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第三代半導體又有新成員？氧化鎵有什么優(yōu)點？
- 目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會有非常廣闊的發(fā)展前景?！ ∪欢琒iC和GaN并不是終點，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優(yōu)勢。因此，近幾年關于氧化鎵的研究又熱了起來?！ 嶋H上，氧化鎵并不是很新的技術，多年前就
- 關鍵字： 半導體 SiC GaN
北汽新能源聯(lián)手羅姆半導體，推動SiC產品技術研發(fā)
- 11月30日，北汽新能源(北汽藍谷 600733)與羅姆半導體集團合作成立SiC產品技術聯(lián)合實驗室。北汽新能源執(zhí)行副總經理陳上華與羅姆半導體集團董事末永良明現(xiàn)場簽署了合作協(xié)議書，并共同為SiC產品技術聯(lián)合試驗室揭牌。 該聯(lián)合實驗室的成立，是北汽新能源在新能源汽車領域不斷加強自主技術實力的重要舉措，聯(lián)合實驗室成立后，北汽新能源將可以與羅姆半導體集團共同深入到碳化硅等新技術的預研中，并圍繞碳化硅的新產品進行全面合作開發(fā)?！ 〗陙?，以SiC為代表的第三代功率半導體材料，已經被廣泛應用在新能源
- 關鍵字： 北汽新能源 羅姆半導體 SiC
ROHM推出1700V 250A全SiC功率模塊
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設備用電源的逆變器和轉換器，開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界頂級※可靠性的額定值保證1700V 250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。(※截至2018年11月13日 ROHM調查數(shù)據(jù)) 近年來，由于SiC產品的節(jié)能效果優(yōu)異，以1200V耐壓為主的SiC產品在汽車和工業(yè)設備等領域的應用日益廣泛。隨著各種應用的多功能化和高性能化發(fā)展，系統(tǒng)呈高電壓化發(fā)展趨勢，1700V耐壓產品的需求日益旺盛。然而，受
- 關鍵字： ROHM SiC
基本半導體成功主辦第二屆中歐第三代半導體高峰論壇
- 10月24日，由青銅劍科技、基本半導體、中歐創(chuàng)新中心聯(lián)合主辦的第二屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳會展中心成功舉行?！ ”緦酶叻逭搲偷谌雽w產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟達成戰(zhàn)略合作，與第十五屆中國國際半導體照明論壇暨2018國際第三代半導體論壇同期舉行，來自中國、歐洲及其他國家的專家學者、企業(yè)領袖同臺論劍，給現(xiàn)場觀眾帶來了一場第三代半導體產業(yè)的盛宴?！ ×⒆銍H產業(yè)發(fā)展形勢，從全球視角全面探討第三代半導體發(fā)展的現(xiàn)狀與趨勢、面臨的機遇與挑戰(zhàn)，以及面向未來的戰(zhàn)略與思考是中歐第三代半導體高峰論壇舉辦的宗旨。目
- 關鍵字： 基本半導體 3D SiC JBS二極管 4H 碳化硅PIN二極管 第三代半導體 中歐論壇
CISSOID和泰科天潤（GPT）達成戰(zhàn)略合作協(xié)議， 攜手推動碳化硅功率器件的廣泛應用
- 高溫與長壽命半導體解決方案領先供應商CISSOID和中國碳化硅(SiC)功率器件產業(yè)化倡導者泰科天潤半導體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布：雙方已達成戰(zhàn)略合作伙伴關系，將共同開展研發(fā)項目，推動碳化硅功率器件在工業(yè)各領域尤其是新能源汽車領域實現(xiàn)廣泛應用?！ ISSOID和泰科天潤簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議 泰科天潤是中國首家第三代半導體材料碳化硅器件制造與應用解決方案提供商，既是碳化硅芯片的龍頭企業(yè)，也是支撐高端制造業(yè)的新興力量。CISSOID公司來自比利時，是高溫半導體解決方案的領導者，專為極端溫
- 關鍵字： CISSOID SiC
基本半導體推出高性能碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）
- 碳化硅(SiC)功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導體器件的性能，對電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重要意義。作為最先實現(xiàn)產業(yè)化的 SiC 器件，SiC JBS能提供近乎理想的動態(tài)性能，基本半導體自主研發(fā)的650 -1700V 3D SiC?系列碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)已火熱上市，憑借其優(yōu)越性能廣受市場追捧。 SiC JBS產品優(yōu)勢 作為單極型器件，SiC JBS在工作過程中沒有少數(shù)載流子儲存，其反向恢復電流主要取決于耗盡層結電容，反向恢復電荷以及反向恢復損耗比Si超快恢復二極管要低一到兩個數(shù)量級。更重
- 關鍵字： 基本半導體 SiC
羅姆參展“2018第二十屆中國國際工業(yè)博覽會”
- 全球知名半導體制造商羅姆(ROHM)于2018年9月19日-23日在國家會展中心(上海)舉行的第二十屆中國國際工業(yè)博覽會上首次亮相。在為期5天的展會上，羅姆展出了節(jié)能高效的SiC功率元器件以及“機器健康檢測”為主的工業(yè)設備解決方案，吸引了眾多業(yè)內外人士駐足交流?！ ×_姆展臺掠影(展位號：6.1H A245) 近年來，羅姆向工業(yè)市場不斷進取，凝聚在消費電子設備和汽車相關領域培育的技術，致力于節(jié)能、安全、舒適、小型化的革新性產品的開發(fā)，并通過高品質、穩(wěn)定供應的安心生產體制，持續(xù)不斷為工業(yè)設備發(fā)展做貢獻。
- 關鍵字： 羅姆 SiC 功率元器件
SiC功率半導體器件需求年增29%，X-FAB計劃倍增6英寸SiC代工產能
- 隨著提高效率成為眾需求中的重中之重，并且能源成本也在不斷增加，以前被認為是奇特且昂貴的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等技術，現(xiàn)已變得更具性價比。此外，隨著市場的增長，由于規(guī)模經濟的關系，SiC或GaN晶體管和二極管在經濟上也越來越具有吸引力。 功率半導體(如二極管和MOSFET)可以通過幾種機制顯著節(jié)省能源。與傳統(tǒng)的硅器件相比，SiC二極管可以實現(xiàn)短得多的反向恢復時間，從而實現(xiàn)更快的開關。此外，其反向恢復電荷要少很多，從而可降低開關損耗。此外，其反向恢復電荷要少很多，從而可降低開關損耗。就其本身
- 關鍵字： X-FAB SiC
安森美半導體推動電動汽車充電樁市場創(chuàng)新發(fā)展
- 電動汽車(也叫新能源汽車)是指以車載電源為動力，用電機驅動車輪行駛，符合道路交通、安全法規(guī)各項要求的車輛由于對環(huán)境影響相對傳統(tǒng)汽車較小，它的前景被廣泛看好近年來在國家環(huán)保政策的激勵下，在大家對綠色低碳健康生活的憧憬下，電動汽車正日益普及。中國是世界最大的汽車市場，中國新能源汽車業(yè)近年來快速發(fā)展令世界矚目。據(jù)Goldman Sachs報道，2016年中國電動汽車占全世界電動汽車的45%, 這一百分比到2030年可能升至60%。根據(jù)中國的“一車一樁”計劃，電動汽車充電樁總數(shù)在2020年將達480萬個，與現(xiàn)
- 關鍵字： 安森美 IGBT SiC
sic 介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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