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	sic mosfet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度
          
                                                            
            
                    	
          • 英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC??MOSFET?2000?V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  CoolSiC  MOSFET                          
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          英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC? MOSFET G2，推動低碳化的高性能系統(tǒng)
          
                                                            
            
                    	
          • 英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統(tǒng)和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比，?英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術在確保質量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進一步推動了低碳化進程。CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2)?技術繼續(xù)發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，通過降低能量損耗來提高功率轉換過程
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  碳化硅  CoolSiC  MOSFET                          
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          納芯微推出基于創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級CAN SIC: NCA1462-Q1
          
                                                            
            
                    	
          • 納芯微宣布推出基于其自研創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級CAN SIC（信號改善功能，Signal Improvement Capability）NCA1462-Q1。相比當前主流的CAN FD車載通信方案，NCA1462-Q1在滿足ISO 11898-2:2016標準的前提下，進一步兼容CiA 601-4標準，可實現(xiàn)≥8Mbps的傳輸速率。憑借納芯微專利的振鈴抑制功能，即使在星型網絡多節(jié)點連接的情況下，NCA1462-Q1仍具有良好的信號質量；此外，超高的EMC表現(xiàn)，更加靈活、低至1.8V的VIO可有效助力工
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          • 關鍵字：
                        納芯微  振鈴抑制  CAN SIC                          
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          ?MOSFET共源放大器的頻率響應
          
                                                            
            
                    	
          • 在本文中，我們通過研究MOSFET共源放大器的s域傳遞函數來了解其頻率響應。之前，我們了解了MOSFET共源放大器的大信號和小信號行為。這些分析雖然有用，但僅適用于低頻操作。為了了解共用源（CS）放大器在較高頻率下的功能，我們需要更詳細地研究其頻率響應。在本文中，我們將在考慮MOSFET寄生電容的情況下導出CS放大器的全傳遞函數。然而，在我們這么做之前，讓我們花點時間回顧頻域中更為普遍的傳遞函數（TF）分析。s域傳輸函數TF是表示如何由線性系統(tǒng)操縱輸入信號（x）以產生輸出信號（y）的方程式。其形式為：&n
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  共源放大器                          
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          基于SiC的完整“傻瓜型”逆變器參考設計為先進電機應用鋪平了道路
          
                                                            
            
                    	
          • 先進電機應用（如高轉速、高頻、高功率密度、高溫等）需要相匹配的逆變器支持，但業(yè)界一直為其開發(fā)難度所困擾。全球領先的高溫半導體解決方案提供商CISSOID公司近期推出的基于碳化硅（SiC）功率器件的完整逆變器參考設計很好地解決了這一問題。該參考設計整合了CISSOID 公司的SiC高壓功率模塊和相匹配的集成化柵極驅動器，Silicon Mobility公司的控制板和軟件，超低寄生電感的直流母線電容和EMI濾波器，直流和相電流傳感器等其它附件。由此為先進電機應用提供了一個已全面集成的完整“傻瓜型”逆變器開發(fā)平
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          • 關鍵字：
                        SiC  逆變器  電機  CISSOID  Silicon Mobility                          
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          輕松了解功率MOSFET的雪崩效應
          
                                                            
            
                    	
          • 在關斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數量級。根據電路條件不同，在雪崩、MOSFET漏極或源極中，電流范圍可從微安到數百安。 
 
額定擊穿電壓，也可稱之為“BV”，通常是在給定溫度范圍（通常是整個工作結溫范圍）內定義的MOSFET器件的最小阻斷電壓（例如30V）。數據表中的BVdss值是在低雪崩電流（通常為
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  雪崩  電流                          
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          Qorvo推出緊湊型E1B封裝的1200V SiC模塊
          
                                                            
            
                    	
          • 中國 北京，2024 年 2 月 29 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅（SiC）模塊，其中兩款為半橋配置，兩款為全橋配置，導通電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動汽車充電站、儲能、工業(yè)電源和太陽能等應用。Qorvo SiC 電源產品線市場總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達四個分立式 SiC FET，從而簡化
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          • 關鍵字：
                        Qorvo  1200V  SiC模塊  SiC                          
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          Nexperia在APEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列
          
                                                            
            
                    	
          • 奈梅亨，2024年2月29日：Nexperia再次在APEC上展示產品創(chuàng)新，今天宣布發(fā)布幾款新型MOSFET，以進一步拓寬其分立開關解決方案的范圍，可用于多個終端市場的各種應用。此次發(fā)布的產品包括用于PoE、eFuse和繼電器替代產品的100 V 應用專用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封裝，體積縮小60%，以及改進了電磁兼容性(EMC)的40 ?V NextPowerS3 MOSFETPoE交換機通常有多達48個端口，每個端口需要2個MOSFET提供保護。單個PCB上有多達96
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          • 關鍵字：
                        Nexperia  APEC 2024  拓寬分立式FET  MOSFET                          
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          MOSFET共源放大器介紹
          
                                                            
            
                    	
          • 在本文中，我們介紹了具有不同負載類型的MOSFET共源放大器的基本行為。模擬電路隨處可見，放大器基本上是每個模擬電路的一部分。MOSFET能夠制造出卓越的放大器件，這就是為什么有多種基于它們的單級放大器拓撲結構的原因。根據哪個晶體管端子是輸入端和哪個晶體管端子是輸出端來區(qū)分它們。在本文中，我們將討論共用源極（CS）放大器，它使用柵極作為其輸入端子，使用漏極作為其輸出。在交流信號方面，源端子對于輸入和輸出都是公共的，因此得名為共源。圖1顯示了具有理想電流源的CS放大器。具有理想電流源負載的共源放大器。&nb
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  共源放大器                          
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          ?MOSFET共源放大器介紹
          
                                                            
            
                    	
          • 在本文中，我們介紹了具有不同負載類型的MOSFET共源放大器的基本行為。模擬電路隨處可見，放大器基本上是每個模擬電路的一部分。MOSFET能夠制造出卓越的放大器件，這就是為什么有多種基于它們的單級放大器拓撲結構的原因。根據哪個晶體管端子是輸入端和哪個晶體管端子是輸出端來區(qū)分它們。在本文中，我們將討論共用源極（CS）放大器，它使用柵極作為其輸入端子，使用漏極作為其輸出。在交流信號方面，源端子對于輸入和輸出都是公共的，因此得名為共源。圖1顯示了具有理想電流源的CS放大器。具有理想電流源負載的共源放大器。&nb
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  共源放大器                          
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          內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉換器IC，助推工廠智能化 
          
                                                            
            
                    	
          • 本文的關鍵要點各行各業(yè)的工廠都在擴大生產線的智能化程度，在生產線上的裝置和設備旁邊導入先進信息通信設備的工廠越來越多。要將高壓工業(yè)電源線的電力轉換為信息通信設備用的電力，需要輔助設備用的高效率電源，而采用內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉換器IC可以輕松構建這種高效率的輔助電源。各行各業(yè)加速推進生產線的智能化如今，從汽車、半導體到食品、藥品和化妝品等眾多行業(yè)的工廠，既需要進一步提升生產效率和產品品質，還需要推進無碳生產（降低功耗和減少溫室氣體排放）。在以往的制造業(yè)中，提高工廠的生產效率和
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          • 關鍵字：
                        電力轉換  SiC  MOSFET                          
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          安森美碳化硅技術專家“把脈”汽車產業(yè)2024年新風向
          
                                                            
            
                    	
          • 回首2023年，盡管全球供應鏈面臨多重挑戰(zhàn)，但我們看到了不少閃光點，比如AIGC的熱潮、汽車電子的火爆，以及物聯(lián)網的小跑落地……今天，安森美(onsemi)碳化硅技術專家牛嘉浩先生為大家?guī)砹怂麑^去一年的經驗總結和對新一年的展望期盼。汽車產業(yè)鏈中的困難與挑戰(zhàn)在過去一年中，汽車芯片短缺、全球供應鏈的復雜性和不確定性及市場需求的變化，可能是汽車產業(yè)鏈最為棘手的難題，汽車制造商需要不斷調整生產和采購策略以應對潛在的風險和瓶頸。隨著更多傳統(tǒng)車企和新興造車勢力進入新能源汽車市場，競爭壓力加大，汽車制造商需要不斷提
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          • 關鍵字：
                        智能電源  智能感知  汽車領域  SiC                          
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          2000V 12-100mΩ CoolSiC? MOSFET
          
                                                            
            
                    	
          • CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術，CoolSiC?技術的輸出電流能力強，可靠性提高。產品型號：???IMYH200R012M1H???IMYH200R024M1H???IMYH200R050M1H???IMYH200R075M1H???IMYH200R0100M1H產品特點■ VDSS=2000V，可用于最高母線電壓為1500VDC系統(tǒng)■ 開關損
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          • 關鍵字：
                        MOSFET  CoolSiC  Infineon                          
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          帶隙對決：GaN和SiC，哪個會占上風？
          
                                                            
            
                    	
          • 電力電子應用希望納入新的半導體材料和工藝。
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          • 關鍵字：
                        GaN  SiC                          
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          談談SiC MOSFET的短路能力
          
                                                            
            
                    	
          • 在電力電子的很多應用，如電機驅動，有時會出現(xiàn)短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時間內承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會在數據手冊中標出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時間是10us，IGBT7短路時間是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 沒 有 標 出 短 路 能 力 ， 即 使 有 ， 也 比 較 短 ， 例 如 英 飛 凌 的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標稱短路時間是3us，EASY封裝器件標
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          • 關鍵字：
                        infineon  MOSFET                          
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