感器銷(xiāo)售獲得巨大增長(zhǎng)，2006年登頂，達(dá)45億美元。但隨后產(chǎn)品市場(chǎng)走向成熟，制造商激增，圖像傳感器特別是用于拍照手機(jī)的產(chǎn)品供過(guò)于求而陷入困境，增速不穩(wěn)，起伏不定，直至2011年才重新走上增長(zhǎng)的道路。
關(guān)鍵字：傳感器 CMOS 201207

CMOS成像技術(shù)讓照相功能大顯身手

互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)成像技術(shù)已經(jīng)成為眾多新興攝像頭應(yīng)用的首選。數(shù)字成像隨著1969年電荷耦合器件...
關(guān)鍵字： CMOS 成像技術(shù) 照相功能

CMOS數(shù)字隔離器為智能電表中的應(yīng)用

未來(lái)幾年由于消費(fèi)者對(duì)傳統(tǒng)機(jī)電式電表的更新?lián)Q代，智能電表市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以每年兩位數(shù)的速度增長(zhǎng)。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術(shù)進(jìn)行精確測(cè)量并報(bào)告消耗的電量，智能電表比機(jī)電式電表復(fù)雜，但更加注重測(cè)量數(shù)據(jù)的完
關(guān)鍵字： CMOS 數(shù)字隔離器智能電表中的應(yīng)用

CMOS單片集成電路MT8816AE各種相關(guān)知識(shí)解析方案

1、引言小型會(huì)議系統(tǒng)或語(yǔ)音群聊系統(tǒng)是由多路音頻電路組成的.為了使通話井然有序,需要通過(guò)音頻交換電路來(lái)控制各路音頻信號(hào)的輸出。音頻交換電路主要用于完成語(yǔ)音信號(hào)的切換。以實(shí)現(xiàn)同頻終端的話音通信。經(jīng)對(duì)可靠性、經(jīng)
關(guān)鍵字：知識(shí) 解析方案相關(guān) 各種單片集成電路 MT8816AE CMOS

基于CMOS多功能數(shù)字芯片的ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì)

摘要基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工藝設(shè)計(jì)了一種ESD保護(hù)電路。整體電路采用Hspice和CSMC 2P2M的0 6mu;m CMOS 工藝的工藝庫(kù)(06mixddct02 x24)仿真，基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工藝完成版圖設(shè)計(jì)，并在一款多功能故
關(guān)鍵字： ESD 保護(hù) 電路設(shè)計(jì) 芯片數(shù)字 CMOS 多功能基于

CCD傳感器與CMOS傳感器區(qū)別在哪里

CMOS針對(duì)CCD最主要的優(yōu)勢(shì)就是非常省電，不像由二極管組成的CCD，CMOS 電路幾乎沒(méi)有靜態(tài)電量消耗，只有在電路接通時(shí)才有電量的消耗。這就使得CMOS的耗電量只有普通CCD的1/3左右，這有助于改善人們心目中數(shù)碼相機(jī)是ld
關(guān)鍵字：傳感器哪里區(qū)別 CMOS CCD

CMOS攝像機(jī),什么是CMOS攝像機(jī)

CMOS傳感器的感光度一般在6到15Lux的范圍內(nèi)，CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音，固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個(gè)圖案，因?yàn)镃MOS傳感器在10Lux以下基本沒(méi)用，因此大量應(yīng)用的所有攝像機(jī)都是用了
關(guān)鍵字： CMOS 攝像機(jī) 什么

CMOS傳感器/SDDS,什么是CMOS傳感器/SDDS

CMOS傳感器CMOS傳感器是一種通常比CCD傳感器低10倍感光度的傳感器。光度一般在6到15Lux的范圍內(nèi)，CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音，固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個(gè)圖案，因?yàn)镃MOS傳感器在10
關(guān)鍵字： /SDDS 傳感器 CMOS 什么

一種帶有增益提高技術(shù)的高速CMOS運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

摘要：設(shè)計(jì)了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運(yùn)算放大器。主運(yùn)放采用帶開(kāi)關(guān)電容共模反饋的折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)，利用增益提高和三支路電流基準(zhǔn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)一個(gè)可用于12～14bit精度，100MS／s采樣頻率的高速流
關(guān)鍵字： CMOS 增益提高運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

利用CMOS功率放大器優(yōu)化單芯片手機(jī)方案

每年生產(chǎn)10多億部手機(jī)的手機(jī)市場(chǎng)已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中競(jìng)爭(zhēng)最激烈的領(lǐng)域。一直有這種說(shuō)法：諸如砷化鎵（GaAs）、橫向 ...
關(guān)鍵字： CMOS 功率放大器單芯片手機(jī)

AMD明年啟用28nm CMOS工藝

　　AMD公司高級(jí)副總裁兼首席技術(shù)官M(fèi)ark Papermaster表示，AMD在2013年芯片生產(chǎn)工藝將有重大變化，將完全從現(xiàn)有的SOI制造工藝切換到28nm Bulk CMOS工藝。至于GPU制造，AMD并不打算作出任何改變。目前南方群島系列GPU，已經(jīng)采用臺(tái)積電28nm工藝，而AMD秋季即將推出的海島系列GPU將繼續(xù)采用相同工藝，海島系列GPU已經(jīng)進(jìn)入樣品試生產(chǎn)階段，在2012年年底開(kāi)始生批量生產(chǎn)，在2013年第一季度正式發(fā)布。　　在評(píng)論異構(gòu)系統(tǒng)架構(gòu)(HSA)聯(lián)盟，是否用來(lái)應(yīng)對(duì)英特爾和NVIDI
關(guān)鍵字： ARM CMOS

CMOS器件抗靜電措施的研究

摘要：由于CMOS器件靜電損傷90％是延遲失效，對(duì)整機(jī)應(yīng)用的可靠性影響太大，因而有必要對(duì)CMOS器件進(jìn)行抗靜電措施。本文描述了CMOS器件受靜電損傷的機(jī)理，從而對(duì)設(shè)計(jì)人員提出了幾種在線路設(shè)計(jì)中如何抗靜電，以保護(hù)CMOS
關(guān)鍵字：研究措施抗靜電器件 CMOS

CMOS工藝多功能數(shù)字芯片的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)

摘要：為了提高數(shù)字集成電路芯片的驅(qū)動(dòng)能力，采用優(yōu)化比例因子的等比緩沖器鏈方法，通過(guò)Hspice軟件仿真和版圖設(shè)計(jì)測(cè)試，提出了一種基于CSMC 2P2M 0．6mu;m CMOS工藝的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)方案。本文完成了系統(tǒng)的電原理
關(guān)鍵字：輸出緩沖電路設(shè)計(jì) 芯片數(shù)字工藝多功能 CMOS

一種新型高速CMOS全差分運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

摘要：設(shè)計(jì)了一種基于流水線模／數(shù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)應(yīng)用的低壓高速CMOS全差分運(yùn)算放大器。該運(yùn)放采用了折疊式共源共柵放大結(jié)構(gòu)與一種新型連續(xù)時(shí)間共模反饋電路相結(jié)合以達(dá)到高速度及較好的穩(wěn)定性。設(shè)計(jì)基于SMIC 0．25mu;m CM
關(guān)鍵字： CMOS 全差分放大器設(shè)計(jì) 運(yùn)算

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si-cmos介紹

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精密CMOS運(yùn)算放大器提供低輸入漏電流和經(jīng)濟(jì)實(shí)惠
如何建立一個(gè)CMOS 4060防盜報(bào)警器
如何建立一個(gè)小型獨(dú)立報(bào)警電路的CMOS
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