sic mosfet 文章 進入sic mosfet技術(shù)社區(qū)
欠電壓閉鎖的一種解釋
- 了解欠壓鎖定（UVLO）如何保護半導體器件和電子系統(tǒng)免受潛在危險操作的影響。當提到電源或電壓驅(qū)動要求時，我們經(jīng)常使用簡化，如“這是一個3.3 V的微控制器”或“這個FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒有考慮到電子設(shè)備在一定電壓范圍內(nèi)工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作，而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導電性。但即使是這些基于范圍的規(guī)范也可能具有誤導性。當VDD軌降至2.95V時，接受3.0至3.6 V電源電壓的數(shù)字
- 關(guān)鍵字： 欠電壓閉鎖，UVLO MOSFET，IC
中宜創(chuàng)芯SiC粉體500噸生產(chǎn)線達產(chǎn)
- 近日，河南中宜創(chuàng)芯發(fā)展有限公司（以下簡稱“中宜創(chuàng)芯”）SiC半導體粉體500噸生產(chǎn)線成功達產(chǎn)，產(chǎn)品純度最高達到99.99999%，已在國內(nèi)二十多家企業(yè)和研究機構(gòu)開展試用和驗證。資料顯示，中宜創(chuàng)芯成立于2023年5月24日，由中國平煤神馬控股集團和平頂山發(fā)展投資集團共同出資設(shè)立，總投資20億元，分期建設(shè)年產(chǎn)2000噸碳化硅半導體粉體生產(chǎn)線。項目一期總投資6億元，年產(chǎn)能500噸，占地12000平方米，2023年6月20日開工建設(shè)，9月20日項目建成并試生產(chǎn)，9月30日首批產(chǎn)品出爐。預計達產(chǎn)后年產(chǎn)值5億元，據(jù)悉
- 關(guān)鍵字： 中宜創(chuàng)芯 SiC
2028年全球SiC功率器件市場規(guī)模有望達91.7億美元
- TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報告》顯示，盡管純電動汽車（BEV）銷量增速的明顯放緩已經(jīng)開始影響到SiC供應鏈，但作為未來電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預估2028年全球SiC Power Device市場規(guī)模有望達到91.7億美金。Tesla和比亞迪是兩個備受矚目的BEV品牌，近期均報告了令人失望的銷售數(shù)據(jù)，其中Tesla在1
- 關(guān)鍵字： SiC 功率器件 TrendForce
MOSFET開關(guān)損耗簡介
- 本文將通過解釋MOSFET功耗的重要來源來幫助您優(yōu)化開關(guān)模式調(diào)節(jié)器和驅(qū)動器電路。MOSFET的工作可以分為兩種基本模式：線性和開關(guān)。在線性模式中，晶體管的柵極到源極電壓足以使電流流過溝道，但溝道電阻相對較高。跨溝道的電壓和流過溝道的電流都是顯著的，導致晶體管中的高功耗。在開關(guān)模式中，柵極到源極電壓足夠低以防止電流流動，或者足夠高以使FET處于“完全增強”狀態(tài)，在該狀態(tài)下溝道電阻大大降低。在這種狀態(tài)下，晶體管就像一個閉合的開關(guān)：即使大電流流過通道，功耗也會很低或中等。隨著開關(guān)模式操作接近理想情況，功耗變得可
- 關(guān)鍵字： MOSFET 開關(guān)損耗
一文詳解電池充電器的反向電壓保護
- 處理電源電壓反轉(zhuǎn)有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負載之間連接一個二極管，但是由于二極管正向電壓的原因，這種做法會產(chǎn)生額外的功耗。雖然該方法很簡潔，但是二極管在便攜式或備份應用中是不起作用的，因為電池在充電時必須吸收電流，而在不充電時則須供應電流。另一種方法是使用圖 1 所示的 MOSFET 電路之一。圖 1：傳統(tǒng)的負載側(cè)反向保護對于負載側(cè)電路而言，這種方法比使用二極管更好，因為電源 (電池) 電壓增強了 MOSFET，因而產(chǎn)生了更少的壓降和實質(zhì)上更高的電導。該電路的 NMOS 版本比 PM
- 關(guān)鍵字： MOSFET 電源電壓反轉(zhuǎn)
解析LLC諧振半橋變換器的失效模式
- 在功率轉(zhuǎn)換市場中，尤其對于通信/服務器電源應用，不斷提高功率密度和追求更高效率已經(jīng)成為最具挑戰(zhàn)性的議題。對于功率密度的提高，最普遍方法就是提高開關(guān)頻率，以便降低無源器件的尺寸。零電壓開關(guān)(ZVS)拓撲因具有極低的開關(guān)損耗、較低的器件應力而允許采用高開關(guān)頻率以及較小的外形，能夠以正弦方式對能量進行處理，開關(guān)器件可實現(xiàn)軟開閉，因此可以大大地降低開關(guān)損耗和噪聲。在這些拓撲中，移相ZVS全橋拓撲在中、高功率應用中得到了廣泛采用，因為借助功率MOSFET的等效輸出電容和變壓器的漏感可以使所有的開關(guān)工作在ZVS狀態(tài)下
- 關(guān)鍵字： LLC MOSFET ZVS 變換器
談談幾種常用的MOSFET驅(qū)動電路
- 一、MOS管驅(qū)動簡述MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。在使用MOSFET設(shè)計開關(guān)電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設(shè)計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數(shù)。對一個確定的MOSFET，其驅(qū)動電路，驅(qū)動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的開關(guān)性能。當電源IC與MOS管選定之
- 關(guān)鍵字： MOSFET
雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響探究
- IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測試設(shè)置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設(shè)置來分析SiC和IGBT模塊的開關(guān)特性
- 關(guān)鍵字： 雜散電感 SiC IGBT 開關(guān)特性
柵極環(huán)路電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響分析
- IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響，本文為第二部分，將主要討論柵極環(huán)路電感影響分析。（點擊查看直流鏈路環(huán)路電感分析）測試設(shè)置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設(shè)置來分析S
- 關(guān)鍵字： IGBT SiC 開關(guān)特性
Microchip推出基于dsPIC? DSC的新型集成電機驅(qū)動器將控制器、柵極驅(qū)動器和通信整合到單個器件
- 為了在空間受限的應用中實現(xiàn)高效、實時的嵌入式電機控制系統(tǒng)，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）推出基于dsPIC?數(shù)字信號控制器（DSC）的新型集成電機驅(qū)動器系列。該系列器件在一個封裝中集成了dsPIC33 數(shù)字信號控制器 （DSC）、一個三相MOSFET柵極驅(qū)動器和可選LIN 或 CAN FD 收發(fā)器。這種集成的一個顯著優(yōu)勢是減少電機控制系統(tǒng)設(shè)計的元件數(shù)量，縮小印刷電路板（PCB）尺寸，并降低復雜性。該系列器件的支持資源包括開發(fā)板、參考設(shè)計、應用筆記和 Micr
- 關(guān)鍵字： dsPIC 數(shù)字信號控制器 MOSFET 電機控制
Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢對比
- 在之前一篇題為《功率電子器件從硅（Si）到碳化硅（SiC）的過渡》的博文中，我們探討了碳化硅（SiC）如何成為功率電子市場一項“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術(shù)。如圖1所示，與硅（Si）材料相比，SiC具有諸多技術(shù)優(yōu)勢，因此我們不難理解為何它已成為電動汽車（EV）、數(shù)據(jù)中心和太陽能/可再生能源等許多應用領(lǐng)域中備受青睞的首選技術(shù)。圖1.硅與碳化硅的對比眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場效應晶體管（JFET）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和絕緣
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英飛凌為汽車應用推出業(yè)內(nèi)導通電阻最低的80 V MOSFET OptiMOS? 7
- 英飛凌科技股份公司近日推出其最新先進功率MOSFET?技術(shù)——?OptiMOS? 7 80 V的首款產(chǎn)品IAUCN08S7N013。該產(chǎn)品的特點包括功率密度顯著提高，和采用通用且穩(wěn)健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產(chǎn)品非常適合即將推出的?48 V板網(wǎng)應用。它專為滿足高要求汽車應用所需的高性能、高質(zhì)量和穩(wěn)健性而打造，包括電動汽車的汽車直流-直流轉(zhuǎn)換器、48 V電機控制（例如電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)（EPS））、48 V電池開關(guān)以及電動
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET OptiMOS
P溝道功率MOSFETs及其應用領(lǐng)域
- Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應用需求的增加，P溝道功率MOSFET的應用范圍得到拓展。高端側(cè)（HS）應用P溝道的簡易性使其對低壓變換器（<120 V）和非隔離的負載點更具吸引力。因為無需電荷泵或額外的電壓源，高端側(cè)（HS）P溝道MOSFET易于驅(qū)動，具有設(shè)計簡單、節(jié)省空間，零件數(shù)量少等特點，提升了成本效率。本文通過對N 溝道和P溝道MOSFETs進行比較，介紹Littelfuse P溝道功率
- 關(guān)鍵字： 202404 P溝道功率MOSFET MOSFET
高壓功率器件設(shè)計挑戰(zhàn)如何破？
- 不斷提升能效的需求影響著汽車和可再生能源等多個領(lǐng)域的電子應用設(shè)計。對于電動汽車 (EV) 而言，更高效率意味著更遠的續(xù)航里程；而在可再生能源領(lǐng)域，發(fā)電效率更高代表著能夠更充分地將太陽能或風能轉(zhuǎn)換為電能。圖1.在電動汽車和可再生能源領(lǐng)域，對更高效率的不懈追求正推動著設(shè)計向前發(fā)展這兩大領(lǐng)域都廣泛采用開關(guān)電子器件，因而又催生了更高電壓器件的需求。電壓和效率之間的關(guān)系遵循歐姆定律，也就是說電路中產(chǎn)生的功耗或損耗與電流的平方成正比。同理，當電壓加倍時，電路中的電流會減半，因而損耗會降到四分之一。根據(jù)這個原理，為了減
- 關(guān)鍵字： 高電壓 高電壓 轉(zhuǎn)換器 逆變器 MOSFET 電力電子 EliteSiC
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