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基于Infineon S7 MOSFET 主動(dòng)式電源整流方案

因應(yīng)日趨嚴(yán)苛的能源效率規(guī)范，特別是像server power的應(yīng)用，從白金效率甚至是鈦金效率。Infineon推出全新S7系列MOSFET，提供在靜態(tài)切換的應(yīng)用場(chǎng)合，減少功率損耗以提升效率，特別是針對(duì)高輸出功率的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。S7系列MOSFET應(yīng)用在active bridge目的在取代原有bridge diode以提升系統(tǒng)效率，與傳統(tǒng)bridge diode相比，在230Vac輸入時(shí)在50% load約可提高0.5%，而115Vac輸入時(shí)在50% load約可提高1%。利用JRC NJ393C OP比較器搭
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同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)出色低噪聲特性和超快反向恢復(fù)時(shí)間的600V耐壓Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS?”產(chǎn)品陣容中，又新增“R60xxRNx系列”3款新產(chǎn)品，非常適用于冰箱和換氣扇等對(duì)低噪聲特性要求很高的小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)。近年來(lái)，全球電力供應(yīng)日趨緊張，這就要求設(shè)備要更加節(jié)能。據(jù)了解，電機(jī)所需的電力占全球電力總需求的50%左右。因此，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中擔(dān)負(fù)功率轉(zhuǎn)換工作的逆變電路，越來(lái)越多地開(kāi)始采用高效率MOSFET。另一方面，針對(duì)使用MOSFET時(shí)所產(chǎn)生的噪聲，主要通過(guò)添加部件和改變
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SiC MOSFET的短溝道效應(yīng)

Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應(yīng)、Vth滯回效應(yīng)、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能給大家?guī)?lái)更多有價(jià)值的信息。今天我們著重看下第一部分——短溝道效應(yīng)。Si IGBT/MOSFET與SiC MOSFET，盡
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功率半導(dǎo)體市場(chǎng)需求攀升，盛美上海首獲Ultra C SiC襯底清洗設(shè)備采購(gòu)訂單

今日，盛美上海宣布，首次獲得Ultra C SiC碳化硅襯底清洗設(shè)備的采購(gòu)訂單。盛美上海指出，該訂單來(lái)自中國(guó)領(lǐng)先的碳化硅襯底制造商，預(yù)計(jì)將在2023年第三季度末發(fā)貨。當(dāng)前，以碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）為主的第三代半導(dǎo)體迅速發(fā)揮發(fā)展，其中整體產(chǎn)值又以碳化硅占80%為重。據(jù)悉，碳化硅襯底用于功率半導(dǎo)體制造，而功率半導(dǎo)體被廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車(chē)和可再生能源等領(lǐng)域。碳化硅技術(shù)的主要優(yōu)勢(shì)包括更少的開(kāi)關(guān)能量損耗、更高的能量密度、更好的散熱，以及更強(qiáng)的帶寬能力。汽車(chē)和可再生能源等行業(yè)對(duì)功率半導(dǎo)體需求的增加
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連接與電源：新Qorvo為行業(yè)提供更全面的解決方案

３月下旬，全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo? 在京召開(kāi)了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動(dòng)。通過(guò)此次活動(dòng)，Qorvo旨在向業(yè)內(nèi)介紹Qorvo在自身移動(dòng)產(chǎn)品和基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用上的射頻領(lǐng)導(dǎo)地位進(jìn)面向電源、物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)等領(lǐng)域的最新進(jìn)展。Matter出世，化解萬(wàn)物互聯(lián)生態(tài)壁壘物聯(lián)網(wǎng)讓我們?cè)?jīng)暢想的萬(wàn)物互聯(lián)生活逐漸成為現(xiàn)實(shí)，但要將數(shù)以百億計(jì)的設(shè)備進(jìn)行有效的互聯(lián)還面臨巨大壁壘，Matter 標(biāo)準(zhǔn)的出現(xiàn)打破了這個(gè)局面。作為Matter的積極參與者，Qorvo 率先打造符合 Matter 標(biāo)準(zhǔn)的
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SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析；廠商談IGBT大缺貨

根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)旗下化合物半導(dǎo)體研究處最新報(bào)告《2023 SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告-Part1》分析，隨著Infineon、ON Semi等與汽車(chē)、能源業(yè)者合作項(xiàng)目明朗化，將推動(dòng)2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)22.8億美元，年成長(zhǎng)41.4%。與此同時(shí)，受惠于下游應(yīng)用市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求，TrendForce集邦咨詢(xún)預(yù)期，至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)?？赏_(dá)53.3億美元，其主流應(yīng)用仍倚重電動(dòng)汽車(chē)及可再生能源2全球車(chē)用MCU市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估2022年全球車(chē)用MCU市場(chǎng)規(guī)模達(dá)82
關(guān)鍵字： SiC 功率半導(dǎo)體 IGBT 美光

正確選擇MOSFET以?xún)?yōu)化電源效率

優(yōu)化電源設(shè)計(jì)以提高效率十分重要。提高效率不僅可以節(jié)省能源，減少熱量產(chǎn)生，還可以縮小電源尺寸。本文將討論如何平衡上管 MOSFET (HS-FET) 和下管MOSFET (LS-FET) 的數(shù)量比，以提高電源設(shè)計(jì)的效率。圖 1 顯示了一個(gè)具有 HS-FET 和 LS-FET 的簡(jiǎn)化電路。圖 1：具有 HS-FET 和 LS-FET 的電路選擇 MOSFET 時(shí)，如何恰當(dāng)分配 HS-FET 和 LS-FET 的內(nèi)阻以獲得最佳效率，這對(duì)電源工程師來(lái)說(shuō)是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。 MOSFET的結(jié)構(gòu)和損耗組成MOSFE
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GaN 出擊

自上世紀(jì)五十年代以來(lái)，以硅材料為代表的第一代半導(dǎo)體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了以集成電路為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。隨著時(shí)間的流逝，盡管目前業(yè)內(nèi)仍然以 Si 材料作為主流半導(dǎo)體材料，但第二代、第三代甚至是第四代半導(dǎo)體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導(dǎo)體材料——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）受到大眾關(guān)注。近段時(shí)間，GaN 方面又有了新進(jìn)展。本土 GaN 企業(yè)快速發(fā)展3 月 2 日，英飛凌宣布收購(gòu)氮化鎵公司 GaN Systems，交易總值 8.3 億美元（約 57.3 億人民幣）。根據(jù)公告，英飛凌計(jì)劃
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ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動(dòng)器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應(yīng)用）兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
關(guān)鍵字： ROHM SiC MOSFET SiC SBD Apex 工業(yè)設(shè)備功率模塊

OBC充電器中的SiC FET封裝小巧，功能強(qiáng)大

EV 車(chē)載充電器和表貼器件中的半導(dǎo)體電源開(kāi)關(guān)在使用 SiC FET 時(shí)，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)數(shù)萬(wàn)瓦特的功率。我們將了解一些性能指標(biāo)。引言在功率水平為 22kW 及以上的所有級(jí)別電動(dòng)汽車(chē) (EV) 車(chē)載充電器半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)領(lǐng)域，碳化硅 (SiC) MOSFET 占據(jù)明顯的優(yōu)勢(shì)。UnitedSiC（如今為 Qorvo）SiC FET 具有獨(dú)特的 Si MOSFET 和 SiC JFET 級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)，其效率高于 IGBT，且比超結(jié) MOSFET 更具吸引力。不過(guò)，這不僅關(guān)乎轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的整體損耗。對(duì)于 EV 車(chē)主來(lái)說(shuō)，成本、尺寸和
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Nexperia首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專(zhuān)用MOSFET

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V熱插拔專(zhuān)用MOSFET(ASFET)，該系列產(chǎn)品采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝，且具有增強(qiáng)安全工作區(qū)(SOA)的特性。這些新型ASFET針對(duì)要求嚴(yán)格的熱插拔和軟啟動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了全面優(yōu)化，可在175°C下工作，適用于先進(jìn)的電信和計(jì)算設(shè)備。憑借數(shù)十年開(kāi)發(fā)先進(jìn)晶圓和封裝解決方案所積累的專(zhuān)業(yè)知識(shí)，Nexperia推出的這款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N溝道ASFET）作為其產(chǎn)品組合中的首選，
關(guān)鍵字： Nexperia SMD 銅夾片 LFPAK88 MOSFET

英飛凌持續(xù)賦能數(shù)字化和低碳化，多維度推動(dòng)社會(huì)永續(xù)發(fā)展

日前，英飛凌科技大中華區(qū)在京舉辦了2023年度媒體交流會(huì)。英飛凌科技全球高級(jí)副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技大中華區(qū)電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部負(fù)責(zé)人潘大偉率大中華區(qū)諸多高管出席，分享公司在過(guò)去一個(gè)財(cái)年所取得的驕人業(yè)績(jī)，同時(shí)探討數(shù)字化、低碳化行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，并全面介紹英飛凌前瞻性的業(yè)務(wù)布局。 2022財(cái)年英飛凌全球營(yíng)收達(dá)到142.18億歐元，利潤(rùn)達(dá)到33.78億歐元，利潤(rùn)率為23.8%，均創(chuàng)下歷史新高。其中，大中華區(qū)在英飛凌全球總營(yíng)收中的占比高達(dá)37%，繼續(xù)保持英飛凌全球最大區(qū)域市場(chǎng)的地位，為公司全球業(yè)務(wù)的發(fā)展提供
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Qorvo? 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs

中國(guó) 北京，2023 年 3 月 21 日 —— 全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo? （納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布，將展示一種全新的無(wú)引線表面貼裝 (TOLL) 封裝技術(shù)，其高性能具體表現(xiàn)在：750V SiC FET 擁有全球最低的5.4 (mΩ) 的導(dǎo)通阻抗。這也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs 產(chǎn)品 TOLL 封裝系列中的首發(fā)產(chǎn)品，其導(dǎo)通電阻范圍從 5.4 mΩ 到 60 mΩ。這些器件非常適用于空間極其有限的應(yīng)用場(chǎng)景，如從幾百瓦到千萬(wàn)瓦的交流 / 直流電源以及高達(dá)
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SiC融資火熱！今年以來(lái)超20家獲融資，金額超23億

第三代半導(dǎo)體包括碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN），整體產(chǎn)值又以SiC占80%為重。據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究統(tǒng)計(jì)，隨著安森美、英飛凌等與汽車(chē)、能源業(yè)者合作項(xiàng)目明朗化，將推動(dòng)2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)產(chǎn)值達(dá)22.8億美元，年成長(zhǎng)41.4%。△Source：TrendForce集邦咨詢(xún)今年以來(lái)，SiC領(lǐng)域?qū)沂苜Y本青睞，融資不斷。截至今日，已有20家SiC相關(guān)企業(yè)宣布獲得融資，融資金額超23億。融資企業(yè)包括天科合達(dá)、天域半導(dǎo)體、瞻芯電子、派恩杰等領(lǐng)先企業(yè)。天科合達(dá)天科合達(dá)完成了Pre-IPO輪融
關(guān)鍵字： SiC 融資

是時(shí)候從Si切換到SiC了嗎？

在過(guò)去的幾年里，碳化硅(SiC)開(kāi)關(guān)器件，特別是SiC MOSFET，已經(jīng)從一個(gè)研究課題演變成一個(gè)重要的商業(yè)化產(chǎn)品。最初是在光伏（PV）逆變器和電池電動(dòng)車(chē)（BEV）驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中采用，但現(xiàn)在，越來(lái)越多的應(yīng)用正在被解鎖。在使用電力電子器件的設(shè)備和系統(tǒng)設(shè)計(jì)中都必須評(píng)估SiC在系統(tǒng)中可能的潛力，以及利用這一潛力的最佳策略是什么。那么，你從哪里開(kāi)始呢？工程師老前輩可能還記得雙極晶體管在SMPS中被MOSFET取代的速度有多快，或者IGBT模塊將雙極達(dá)林頓晶體管模塊踢出逆變器的速度有多快。電力電子的驅(qū)動(dòng)力一直是降低損耗
關(guān)鍵字：英飛凌 SiC